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公开(公告)号：CN115064446B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210990168.6
申请日：2022-08-18
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
摘要： 本公开涉及功率半导体领域，具体公开了一种超结半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：通过深沟槽刻蚀工艺在晶圆的第一预定区域刻蚀得到至少一个Ai深沟槽，在所述Ai深沟槽中填充掺杂浓度为NAi的第一外延层形成第i层第一导电类型的外延柱；通过深沟槽刻蚀工艺在晶圆的第二预定区域刻蚀得到至少一个Di深沟槽，在所述Di深沟槽中填充掺杂浓度为NDi的第二外延层形成第i层第二导电类型的外延柱；循环上述步骤在晶圆中制作超结结构。该技术方案可以解决传统深沟槽单次外延填充产生的空洞问题；主要用于制备超结半导体器件。
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公开(公告)号：CN115271058A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211202953.7
申请日：2022-09-29
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明实施例提供一种类脑计算芯片和数据处理终端，属于芯片技术领域。所述类脑计算芯片包括类脑计算阵列，用于类脑计算任务的数据处理，所述类脑计算阵列包括多个脉冲神经处理单元，所述多个脉冲神经处理单元呈阵列分布，所述多个脉冲神经处理单元中的每一个脉冲神经处理单元用于处理神经元计算和突触计算。本发明实施例提供的类脑计算芯片包括由多个脉冲神经处理单元组成的类脑计算阵列；每一个脉冲神经处理单元都可以同时处理神经元计算和突触计算；替代了传统的类脑计算架构中分离式的神经元和神经突触，减少了因神经元和神经突触之间频繁的数据交换造成的能量损失和计算时延，显著提高了运算速度，降低了芯片在处理大量数据时的系统功耗。
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公开(公告)号：CN114244397A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202210174181.4
申请日：2022-02-25
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种跳频通信装置、方法、芯片、发射机及存储介质，其中装置包括：伪随机序列发生模块，用于生成伪随机跳频序列，伪随机跳频序列在发射机与接收机之间保持同步；真实随机序列发生模块，用于生成真实随机跳频序列；序列选择决策模块，用于在伪随机跳频序列中插入真实随机跳频序列以生成目标跳频序列；发射模块，用于根据目标跳频序列发射数据。由此，通过在伪随机跳频序列中插入真实随机跳频序列能够有效提高数据通信的安全性，适用于对安全性和可靠性要求较高的通信场合。
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公开(公告)号：CN114222142A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202210165456.8
申请日：2022-02-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 复旦大学
摘要： 本申请实施例提供一种基于脉冲神经网络的图像编码方法及装置，属于神经计算及图像处理技术领域。方法包括：获取待处理图像；对于待处理图像中的每一像素点，获取像素点的特征属性，依据像素点的特征属性确定像素点的信息强度值；将像素点编码为表征像素点在预设时间窗口内对应的脉冲发放时刻的时域编码数据，并以时域编码数据作为待处理数据输入输入神经元，像素点对应的脉冲发放时刻与像素点的信息强度值负相关。本申请通过将像素点的信息强度值近似线性地映射到预设时间窗口内的脉冲发放时刻，使得输入输入神经元的像素点的信息强度值越高，输入神经元的脉冲发放时间越早，从而有助于提高有效数据的区分度，降低数据处理的延时和计算复杂度。
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公开(公告)号：CN113609511B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111164095.7
申请日：2021-09-30
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G06F21/60
摘要： 本公开实施例公开了一种数据处理和密钥保护方法、装置、设备、存储介质。其中，所述数据处理方法，用于消除数据串中的全零窗口，包括：数据获取步骤，获取输入的密钥数据；数据随机化步骤，对所述密钥数据进行随机化处理，得到随机化数据；全零窗口消除步骤，将随机化数据减去预设非零序列，得到全零窗口消除数据，从而消除全零窗口。
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公开(公告)号：CN116743141A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310560064.6
申请日：2023-05-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国网山西省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H03K17/567
摘要： 本发明涉及电子信息领域，公开了一种IGBT的控制装置和控制方法、芯片及电路，该控制装置包括：电压采样模块，用于采集所述IGBT的集电极电压；电流采样模块，用于采集所述IGBT的输出电流；以及控制模块，用于：比较输入控制信号和预设控制信号阈值；以及基于比较结果，根据所述电流采样模块采集的所述输出电流或所述电压采集模块采集的所述集电极电压和所述输入控制信号确定输入至所述IGBT的栅极的输入电压。藉此，实现了对IGBT的栅极进行控制。
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公开(公告)号：CN115308558B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211039166.5
申请日：2022-08-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/26 , G06F18/214 , G06F18/241 , G06N3/0442 , G06N3/0464 , G06N3/045
摘要： 本公开实施例公开了一种CMOS器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质。其中CMOS器件寿命预测方法包括：获取CMOS器件在加速应力试验下电参数的时间序列样本数据集，所述时间序列样本数据集包括表征所述CMOS器件寿命的电参数退化量的时间序列样本数据；基于所述时间序列样本数据集得到训练集；用所述训练集训练时序模型，获得寿命预测模型；用所述寿命预测模型预测所述CMOS器件的失效时间。上述技术方案减少了现有技术中因对CMOS器件进行完整的加速应力试验以确定其使用寿命的时间成本，提高了产品质检效率，缩短了CMOS器件的生产周期，解决了CMOS器件生产效率低的问题。
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公开(公告)号：CN112574529B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202011349297.4
申请日：2020-11-26
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 天津大学
摘要： 本发明涉及高分子材料技术领域，公开了一种导热绝缘复合材料，所述复合材料包括10‑25重量份的多孔填料、30‑65重量份的聚合物、10‑25重量份的固化剂以及0‑55重量份的导热填料；其中，所述多孔填料选自泡沫陶瓷和/或泡沫镍。本发明提供的导热绝缘复合材料，引入了多孔填料，构建了网状结构，尤其是当多孔填料为泡沫陶瓷时，能够很好地利用骨架材料的增强作用，使得所述复合材料导热绝缘性能优异，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115224113B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211124222.5
申请日：2022-09-15
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
摘要： 本发明提供一种横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法，属于芯片领域。该横向超结器件包括：P型衬底、P柱、N柱、栅极结构、源极结构和漏极结构；栅极结构包括多晶硅栅，多晶硅栅与漏极结构之间设置有场氧化层；场氧化层上方还设置有多晶硅场板，多晶硅场板上方设置有金属场板；多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，金属场板包括多段金属微场板，多段金属微场板对应设置在多段多晶硅微场板上方，首级金属微场板通过接触孔与多晶硅栅相连，后一级金属微场板通过接触孔与前一级多晶硅微场板相连，末级金属微场板通过接触孔与漏极结构相连。横向超结器件中的电容耦合结构能减弱表面电荷对横向超结器件电场的影响。
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公开(公告)号：CN115276994A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210945567.0
申请日：2022-04-22
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H04L9/30
摘要： 本公开涉及数据处理领域，具体涉及加密数据处理方法、装置、电子设备和存储介质，解决逐比特进行计算，计算效率较低的问题。所述方法包括：获取模幂计算的第一底数和第一指数矢量；基于第一底数对基准变量组进行初始化，基准变量组包括：第一变量、第二变量、第三变量、第四变量；将第一指数矢量切分为第二指数矢量，第二指数矢量的长度为大于1比特的特定窗口长度，第一指数矢量、第二指数矢量是比特矢量；逐窗口对基准变量组中的第一变量或第二变量，按照所述第二指数矢量的取值进行多次平方计算，用多次平方计算的结果和基准变量组中的第三变量或第四变量进行模乘运算，得到输出变量，所述输出变量用于对数据进行加密。
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