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公开(公告)号：CN118392608A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410499067.8
申请日：2024-04-24
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种重掺杂n型碳化硅晶片的腐蚀装置及位错检测方法。本发明将所述重掺杂n型碳化硅晶片置于所述腐蚀剂中，并利用所述电源对所述重掺杂n型碳化硅晶片和所述电极施加电压，使得所述电极、所述腐蚀剂、所述重掺杂n型碳化硅晶片之间形成通路，从而在所述重掺杂n型碳化硅晶片表面发生电化学腐蚀，将电化学腐蚀与所述腐蚀剂的化学腐蚀相结合的方式作用在所述重掺杂n型碳化硅晶片表面，本发明既可以提高碳化硅晶片位错腐蚀效率，又能够通过腐蚀坑形貌和大小明确区分TSD、TED、BPD不同位错类型，从而反应晶片的真实位错密度。
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公开(公告)号：CN114197056B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202210044062.7
申请日：2022-01-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料退火装置及退火方法，涉及半导体制造技术领域，其中，一种半导体材料退火装置，包括：转移室，转移室内设有载样台，转移室上活动设有样品传送装置；第一加热室，第一加热室与转移室相连通；第二加热室，第二加热室与转移室相连通；冷却室，冷却室与转移室相连通；旋转升降机构，旋转升降机构与载样台相连接，旋转升降机构用于带动载样台并带着样品在第一加热室、第二加热室和冷却室之间进行转换。本申请的退火装置不仅可以实现连续加热，无需进行重复升温降温操作，有效降低工作过程能耗以及提高退火效率，且每个室既可以配合工作，也可以单独工作，进一步降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN117798814B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410232074.1
申请日：2024-03-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种抛光垫、抛光垫的制备方法及抛光方法。抛光垫包括光催化区域、硬性去除区域、软性去除区域。抛光垫在使用过程中，抛光液添加在光催化区域中心位置，通过紫外光照射光使得光催化固体发生催化反应，激发产生的‑OH团基和O2‑作用在外围硬性去除区域与软性去除区域正在研磨的晶圆表面，快速去除晶圆的表面厚度，硬性去除区域环绕着光催化区域分布，在抛光过程中，晶圆会循环经过硬性去除区域、软性去除区域，降低晶圆表面的不平整度，并搭配光催化区域，实现晶圆抛光良率的提高。同时，在硬性去除区域引入了导流槽设计，使得抛光过程中、产生的硬性去除固体的碎屑及时从抛光盘表面流出，避免对其他区域的影响。
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公开(公告)号：CN117798814A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410232074.1
申请日：2024-03-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种抛光垫、抛光垫的制备方法及抛光方法。抛光垫包括光催化区域、硬性去除区域、软性去除区域。抛光垫在使用过程中，抛光液添加在光催化区域中心位置，通过紫外光照射光使得光催化固体发生催化反应，激发产生的‑OH团基和O2‑作用在外围硬性去除区域与软性去除区域正在研磨的晶圆表面，快速去除晶圆的表面厚度，硬性去除区域环绕着光催化区域分布，在抛光过程中，晶圆会循环经过硬性去除区域、软性去除区域，降低晶圆表面的不平整度，并搭配光催化区域，实现晶圆抛光良率的提高。同时，在硬性去除区域引入了导流槽设计，使得抛光过程中、产生的硬性去除固体的碎屑及时从抛光盘表面流出，避免对其他区域的影响。
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公开(公告)号：CN117740882A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311748682.X
申请日：2023-12-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法。针对重掺杂n型碳化硅晶片在熔融的强碱中加入适量的氧化剂形成腐蚀剂，利用恒定电压源给碳化硅晶片施加正的偏置电压。一方面，通过在强碱中加入氧化剂，提高腐蚀剂中的氧含量，进而促进氧化过程，即促进重掺杂n型碳化硅晶片各向异性的化学腐蚀过程；另一方面，在对所述重掺杂n型碳化硅晶片施加正电压，抑制所述重掺杂n型碳化硅晶片表面各向同性的电化学腐蚀过程。氧化剂和偏置电压的结合对位错特征显示效果显著，可以清晰区分所述重掺杂n型碳化硅晶片的不同位错类型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117637452A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311671186.9
申请日：2023-12-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/263 , H01L29/16
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种半绝缘碳化硅晶圆片的制备方法、晶圆片及器件，利用高能量射线或高质量粒子辐照所述碳化硅晶圆片表面，在所述碳化硅晶圆片中产生深能级缺陷，且在所述碳化硅晶圆片中靠近入射面的位置形成缺陷峰值，并增加所述深能级缺陷为陷阱中心的数量、减少所述深能级缺陷为复合中心的数量，从而得到高质量的半绝缘碳化硅晶圆片。
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公开(公告)号：CN117637449A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311707172.8
申请日：2023-12-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/04 , C30B31/22 , C30B33/02 , C30B29/36 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半绝缘碳化硅衬底制备方法及碳化硅衬底。在待加工碳化硅衬底表面以高能量进行氧注入，形成氧沉淀。注入的氧都集中在待加工碳化硅衬底近表面处，使得高温退火处理形成的氧沉淀也都集中在待加工碳化硅衬底的近表面处，避免了现有技术的掺杂工艺中，在碳化硅衬底内产生沉淀物，导致碳化硅衬底中的微管缺陷；以高能量进行氧注入，提升了待加工碳化硅衬底近表面处氧沉淀的浓度，从而提升氧沉淀吸收待加工碳化硅衬底中的杂质的效果，被吸收了杂质的待加工碳化硅衬底成为高纯的本征半绝缘碳化硅衬底，提升获得的沉淀碳化硅衬底的绝缘性，提升获得的沉淀碳化硅衬底的电阻率。
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公开(公告)号：CN117607499A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311568427.7
申请日：2023-11-22
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体晶圆测试技术领域，公开了一种半导体晶圆表面粗糙度检测装置，通过颗粒去除模块去除真空吸口处的颗粒；通过静电消除模块对晶圆表面进行消除静电处理；再通过粗糙度检测模块检测位于所述样品台表面且消除静电处理后的晶圆表面的粗糙度。使得大大提高了晶圆表面粗糙度检测的精确度。
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公开(公告)号：CN117568920A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311516809.5
申请日：2023-11-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种自动化补料装置、晶体生长装置及晶体生长方法。自动化补料装置在碳化硅晶体生长过程中通过液面高度检测控制结构检测石墨坩埚内的碳化硅溶液液面高度，根据碳化硅溶液液面高度相对于设定液面生长高度，通过自动化补料结构向石墨坩埚中添加或者停止添加硅原料，从而在不打开坩埚的条件下，维持碳化硅溶液体系的一致性，保证了碳化硅晶体生长条件的稳定，实现碳化硅晶体的稳定生长。同时，通过液面高度检测控制结构的触点高度和籽晶轴高度的控制，控制碳化硅溶液液面高度使得碳化硅溶液液面与碳化硅晶体接触处的弯月面高度保持于一定范围内，避免弯月面的高度变化对碳化硅晶体生长产生影响。
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公开(公告)号：CN114078692B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202210013373.7
申请日：2022-01-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种晶圆清洗方法和晶圆清洗设备，所述晶圆清洗方法包括利用二氧化碳的超临界流体和二氧化碳的气溶胶同时对晶圆表面进行冲洗，然后将晶圆表面的二氧化碳挥发成气态，使得冲洗的过程中有机物和颗粒污染物脱离晶圆表面，实现对晶圆表面的有机物和颗粒污染物的清洗。本发明利用压强或温度变化可使CO2完成在超临界流体、液体、气态、气溶胶不同形态转变的物理性质，将其引入晶圆清洗流程，替代传统RCA清洗剂SC1和SPM去除颗粒和有机物，突破了传统清洗方法超纯水使用量大、化学污染多、废料多、效率低的限制。
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