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公开(公告)号：CN106467287B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201510755259.1
申请日：2015-11-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B7/0077 , B81B2203/04 , B81B2207/07
摘要： 本发明的一些实施例提供了一种微机电系统(MEMS)。该MEMS包括半导体块。半导体块包括突出结构。突出结构包括底面。半导体块包括感测结构。半导体衬底包括导电区域。导电区域包括位于感测结构下方的第一表面。第一表面与底面基本共面。介电区域包括未设置在第一表面上方的第二表面。本发明还提供一种制造微机电系统(MEMS)的方法。
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公开(公告)号：CN107010592A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610836383.5
申请日：2016-09-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00182 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81B7/02 , B81B2201/00 , B81C1/00134
摘要： 本发明的实施例提供了一种CMOS MEMS器件。该CMOS MEMS器件包括第一衬底、第二衬底、第一多晶硅以及第二多晶硅。第二衬底包括可移动部分，并且位于第一衬底上方。第一多晶硅穿透第二衬底且与第二衬底的可移动部分的第一侧邻近。第二多晶硅穿透第二衬底且与第二衬底的可移动部分的第二侧邻近。本发明的实施例还提供了一种制造CMOS‑MEMS器件结构的方法。
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公开(公告)号：CN107176587B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201611039292.5
申请日：2016-11-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明涉及一种制造微机电系统MEMS装置的方法，该方法包含：在衬底上方沉积绝缘材料；在所述绝缘材料的第一组层中形成导电通路；及在所述绝缘材料的第二组层中形成金属结构。所述第一组层与所述第二组层交替地交错。提供虚拟绝缘层作为所述第一组层的最上部层。蚀刻所述第一组层及所述第二组层的部分以在所述绝缘材料中形成空隙区域。在所述绝缘材料的顶部表面上及其中形成导电垫。利用囊封结构密封所述空隙区域。所述囊封结构的至少一部分横向邻近所述虚拟绝缘层，且位于所述导电垫的顶部表面上面。执行蚀刻以移除所述虚拟绝缘层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN107176587A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201611039292.5
申请日：2016-11-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81B7/0006 , B81B7/0051 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81C1/00246 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181 , B81C2201/112 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , B81C1/00261
摘要： 本发明涉及一种制造微机电系统MEMS装置的方法，该方法包含：在衬底上方沉积绝缘材料；在所述绝缘材料的第一组层中形成导电通路；及在所述绝缘材料的第二组层中形成金属结构。所述第一组层与所述第二组层交替地交错。提供虚拟绝缘层作为所述第一组层的最上部层。蚀刻所述第一组层及所述第二组层的部分以在所述绝缘材料中形成空隙区域。在所述绝缘材料的顶部表面上及其中形成导电垫。利用囊封结构密封所述空隙区域。所述囊封结构的至少一部分横向邻近所述虚拟绝缘层，且位于所述导电垫的顶部表面上面。执行蚀刻以移除所述虚拟绝缘层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN106467287A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510755259.1
申请日：2015-11-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B7/0077 , B81B2203/04 , B81B2207/07
摘要： 本发明的一些实施例提供了一种微机电系统(MEMS)。该MEMS包括半导体块。半导体块包括突出结构。突出结构包括底面。半导体块包括感测结构。半导体衬底包括导电区域。导电区域包括位于感测结构下方的第一表面。第一表面与底面基本共面。介电区域包括未设置在第一表面上方的第二表面。本发明还提供一种制造微机电系统(MEMS)的方法。
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公开(公告)号：CN104340953A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310482360.5
申请日：2013-10-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B7/02 , B81C2203/0714
摘要： 本发明提供了一种用于形成MEMS器件的方法。该方法包括以下步骤：提供具有第一部分和第二部分的衬底；在衬底的第一部分上制造膜式传感器；以及在衬底的第二部分上制造体硅传感器。本发明还提供了一种MEMS器件。
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