-
公开(公告)号：CN104296799B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410601932.1
申请日：2014-10-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2203/0109 , B81B2203/0127 , B81C1/00142 , B81C1/00158 , B81C2201/013 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181 , C23C14/0605 , C23C14/0617 , C23C14/14 , C23C14/34 , F24S25/30 , F24S25/636 , F24S2025/016 , F24S2025/801 , F24S2025/807 , G01F1/56 , G01J1/42 , H02S20/00 , Y02E10/47 , Y02E10/50
摘要： 本发明涉及传感器制造技术领域，公开了一种微型传感器本体及其制造方法，包括以下步骤：S1：在基板上涂布湿润胶体材料形成胶体层，在胶体层的表面覆盖一层一维纳米线膜，形成传感器胚体；S2：干燥传感器胚体的胶体层，使胶体层开裂形成多个胶体岛，一维纳米线膜一部分收缩形成粘附在胶体岛表面的收缩膜片，另一部分拉伸形成连接在相邻收缩膜片之间的连接结构。本发明的传感器本体中，收缩膜片与连接结构由一维纳米线膜抻拉而成，两者连接稳定性好，提高传感器件的稳定性；使用裂化的方法，容易获得大规模稳定悬浮的连接结构阵列传感器本体。本发明还提供一种传感器。
-
公开(公告)号：CN103813974A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201280045191.2
申请日：2012-08-03
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81B3/0086 , B81B3/0008 , B81C2201/0169 , B81C2201/017 , B81C2201/0176
摘要： 在一个实施例中，一种形成MEMS装置的方法包括：提供基体；在基体层之上形成牺牲层；在牺牲层上形成硅基工作部分；从牺牲层释放所述硅基工作部分，使得工作部分包括至少一个暴露外表面；在硅基工作部分的所述至少一个暴露外表面上形成第一层硅化物形成金属；以及利用第一层硅化物形成金属形成第一硅化物层。
-
公开(公告)号：CN102815659A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210010820.X
申请日：2012-01-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00269 , B81C1/00579 , B81C2201/0111 , B81C2201/014 , B81C2201/0176 , B81C2203/0118 , B81C2203/019
摘要： 本发明提供了一种微电子机械系统(MEMS)结构的实施例，该MEMS结构包括MEMS衬底；在该MEMS衬底上设置的半导体材料的第一导电塞和第二导电塞，其中第一导电塞被配置为用于电互连，以及第二导电塞被配置为抗静摩擦力凸块；被配置在该MEMS衬底上并与第一导电塞电连接的MEMS器件；以及盖顶衬底，该盖顶衬底接合至该MEMS衬底，从而该MEMS器件被封闭在MEMS衬底和盖顶衬底之间。本发明还提供了一种具有可移动部件的半导体器件及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN101277897A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200680036330.X
申请日：2006-11-02
申请人： 卡文迪什动力有限公司
CPC分类号： H01H59/0009 , B81C1/0015 , B81C2201/014 , B81C2201/0176 , G11C23/00 , H01H51/12
摘要： 本发明提供一种非易失性存储器装置和制造非易失性微机电存储器单元的方法。所述方法包含通过使用原子层沉积在衬底上沉积第一牺牲材料层的第一步骤。所述方法的第二步骤是在所述第一牺牲材料层的至少一部分上方提供悬臂(101)。第三步骤是通过使用原子层沉积在所述第一牺牲材料层上方和所述悬臂的一部分上方沉积第二牺牲材料层，使得所述悬臂的一部分由牺牲材料包围。第四步骤是提供又一材料层(107)，其覆盖所述第二牺牲材料层的至少一部分。最终，最后步骤是蚀刻掉包围所述悬臂的所述牺牲材料，进而界定其中悬置所述悬臂的空腔(102)。
-
公开(公告)号：CN107757127A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201711041824.3
申请日：2017-10-30
申请人： 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
CPC分类号： B41J2/14 , B41J2/1621 , B41J2/1626 , B41J2/1631 , B41J2/1642 , B41J2002/14483 , B41J2202/22 , B81C1/00373 , B81C2201/0176
摘要： 本发明涉及一种喷头结构、喷头结构的制备方法及微机电喷墨打印头，该喷头结构通过在墙体内形成压力空腔，在墙体的外表面上形成喷孔，又墙体包括中间体和附着在中间体上的介质膜，从而提高了压力空腔表面的平整度，进而降低了喷孔表面墨水或微粒等污染物聚集的几率，另外，其形成的墙体稳固性强，可提高微机电喷墨打印头的可靠性；该喷头结构的制备方法通过在所形成的中间体上覆盖第一保护层，从而使得所制得的喷头结构形貌好、一致性高，提高了压力空腔表面的平整度，降低了喷孔表面墨水或微粒等污染物聚集的几率，其具有较高的稳固性，可提高微机电喷墨打印头的可靠性，且该方法与MEMS技术兼容，可用于批量化生产。
-
公开(公告)号：CN107084817A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710073064.8
申请日：2017-02-10
申请人： 精工爱普生株式会社
发明人： 田中信幸
IPC分类号： G01L19/06
CPC分类号： G01L19/14 , B81B7/0058 , B81B7/0061 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81C1/00333 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181 , G01L7/08 , G01L19/06
摘要： 本发明提供一种能够容易地赋予防水性能的防水部件、防水部件的制造方法、压力传感器及电子模块。防水部件(1)具有：层压体(2)，其具备第二硅层(23)以及第二氧化硅层(24)；贯穿孔(3)，其被设置在层压体(2)上，并阻止液体的通过且容许气体的通过，贯穿孔(3)具有第一贯穿孔(31)和第二贯穿孔(32)，第一贯穿孔(31)贯穿第二硅层(23)，第二贯穿孔(32)贯穿第二氧化硅层(24)且与第一贯穿孔(31)连通，第二贯穿孔(32)的宽度与第一贯穿孔(31)的宽度相比较小。
-
公开(公告)号：CN107032290A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611195878.0
申请日：2016-12-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/09 , B81C2203/0109 , B81C2203/0172 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2224/80805 , H01L2224/81805 , B81C1/00365 , B81C1/0038 , B81C2201/0174 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181
摘要： 本发明实施例提供了一种MEMS器件及其形成方法。图案化第一衬底的介电层以通过介电层暴露导电部件和底部层。将第二衬底的第一表面接合至介电层并且图案化介电层以形成膜和可移动元件。将覆盖晶圆接合至第二衬底，在将覆盖晶圆接合至第二衬底的位置形成包括可移动元件的第一密封腔并且第二密封腔以膜部分地为界。去除覆盖晶圆的部分以将第二密封腔暴露于环境压力。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法，更具体地涉及微机电器件及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN105593157A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480054613.1
申请日：2014-09-15
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 迈克·雷诺
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0038 , B81C1/00801 , B81C2201/0108 , B81C2201/0176 , B81C2201/053
摘要： 本发明总体涉及形成MEMS器件的方法以及通过该方法形成的MEMS器件。在形成MEMS器件时，在腔体内围绕开关元件沉积牺牲材料。所述牺牲材料最终被移除以释放腔内的开关元件。所述开关元件具有在其之上的薄介电层以阻止蚀刻剂与该开关元件的导电材料相互作用。在制造过程期间，介电层被沉积在牺牲材料之上。为了确保介电层和牺牲材料之间的良好粘附，在将介电层沉积在牺牲材料上之前在牺牲材料上沉积富含硅的氧化硅层。
-
公开(公告)号：CN104215236A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201310221698.5
申请日：2013-06-05
申请人： 中国科学院地质与地球物理研究所
IPC分类号： G01C19/574 , G01C19/5769
CPC分类号： G01C19/5769 , B81B3/0048 , B81B2201/0242 , B81B2203/0118 , B81B2203/0136 , B81C1/00531 , B81C2201/0132 , B81C2201/0159 , B81C2201/0176 , B81C2203/0118 , G01C19/574 , G01C19/5747
摘要： 一种MEMS反相振动陀螺仪，包括：测量体、与所述测量体相连接的上盖板以及下盖板；所述测量体为两个，沿垂直方向相对连接，每个所述测量体包括外框架、位于所述外框架内的内框架以及位于所述内框架内的质量块；两个所述测量体之间通过所述外框架相连接；所述外框架与所述内框架之间通过第一弹性梁相连接；所述质量块与所述内框架通过所述第二弹性梁相连接；所述内框架与所述外框架之间的相对边设置有梳状耦合结构；两个所述质量块在垂直方向上以相反方向振动，本发明通过测量所述梳状耦合结构之间的电容变化来测量旋转角速度。本发明具有检测灵敏度高、耦合能耗小、噪声小等特点。
-
公开(公告)号：CN107176587A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201611039292.5
申请日：2016-11-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81B7/0006 , B81B7/0051 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81C1/00246 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181 , B81C2201/112 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , B81C1/00261
摘要： 本发明涉及一种制造微机电系统MEMS装置的方法，该方法包含：在衬底上方沉积绝缘材料；在所述绝缘材料的第一组层中形成导电通路；及在所述绝缘材料的第二组层中形成金属结构。所述第一组层与所述第二组层交替地交错。提供虚拟绝缘层作为所述第一组层的最上部层。蚀刻所述第一组层及所述第二组层的部分以在所述绝缘材料中形成空隙区域。在所述绝缘材料的顶部表面上及其中形成导电垫。利用囊封结构密封所述空隙区域。所述囊封结构的至少一部分横向邻近所述虚拟绝缘层，且位于所述导电垫的顶部表面上面。执行蚀刻以移除所述虚拟绝缘层的至少一部分。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
30 条记录 (耗时 0.011 秒)
