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公开(公告)号：CN107305862B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201710256641.7
申请日：2017-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本案揭露一种集成电路及其制造方法。本案提供一集成电路实例，此集成电路具有含金属切割的高阶二维金属连接，且提供制造此集成电路的方法。用于制造集成电路的导电互连层的示例性方法可包含：通过使用远紫外线微影术在集成电路的导电互连层上图案化导电连接件部分，其中导电连接件部分经图案化以横穿集成电路的不同层中的多个半导体结构而延伸；及将导电连接件部分切割为多个导电连接件段，其中导电连接件部分是通过从半导体结构之间的金属连接件部分的一或更多个位置上移除导电材料而切割的。本案的制造方法透过远紫外线微影术图案化导电连接件部分及移除导电材料切割导电连接件部分，如此使金属连接制程在单个半导体层上提供金属互连装置。
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公开(公告)号：CN113314160A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110181262.2
申请日：2021-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 揭示集成电路中的一个单元。在一个实施例中，将不同金属层用于可操作以连接至电压源以供应不同电压信号的电力条带，此允许电力条带中的一些或全部具有一较大宽度。另外或替代地，将较少金属条带用于金属层中的信号以允许彼金属层中的电力条带具有一较大宽度。较大宽度反而使电力条带的总面积增大以减小电力条带上的IR压降。各种电源绕线包括将一个金属层中的金属柱连接至另一金属层中的电力条带，及延长一个金属层中的一金属条带以提供至另一金属层中的电力条带的额外连接。
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公开(公告)号：CN113206080A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110407791.X
申请日：2021-04-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 集成电路包括具有前侧和背侧的条结构。栅极结构位于条结构的前侧上。该集成电路包括位于条结构的前侧之上的多个沟道层，其中多个沟道层中的每个包围在栅极结构内。隔离结构围绕条结构。集成电路包括位于隔离结构中的背侧通孔。外延结构位于条结构的前侧上。集成电路包括位于外延结构上方的接触件。接触件具有位于外延结构的第一侧上的第一部分。接触件的第一部分延伸至隔离结构中并且接触背侧通孔。该集成电路包括位于条结构的背侧上并且接触背侧通孔的背侧电源轨。本发明的实施例还涉及集成电路的形成方法。
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公开(公告)号：CN113130440A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010313053.4
申请日：2020-04-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/50 , H01L23/528
Abstract: 本文揭示是关于一种具有有效布局的双电力结构的集成电路。在一个态样中，集成电路包括基板、面向基板的第一层、及面向第一层的第二层。在一个态样中，第一层包括第一金属轨集合，其中第一金属轨集合的每一者可根据沿着一方向的相同节距与第一金属轨集合中的其相邻第一金属轨分离。在一个态样中，第二层包括第二金属轨集合，其中第二金属轨集合可包括根据沿着此方向的第一节距分离的两个相邻第二金属轨及根据沿着此方向的第二节距分离的额外两个相邻第二金属轨。
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公开(公告)号：CN107798158B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201710732995.4
申请日：2017-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392
Abstract: 本发明公开了一种制造集成电路的布局设计的形成方法。该方法包括基于设计标准生成集成电路的第一布局，生成集成电路的标准单元布局，基于第一布局和标准单元布局生成集成电路的通孔颜色布局，并基于设计规则对通孔颜色布局实施颜色检查。第一布局具有布置为多个第一行和多个第一列的第一组通孔。标准单元布局包括标准单元和布置在标准单元中的第二组通孔。通孔颜色布局包括第三组通孔。第三组通孔包括第二组通孔的部分和对应的位置，以及对应的通孔子组的颜色。本发明还公开了制造集成电路的布局设计的系统及计算机可读介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113053881A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110046250.9
申请日：2021-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体结构包括：掩埋电源轨，设置在水平面中的第一方向上延伸的衬底上的第一鳍结构和第二鳍结构之间，第一鳍结构位于第一单元中，第二鳍结构位于第二单元中，第二单元在沿第一方向延伸的边界线处与第一单元邻接，掩埋电源轨提供第一电压；以及金属一(M1)金属轨道，设置在水平面中的在第二方向上延伸的M1层中。在掩埋电源轨和M1金属轨的相交处，该半导体结构还包括导电路径以向M1金属轨道提供第一电压，该导电路径具有在边界线上方沿第一方向延伸的第一金属零(M0)金属轨道。根据本申请的其他实施例，还提供了集成电路芯片和制造半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN108231733B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201711064077.5
申请日：2017-11-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体元件，包括至少一第一栅极带、至少一第二栅极带、至少一第一导电线和至少一第一导电通孔。此至少一第一栅极带的一端表面和此至少一第二栅极带的一端表面彼此相对。此至少一第一导电线在此至少一第一栅极带和此至少一第二栅极带上方并且跨此至少一第一栅极带的此端表面和此至少一第二栅极带的此端表面。此至少一第一导电通孔连接此至少一第一导线与此至少一第一栅极带。
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公开(公告)号：CN110970417A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910927018.9
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/092
Abstract: 一种集成电路包含沿第一方向延伸的主动区域、与沿垂直于第一方向的第二方向延伸的间隙壁。间隙壁凸伸于基材中且将主动区域分成第一部分与第二部分。集成电路包含第一导电部与第二导电部均沿第二方向延伸且位于基材与金属层之间的中间层中。第一导电部与主动区域的第一部分中的第一晶体管的主动区形成导电接触，第二导电部与主动区域的第二部分中的第二晶体管的主动区形成导电接触。间隙壁连接第一导电部与第二导电部，而电性隔离第一导电部与第二导电部。
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公开(公告)号：CN107798158A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710732995.4
申请日：2017-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G06F17/5072
Abstract: 本发明公开了一种制造集成电路的布局设计的形成方法。该方法包括基于设计标准生成集成电路的第一布局，生成集成电路的标准单元布局，基于第一布局和标准单元布局生成集成电路的通孔颜色布局，并基于设计规则对通孔颜色布局实施颜色检查。第一布局具有布置为多个第一行和多个第一列的第一组通孔。标准单元布局包括标准单元和布置在标准单元中的第二组通孔。通孔颜色布局包括第三组通孔。第三组通孔包括第二组通孔的部分和对应的位置，以及对应的通孔子组的颜色。本发明还公开了制造集成电路的布局设计的系统及计算机可读介质。
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公开(公告)号：CN107305862A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201710256641.7
申请日：2017-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/76883 , H01L21/76892 , H01L23/5226 , H01L27/0207 , H01L29/4916 , H01L21/768
Abstract: 本案揭露一种集成电路制造方法。本案提供一集成电路实例，此集成电路具有含金属切割的高阶二维(2D)金属连接，且提供制造此集成电路的方法。用于制造集成电路的导电互连层的示例性方法可包含：通过使用远紫外线(extreme ultraviolet；EUV)微影术在集成电路的导电互连层上图案化导电连接件部分，其中导电连接件部分经图案化以横穿集成电路的不同层中的多个半导体结构而延伸；及将导电连接件部分切割为多个导电连接件段，其中导电连接件部分是通过从半导体结构之间的金属连接件部分的一或更多个位置上移除导电材料而切割的。
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