公开(公告)号：CN106575568B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201580040150.8

申请日：2015-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 真田直幸 ,  樱田新哉 ,  堀内阳介 ,  萩原将也 ,  远藤将起 ,  寺田贵洋 ,  近冈秀男

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/055 ,  H01F1/08

CPC classification number: H01F41/0266 ,  B22F3/003 ,  B22F3/16 ,  B22F3/24 ,  B22F2003/248 ,  B22F2301/355 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C21D1/00 ,  C21D1/26 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/10 ,  C22C38/14 ,  C22C38/16 ,  F27B5/04 ,  F27B5/13 ,  F27D15/02 ,  H01F1/0536 ,  H01F1/0557 ,  H01F1/0596 ,  H02K1/02 ,  H02K1/276 ,  H02K1/2766 ,  H02K15/03 ,  H02K21/00 ,  B22F3/087 ,  B22F3/10 ,  B22F2203/03 ,  B22F2203/11 ,  B22F2202/05

Abstract: 本发明提供高性能的永久磁铁。本发明中，进行熔体化处理，其具备：在温度TST下进行热处理的工序，和将具有第一层和设于第一层上的第二层的冷却构件配置在加热体和被处理体之间、以使第一层位于被处理体侧的工序，和将被处理体与冷却构件一起搬出至加热室的外部、对被处理体进行冷却，以使被处理体的温度达到比温度TST‑200℃低的温度的工序。在冷却被处理体的工序中，被处理体的温度达到温度TST‑200℃为止的冷却速度为5℃/s以上。

公开(公告)号：CN108092422A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201710819001.2

申请日：2017-09-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 冈本佳子 ,  堀内阳介 ,  樱田新哉 ,  松下真琴 ,  高桥则雄 ,  长谷部寿郎 ,  德增正

IPC: H02K1/02 ,  H01F1/055

CPC classification number: H01F1/0557 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C1/02 ,  C22C19/07 ,  C22C30/00 ,  C22C38/005 ,  C22C38/10 ,  C22C38/14 ,  C22C38/16 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/086 ,  H01F41/0266 ,  B22F9/04 ,  B22F9/082 ,  B22F2009/043 ,  B22F3/02 ,  B22F3/1007 ,  B22F2202/05 ,  B22F2201/10 ,  H02K1/02 ,  H02K2213/03

Abstract: 本发明的永久磁铁以组成式：RpFeqMrCutCo100-p-q-r-t表示，具有包含基质的晶粒和晶界相。基质包括具有Th2Zn17型晶相的胞相，将胞相分割开的胞壁相，多个Cu高浓度相。多个Cu高浓度相相对于基质的面积比例在0.2％以上5.0％以下。在以多个Cu高浓度相中的至少一个Cu高浓度相的重心为中心的半径3μm的圆内分布有平均3个以上15个以下的其它Cu高浓度相。

公开(公告)号：CN105723476B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201480002273.8

申请日：2014-09-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 堀内阳介 ,  樱田新哉 ,  萩原将也 ,  小林刚史 ,  小林忠彦 ,  真田直幸

IPC: H01F1/055 ,  H01F1/08

CPC classification number: C22C19/07 ,  C22C30/00 ,  C22C30/02 ,  H01F1/0557 ,  H02K1/02

Abstract: 本发明提供高性能的永磁体。包括烧结体，该烧结体具备:以组成式:RpFeqMrCutCo100‑p‑q‑r‑t来表示、且含有50质量ppm以上1500质量ppm以下的碳的组成；以及包含具有Th2Zn17型晶相的主相以及具有组成式中的元素M的碳化物相的副相在内的金属组织。在通过烧结体的X射线衍射测定而得到的X射线衍射图案中，37.5度以上38.5度以下范围的角度2θ处的衍射峰的最大强度(I2)与32.5度以上33.5度以下范围的角度2θ处的衍射峰的最大强度(I1)的比(I2/I1)大于25且在80以下。

公开(公告)号：CN107785140A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710730576.7

申请日：2017-08-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 萩原将也 ,  山下知大 ,  真田直幸 ,  堀内阳介 ,  樱田新哉

IPC: H01F1/055 ,  H01F1/057 ,  H01F1/058 ,  H01F1/059 ,  H02K1/02

CPC classification number: H01F1/055 ,  H01F1/0557 ,  H01F1/0558 ,  H01F1/0577 ,  H01F1/0578 ,  H01F1/058 ,  H01F1/059 ,  H02K1/02

Abstract: 本发明提高磁铁材料的饱和磁化强度。磁铁材料是以组成式：(R1-xYx)aMbTcAd表示的磁铁材料，具有由ThMn12型晶相构成的主相。组成式的M元素的30原子％以上是Fe。

公开(公告)号：CN105122388B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201480002274.2

申请日：2014-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 堀内阳介 ,  樱田新哉 ,  冈本佳子 ,  萩原将也 ,  小林刚史 ,  远藤将起 ,  小林忠彦 ,  真田直幸

IPC: H01F1/055 ,  B22F3/00 ,  B22F3/24 ,  C22C19/07 ,  C22C30/02 ,  C22F1/00 ,  C22F1/18 ,  H01F1/08

CPC classification number: H01F1/055 ,  B22F9/08 ,  B22F2009/041 ,  B22F2009/043 ,  B22F2009/044 ,  B22F2009/048 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C1/0441 ,  C22C19/07 ,  C22C30/02 ,  H01F1/0551 ,  H01F1/0557 ,  H01F7/0226 ,  H02K1/02 ,  B22F9/04 ,  B22F3/02 ,  B22F3/1017 ,  B22F3/1028 ,  B22F2003/248 ,  B22F2202/05

Abstract: 本发明提供高性能的永磁体。具备：以组成式：RpFeqMrCutCo100‑p‑q‑r‑t(式中，R是从稀土类元素中选出的至少一种元素，M是从由Zr、Ti和Hf所构成的组中选出的至少一种元素，p是满足10.5≤p≤12.5原子％的数，q是满足23≤q≤40原子％的数，r是满足0.88≤r≤4.5原子％的数，t是满足3.5≤t≤10.7原子％的数)来表示的组成；以及金属组织，该金属组织包含具有Th2Zn17型晶相的晶胞相、及Cu浓度比晶胞相要高的富Cu相。晶胞相的平均直径在220nm以下，在晶胞相的最小直径到最大直径的数值范围中，直径在最大直径起到小于上位20％的数值范围以内的晶胞相的个数比例占全部晶胞相的20％以下。

公开(公告)号：CN107430916A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201580077551.0

申请日：2015-09-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 堀内阳介 ,  樱田新哉 ,  真田直幸

IPC: H01F1/055 ,  H01F1/08

Abstract: 本发明提供高性能的永久磁铁。该永久磁铁具备组成式：(R1-xAx)pFeqMrCutCo100-p-q-r-t所表示的组成和包含具有Th2Zn17型结晶相的主相的金属组织。构成主相的多个晶粒的各自的Fe浓度为28原子％以上。多个晶粒间的A元素的浓度差为0.2原子％以上3.0原子％以下。

公开(公告)号：CN106356173A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610549772.X

申请日：2016-07-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 堀内阳介 ,  樱田新哉 ,  松下真琴 ,  高桥则雄 ,  长谷部寿郎 ,  木内宏彰 ,  徳增正

IPC: H01F1/053

CPC classification number: H01F1/0536 ,  B22F3/10 ,  B22F3/24 ,  B22F2003/248 ,  C22C19/07 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0557

Abstract: 本发明抑制了进行从低速旋转至高速旋转的可变速驱动的旋转电机的输出功率的降低。本发明的永久磁石具有包含选自稀土类元素中的至少一种元素的组成。剩余磁化强度在1.16T以上。M-H曲线上的矫顽力Hcj在1000kA/m以上。B-H曲线上的回复磁导率在1.1以上。

公开(公告)号：CN106062898A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580011348.3

申请日：2015-03-14

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 萩原将也 ,  樱田新哉 ,  堀内阳介 ,  小林忠彦 ,  小林刚史 ,  远藤将起 ,  真田直幸 ,  冈村正巳 ,  沢孝雄 ,  布施圭一 ,  土生悟

IPC: H01F1/055 ,  C22C19/07 ,  C22C30/02 ,  H01F1/08 ,  H01F41/02 ,  H02K1/27 ,  H02K15/03 ,  B22F3/00 ,  C22C1/04

CPC classification number: C22C30/02 ,  B22F5/00 ,  C22C1/0441 ,  C22C19/07 ,  C22C21/06 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0536 ,  H01F1/0557 ,  H01F1/0596 ,  H01F1/086 ,  H01F7/0226 ,  H02K1/02

Abstract: 本发明的实施方式的永久磁铁具有以组成式：R(FepMqCurCtCo1‑p‑q‑r‑t)z表示的组成，以及包括主相和副相的金属组织，所述主相包含Th2Zn17型晶相，所述副相是具有30原子％以上的M元素浓度的M元素的副相。M元素的副相在金属组织中析出。M元素的副相的周长相对于析出面积的比值在1以上10以下。以上的组成式中，R是选自稀土元素的至少一种元素，M是选自Ti、Zr和Hf的至少一种元素，0.27≤p≤0.45，0.01≤q≤0.05，0.01≤r≤0.1，0.002≤t≤0.03，6≤z≤9。

公开(公告)号：CN103839652B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310585251.6

申请日：2013-11-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 堀内阳介 ,  樱田新哉 ,  冈本佳子 ,  萩原将也 ,  小林刚史 ,  远藤将起 ,  小林忠彦

IPC: H01F7/02 ,  H01F1/053

CPC classification number: H01F1/01 ,  C22C38/005 ,  H01F1/0557

Abstract: 本发明提供了一种包括烧结体的永磁体，该烧结体具有由如下组成式所表示的成分：Rp1Feq1Mr1Cus1Co100-p1-q1-r1-s1（R是稀土元素，M是从Zr、Ti、及Hf中选出的至少一种元素，10原子%≤p1≤13.3原子%，25原子%≤q1≤40原子%，0.88原子%≤r1≤5.4原子%，及3.5原子%≤s1≤13.5原子%）。该烧结体包括：晶粒，每个晶粒由包括Th2Zn17晶相的主相组成；以及富Cu相，该富Cu相的成分中具有较高的Cu浓度，且厚度在0.05μm以上、2μm以下。

公开(公告)号：CN105449019A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510602894.6

申请日：2015-09-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中川直之 ,  芝崎聪一郎 ,  平贺广贵 ,  齐藤仁美 ,  山崎六月 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/043 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0392 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/036 ,  H01L31/042 ,  H01L31/1876

Abstract: 实施方式的目的在于提高光电转换元件的剥离耐性。实施方式涉及光电转换元件、太阳能电池以及光电转换元件的制造方法。所述光电转换元件至少具有基板、在基板上具有电极层和界面中间层的下部电极、以及在界面中间层上形成的光吸收层；界面中间层是由电极层中含有的Mo或者W、和选自S、Se以及Te之中的至少1种元素X构成的化合物薄膜；在界面中间层中，具有结晶相和覆盖结晶相的非晶相。