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公开(公告)号：CN111115554A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911036102.8
申请日：2019-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，提供一种传感器。所述传感器包括：微机电系统(MEMS)衬底，设置在集成芯片(IC)之上，其中集成芯片界定第一空腔的下部部分及第二空腔的下部部分，且其中第一空腔具有与第二空腔的操作压力不同的第一操作压力。顶盖衬底设置在微机电系统衬底之上，其中顶盖衬底的第一对侧壁局部地界定第一空腔的上部部分，且顶盖衬底的第二对侧壁局部地界定第二空腔的上部部分。传感器区域及虚设区域二者设置在第一空腔中，传感器区域包括微机电系统衬底的能够移动的部分，虚设区域包括微机电系统衬底的固定部分。压力增强结构设置在虚设区域中。
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公开(公告)号：CN110872098A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910279019.7
申请日：2019-04-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及微机电系统装置。一种微机电系统装置包含：第一层及第二层，其包含相同材料；第三层，其放置于所述第一层与所述第二层之间；第一气隙，其分隔开所述第一层与所述第三层；第二气隙，其分隔开所述第二层与所述第三层；多个第一柱，所述多个第一柱暴露于所述第一气隙且被布置成与所述第一层及所述第三层接触；多个第二柱，所述多个第二柱暴露于所述第二气隙且被布置成与所述第二层及所述第三层接触。
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公开(公告)号：CN110015632A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811446622.1
申请日：2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种传感器件包括微机电系统(MEMS)力传感器和电容式加速传感器。在制造传感器件的方法中，在第一衬底的前表面上方准备MEMS力传感器的传感器部分。传感器部分包括压阻式元件和前电极。在第一衬底的后表面上形成底部电极和第一电极。具有电极焊盘和第二电极的第二衬底附接至第一衬底的底部，从而使得底部电极连接至电极焊盘，并且第一电极面对第二电极，其中，在第一电极和第二电极之间具有间隔。本发明实施例涉及传感器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN106241726B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201510852244.7
申请日：2015-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/12 , B81B2203/0127 , B81C1/00238 , H01L27/14692 , H01L27/20
Abstract: 在一些实施例中，本发明提供了MEMS封装件。MEMS封装件包括MEMS IC，MEMS IC包括MEMS衬底、设置在MEMS衬底上方的介电层和设置在介电层上方的压电层。介电层包括由介电材料制成的柔性膜片，以及压电层包括位于柔性膜片上方的压电开口。CMOS IC包括CMOS衬底和电互连结构。CMOS IC接合至MEMS IC，因此电互连结构接近压电层并且因此CMOS IC包围位于柔性膜片上方的后腔。在电互连结构和压电层之间设置支撑层。支撑层具有设置在与柔性膜片垂直对准的位置处并且是部分后腔的支撑层开口。本发明的实施例还涉及MEMS封装技术。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104614430B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201410120539.0
申请日：2014-03-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N33/54373
Abstract: 本发明提供了一种诸如FET感测单元的器件，该器件包括位于衬底上方的第一介电层，位于第一介电层上方的有源层，位于有源层中的源极区，位于有源层中的漏极区，在有源层中介于源极区和漏极区之间的沟道区，位于沟道区上方的感测膜，位于有源层上方的第二介电层，其中，在第二介电层中形成开口并且感测膜位于开口内，位于第二介电层内的第一电极以及位于第二介电层的上方并延伸到开口中的流体栅极区。本发明还提供了通过调节感测值提高器件灵敏度的方法。
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公开(公告)号：CN107176587A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201611039292.5
申请日：2016-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/0006 , B81B7/0051 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81C1/00246 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181 , B81C2201/112 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , B81C1/00261
Abstract: 本发明涉及一种制造微机电系统MEMS装置的方法，该方法包含：在衬底上方沉积绝缘材料；在所述绝缘材料的第一组层中形成导电通路；及在所述绝缘材料的第二组层中形成金属结构。所述第一组层与所述第二组层交替地交错。提供虚拟绝缘层作为所述第一组层的最上部层。蚀刻所述第一组层及所述第二组层的部分以在所述绝缘材料中形成空隙区域。在所述绝缘材料的顶部表面上及其中形成导电垫。利用囊封结构密封所述空隙区域。所述囊封结构的至少一部分横向邻近所述虚拟绝缘层，且位于所述导电垫的顶部表面上面。执行蚀刻以移除所述虚拟绝缘层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN107055462A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611032419.0
申请日：2016-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2207/015 , B81C1/00158 , B81C1/00182 , B81C1/00873 , B81C2201/014 , B81C2201/056 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00 , B81C1/00015 , B81B7/02
Abstract: 本发明提供一种微机电系统结构和其制造方法。所述方法包含以下操作。接收装置衬底，所述装置衬底具有彼此对置的第一表面和第二表面。接收载体衬底，所述载体衬底具有彼此对置的第三表面和第四表面。在所述载体衬底的所述第三表面与所述装置衬底的所述第二表面之间，形成中间层。将所述装置衬底的所述第二表面附接到所述载体衬底的所述第三表面。从所述第一表面薄化所述装置衬底。在所述装置衬底的所述第一表面上方，形成装置。从所述第四表面图案化所述载体衬底与所述装置衬底，以在所述载体衬底、所述中间层、以及所述装置衬底中，形成空腔。
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公开(公告)号：CN106959324A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201610867497.6
申请日：2016-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/12
CPC classification number: C23F4/00 , G01N27/128 , G01N33/0075 , G01N27/12
Abstract: 本发明的一些实施例提供了一种物联网中的气体传感器。气体传感器包括：衬底；设置在衬底的上方的导体；以及设置在导体的上方的感测膜。导体具有包括多个开口的顶视图图案，开口的最小尺寸小于约4微米，并且周界围绕开口。本发明的一些实施例提供了一种制造气体传感器的方法。该方法包括接收衬底；在衬底的上方形成导体；通过蚀刻操作来图案化导体以在导体中形成多个开口，以及在导体上方形成气体感测膜。开口以重复图案布置，并且开口的最小尺寸为大约4微米。
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