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公开(公告)号：CN112182998B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202010743200.1
申请日：2020-07-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F30/32 , G06F115/06 , G06F115/08
Abstract: 本发明公开了一种面向对象的芯片级端口互连电路及其端口互连方法，其中，面向对象的芯片级端口互连电路包括：PAD模块，PAD模块用于实现芯片与外部电路的连接；CORE模块，CORE模块包括PINMUX单元、IOCTRL控制单元、CPU单元和多个IP核，其中，PINMUX单元分别与PAD模块和多个IP核连接，CPU单元用于对IOCTRL控制单元进行配置，以使IOCTRL控制单元通过PINMUX单元对PAD模块与各IP核的连接通路进行控制。该芯片级端口互连电路可快速、高质量地完成芯片研发过程中各类IP核端口之间的互连需求。
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公开(公告)号：CN114531241A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210429372.0
申请日：2022-04-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H04L9/30
Abstract: 本公开实施例涉及数据处理领域，公开了一种数据加密方法、装置、使用该方法的电子设备和存储介质，解决逐比特进行计算，计算效率较低的问题。其中，数据加密方法，包括：获取指定曲线的第一坐标和第一比特矢量；基于所述指定曲线的第一坐标得到基准坐标组，所述基准坐标组包括第一基准坐标、第二基准坐标、第三基准坐标、基准倍数坐标；将第一比特矢量分割为第二比特矢量，所述第二比特矢量的长度为大于1比特的特定窗口长度；逐窗口基于基准坐标组中的基准坐标，按照第二比特矢量的取值进行乘加计算，得到第二坐标，第二坐标是基于所述指定曲线对所述第一比特矢量进行加密得到的加密数据，从而提高蒙哥马利阶梯方法的运算效率。
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公开(公告)号：CN114244397B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210174181.4
申请日：2022-02-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种跳频通信装置、方法、芯片、发射机及存储介质，其中装置包括：伪随机序列发生模块，用于生成伪随机跳频序列，伪随机跳频序列在发射机与接收机之间保持同步；真实随机序列发生模块，用于生成真实随机跳频序列；序列选择决策模块，用于在伪随机跳频序列中插入真实随机跳频序列以生成目标跳频序列；发射模块，用于根据目标跳频序列发射数据。由此，通过在伪随机跳频序列中插入真实随机跳频序列能够有效提高数据通信的安全性，适用于对安全性和可靠性要求较高的通信场合。
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公开(公告)号：CN110008169A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910288665.X
申请日：2019-04-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F13/42
Abstract: 本发明公开了一种安全芯片的通信方法，其中，安全芯片与主控芯片通过SPI接口进行通信，通信方法包括：主控芯片对SPI接口进行初始化；主控芯片将SIP接口的片选信号置低，向安全芯片发送指令信息，发送完成后将该片选信号置高，其中，指令信息包括起始标识以及指令内容；安全芯片执行指令内容，在执行完成后，发送响应信息，其中，响应信息包括：起始标识以及响应状态字；主控芯片将片选信号置低，获取安全芯片的响应信息；主控芯片判断响应信息的起始标识是否为第一预设标识，若是则读取响应信息，并将片选信号置高。本发明提供的安全芯片的通信方法，提高了安全芯片的处理效率，提高数据传输的安全性。
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公开(公告)号：CN115642148B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202211654973.8
申请日：2022-12-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L23/552 , H10B61/00
Abstract: 本发明涉及封装技术领域，公开了一种磁屏蔽装置、磁屏蔽装置的制备方法以及MRAM芯片，所述磁屏蔽装置包括：磁屏蔽片；以及多个微阵列结构，该多个微阵列结构位于所述磁屏蔽片上的边缘区域内，所述多个微阵列结构围成的内部区域与MRAM芯片的尺寸相匹配，用于对所述MRAM芯片进行磁屏蔽，由此，本发明通过一种具有微阵列结构的新型抗磁封装结构来更有效地降低MRAM芯片周围的外部环境磁场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115642148A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211654973.8
申请日：2022-12-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L23/552 , H10B61/00
Abstract: 本发明涉及封装技术领域，公开了一种磁屏蔽装置、磁屏蔽装置的制备方法以及MRAM芯片，所述磁屏蔽装置包括：磁屏蔽片；以及多个微阵列结构，该多个微阵列结构位于所述磁屏蔽片上的边缘区域内，所述多个微阵列结构围成的内部区域与MRAM芯片的尺寸相匹配，用于对所述MRAM芯片进行磁屏蔽，由此，本发明通过一种具有微阵列结构的新型抗磁封装结构来更有效地降低MRAM芯片周围的外部环境磁场。
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公开(公告)号：CN114978243B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210531401.4
申请日：2022-05-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及通信领域，公开一种多模通信设备组网方法、通信方法及其系统、设备和芯片。所述组网方法包括：向入网节点发送关于其与待入网节点之间的可用通信模式的应答信息，该可用通信模式被划分为多个集合，每个集合中的模式彼此不兼容且不同集合中的模式兼容；及通过组网协商过程在满足预设协商结果时将基于应答信息选择的每个集合中的最优模式锁定为所述两个节点间的握手信息，以由入网节点根据握手信息上报相应路由信息，以供根节点更新组网路由信息，其中从每个集合中最多选择一个最优模式，得到多个最优模式，该多个最优模式在同一时刻被采用，本发明可确定任意相邻两层节点之间的多个相互兼容的最优模式，从而确保组网后高质量的通信性能。
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公开(公告)号：CN115308558A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211039166.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本公开实施例公开了一种CMOS器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质。其中CMOS器件寿命预测方法包括：获取CMOS器件在加速应力试验下电参数的时间序列样本数据集，所述时间序列样本数据集包括表征所述CMOS器件寿命的电参数退化量的时间序列样本数据；基于所述时间序列样本数据集得到训练集；用所述训练集训练时序模型，获得寿命预测模型；用所述寿命预测模型预测所述CMOS器件的失效时间。上述技术方案减少了现有技术中因对CMOS器件进行完整的加速应力试验以确定其使用寿命的时间成本，提高了产品质检效率，缩短了CMOS器件的生产周期，解决了CMOS器件生产效率低的问题。
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公开(公告)号：CN114978243A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210531401.4
申请日：2022-05-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及通信领域，公开一种多模通信设备组网方法、通信方法及其系统、设备和芯片。所述组网方法包括：向入网节点发送关于其与待入网节点之间的可用通信模式的应答信息，该可用通信模式被划分为多个集合，每个集合中的模式彼此不兼容且不同集合中的模式兼容；及通过组网协商过程在满足预设协商结果时将基于应答信息选择的每个集合中的最优模式锁定为所述两个节点间的握手信息，以由入网节点根据握手信息上报相应路由信息，以供根节点更新组网路由信息，其中从每个集合中最多选择一个最优模式，得到多个最优模式，该多个最优模式在同一时刻被采用，本发明可确定任意相邻两层节点之间的多个相互兼容的最优模式，从而确保组网后高质量的通信性能。
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公开(公告)号：CN114414999A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210184553.1
申请日：2022-02-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片工艺角检测电路、方法和芯片，该电路包括：对称振荡环RO及至少两个非对称振荡环ARO1和ARO2；所述对称振荡环RO，用于根据振荡次数检测所述芯片的SS、TT、FF工艺角，所述振荡次数是通过所述对称振荡环RO对应的计数单元获取；所述非对称振荡环ARO1和所述非对称振荡环ARO2，用于根据振荡次数检测所述芯片的FS、SF工艺角，所述振荡次数是通过所述非对称振荡环ARO1和所述非对称振荡环ARO2分别对应的计数单元获取。该电路增大了工艺角检测范围和工艺角检测的温度范围，提高了检测精度。
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