公开(公告)号：CN108628791A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810427403.2

申请日：2018-05-07

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网新疆电力有限公司检修公司

发明人： 刘亮 ,  陈奎林 ,  唐晓柯 ,  赵东艳 ,  张海峰 ,  冯曦 ,  胡毅 ,  谭浪 ,  李娜 ,  金锐

IPC分类号： G06F13/40 ,  G06F13/42

摘要： 本发明公开了一种基于PCIE接口的高速安全芯片架构和高速的数据处理方法。所述高速安全芯片架构将总线、CPU、安全存储单元、DMA、密码运算单元以及高速PCIE接口单元均集成在一个芯片上。只需要使用一颗芯片就可以完成安全芯片的全部功能。所述基于PCIE接口的高速安全芯片架构具有集成度高、面积小、成本低、功耗低的优点。

公开(公告)号：CN118039464A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211357785.9

申请日：2022-11-01

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 葛欢 ,  赵万利 ,  朱涛 ,  王锐 ,  孙俊敏 ,  李旭晗 ,  蔡依沙 ,  李玲 ,  刘瑞 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  杨霏

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/16

摘要： 一种减少碳化硅表面损伤的离子注入方法及碳化硅器件，包括：在碳化硅晶圆上依次生长第一掩膜介质层和第二掩膜介质层；在所述第二掩膜介质层上进行干法刻蚀，得到具有预设图案的第二掩膜介质层；对所述第一掩膜介质层进行退火处理，形成致密均匀的第一掩膜介质层；基于所述第一掩膜介质层和第二掩膜介质层对碳化硅晶圆进行离子注入；其中，所述第二掩膜介质层与所述第一掩膜介质层的厚度和材质不同。本发明中采取两层介质膜进行离子注入，由于第一掩膜介质层的存在，在对第二掩膜介质层进行刻蚀时可自截止在第二掩膜介质层刻蚀完成的地方，剩余的第一掩膜介质层可以防止刻蚀离子和注入离子对碳化硅晶圆表面轰击造成损伤。

公开(公告)号：CN114068728A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111547921.6

申请日：2021-12-17

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司检修分公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 董少华 ,  刘钺杨 ,  和峰 ,  王耀华 ,  刘江 ,  金锐 ,  姚兆民

IPC分类号： H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

摘要： 一种快速恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层；位于所述第一导电类型半导体层上的漂移层；位于所述漂移层中的第二导电类型掺杂层；所述快速恢复二极管还包括：第一复合区，所述第一复合区位于第二导电类型掺杂层底部的漂移层中，第一复合区包括若干个横向排布的第一子复合区，相邻的第一子复合区在漂移层中的深度不同；和/或，第二复合区，第二复合区位于所述第二导电类型掺杂层中，第二复合区包括若干个横向排布的第二子复合区，相邻的第二子复合区在第二导电类型掺杂层中的深度不同。本发明提供的一种快速恢复二极管反向恢复峰值电流较低，反向恢复速度较快。

公开(公告)号：CN113629131A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202010386415.2

申请日：2020-05-09

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司厦门供电公司

发明人： 桑玲 ,  吴军民 ,  夏经华 ,  张文婷 ,  查祎英 ,  田丽欣 ,  王耀华 ,  金锐 ,  杨霏 ,  安运来 ,  赛朝阳

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/66

摘要： 本发明提供一种分区域渐变场限环终端结构及其设计方法，设置分区域渐变场限环终端结构的各参数的初始值；基于初始值，依次对各参数值进行调整，并实时获取各场限环和有源区主结之间的电场强度，当获取的电场强度相等且均小于临界击穿电场强度，得到最优的参数值；基于最优的参数值确定分区域渐变场限环终端结构，通过调整各区域内场限环的宽度和各相邻场限环的间距，大大提高了功率半导体器件制备过程中场限环终端结构的保护效率，提高了半导体功率器件的击穿电压，增强了半导体功率器件的可靠性和稳定性。

公开(公告)号：CN112510077A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202011059728.3

申请日：2020-09-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司 ,  电子科技大学

发明人： 金锐 ,  高明超 ,  张金平

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，绝缘栅双极晶体管包括N‑漂移区(4)、P型基区(5)、N‑buffer层(10)和N+发射区(6)；P型基区(5)位于N‑漂移区(4)上表面两侧，N+发射区(6)位于P型基区(5)的上表面，且距所述P型基区(5)外侧具有设定距离；N‑buffer层(10)位于N+发射区(6)下方的P型基区(5)内部，通过N‑buffer层(10)降低了绝缘栅双极晶体管的导通压降，且有效抑制绝缘栅双极晶体管发生闩锁现象；通过肖特基接触提高漂移区内的载流子浓度，进一步改善绝缘栅双极晶体管漂移区载流子的分布，从而增强了电导调制效应，降低了导通压降，通过N‑buffer层提高绝缘栅双极晶体管的坚固性，并改善了绝缘栅双极晶体管的大电流关断能力。

公开(公告)号：CN108847923B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201810675449.6

申请日：2018-06-27

申请人： 上海交通大学 ,  国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 谷大武 ,  王伟嘉 ,  郭筝 ,  刘军荣 ,  陆海宁 ,  刘劲松 ,  韩月 ,  刘芮彤 ,  杨滢璇 ,  张海峰 ,  甘杰 ,  金锐

IPC分类号： H04L9/00

摘要： 一种基于低通滤波的旁路攻击曲线预处理方法，通过对待对原始功耗曲线进行快速低通处理，再通过对齐算法并利用低通后的功耗曲线计算出每一条曲线的位移值，并以该位移值对待对原始功耗曲线进行优化位移后实现优化对齐，本发明可以有效的克服噪声导致的对齐效果不好的问题。

公开(公告)号：CN110119640B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201910427488.9

申请日：2019-05-22

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 张海峰 ,  甘杰 ,  谭浪 ,  原义栋 ,  胡晓波 ,  赵毅强 ,  金锐 ,  于艳艳 ,  蔡里昂

IPC分类号： G06F21/75

摘要： 本发明公开了一种双轨预充电逻辑单元及其预充电方法，该双轨预充电逻辑单元对现有的双轨预充电逻辑单元中的单轨LBDL逻辑与门以及单轨LBDL逻辑非门分别进行了改进，改进后的该双轨预充电逻辑单元共包括N1～N12，P1～P12，I1～I2共28个晶体管，相比于现有的双轨预充电逻辑单元本发明采用了更少的晶体管、占用更少的版图面积，同时保证了逻辑单元的抗DPA攻击能力。

公开(公告)号：CN111458623A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010307229.5

申请日：2020-04-17

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 林仲康 ,  吴军民 ,  唐新灵 ,  韩荣刚 ,  金锐 ,  张朋 ,  赛朝阳 ,  王亮 ,  杜玉杰

IPC分类号： G01R31/28

摘要： 本发明提供一种半导体芯片的测试装置，包括：箱体，所述箱体包括由导电材料制成的上底板、下底板，以及由绝缘材料制成的多个侧板；其中，所述上底板用于连接低压电源，所述下底板用于连接高压电源；芯片定位块，由导电材料制成，与所述下底板相接触，所述芯片定位块内设置有容置待测芯片的芯片凹槽；低压铜柱，贯穿所述上底板，通过相对于所述上底板的上下运动对位于所述芯片定位块内的待测芯片施加压力；其中所述低压铜柱的下底面尺寸与所述待测芯片的低压电极尺寸相匹配；流体出入口，位于其中两个相对的侧板上，用于供加热的绝缘流体介质流入或流出所述箱体。

公开(公告)号：CN111293040A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN202010104556.0

申请日：2020-02-20

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 桑玲 ,  吴鹏飞 ,  赛朝阳 ,  王耀华 ,  金锐 ,  查祎英 ,  杨霏 ,  夏经华 ,  姜春艳 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/04

摘要： 本发明公开了一种n型掺杂离子注入准确度的提升方法。本发明包括：根据目标值采用TRIM仿真继而确定n型掺杂离子的注入能量和剂量的仿真值；根据仿真值对碳化硅外延层进行离子注入；对注入后的碳化硅外延层进行SIMS检测获得实际注入值，比较实际注入值与目标值之间的偏差；根据偏差对仿真值进行校准，根据校准后的仿真值再次进行离子注入；重复上述对仿真值进行校准的步骤，确定最终离子注入能量和剂量以获得最接近目标值的实际注入值。本发明记载了相应的缩小离子注入目标值与实际注入值之间偏差的方法，通过多次对注入碳化硅外延层的n型掺杂离子的仿真值进行校准，进而使碳化硅器件的离子注入的实际注入值与目标值更加接近，以加快器件的研制。

公开(公告)号：CN110571270A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910870940.9

申请日：2019-09-16

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 李立 ,  金锐 ,  董少华 ,  王耀华 ,  高明超 ,  吴军民 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开一种沟槽栅型IGBT器件及其制备方法、装置，其中，沟槽栅型IGBT器件，包括沟槽栅结构，其第四功能区层位于第三功能区层与第一电极之间，在第三功能区层上设置有第二功能区层，在第二功能区层的内部成型第一功能区层、第三电极、第一电极层和第二电极层，在第二电极上成型介质层，介质层位于第二电极与第三电极之间，第三电极的一端面与介质层接触，第三电极的另一端面和侧壁区域被第一电极层包围，第二电极层与介质层平行且与沟槽栅结构的底部区域接触，第一功能区层分别与第二电极和介质层接触且设置在沟槽栅结构的两侧，以及在沟槽栅结构设置第二电极层可使得沟槽栅型IGBT器件的反向传输电容得到有效降低。