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公开(公告)号：CN109989111A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910187266.4
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种拼接式小尺寸单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器；包括制备步骤：选择至少两个小尺寸单晶晶圆，在各小尺寸单晶晶圆的下表面注入高能量离子；在衬底的上表面划分出与各小尺寸单晶晶圆匹配的键合区域，在键合区域内制备与小尺寸单晶晶圆匹配的键合层，将各小尺寸单晶薄膜层叠放于一一对应的键合区域内，进行上压电层剥离处理，制得拼接式单晶薄膜。本发明通过将小尺寸的单晶薄膜拼接在一个大的衬底上的设计以解决现有技术存在的小尺寸的单晶晶圆无法制备大于其自身尺寸的单晶薄膜，以及现有的单晶薄膜无法满足多功能器件的应用的技术问题。
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公开(公告)号：CN109981069A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910187206.2
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种具有隔离层的薄膜体声波谐振器制备方法及体声波谐振器；步骤：从单晶晶圆下表面注入高能量离子，高能量离子进入单晶晶圆内部形成损伤层，将单晶晶圆分隔成上压电层和单晶薄膜层，得到损伤的单晶晶圆；在单晶薄膜层下表面依次制备图形化的下电极、图形化的牺牲层、隔离层和键合层；将衬底与键合层叠放，做晶圆劈裂处理，剥离单晶薄膜层上端的上压电层，在单晶薄膜层的上表面制备上电极；在单晶薄膜层上表面开设图形化的牺牲层所需要的牺牲层释放孔，释放牺牲层，得到高质量的单晶薄膜体的空腔型体声波谐振器。
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公开(公告)号：CN109979809A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910187252.2
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/265 , H01L41/33 , C30B33/00 , C30B33/02
Abstract: 本发明提供一种单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：向晶圆的表面注入重离子，形成离子损伤层，得到一次离子注入的晶圆；向所述一次离子注入的晶圆的表面注入轻离子，使所述轻离子在所述离子损伤层的上表面聚集，得到二次离子注入的晶圆；将所述二次离子注入的晶圆键合至衬底，得到键合后的晶圆；将所述键合后的晶圆进行退火处理，使所述离子损伤层劈裂，并在所述衬底上获得单晶薄膜。本发明还提供了一种单晶薄膜。本发明所述的单晶薄膜的制备方法，能够有效抑制所述轻离子在晶圆中的高斯深度分布形态，减小后续退火时劈裂面的起伏，降低薄膜表面粗糙度，提高薄膜厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN109920863A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910082596.7
申请日：2019-01-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 窄禁带半导体薄膜、光敏二极管及制备方法，属于电子信息材料与元器件领域，本发明的窄禁带半导体薄膜包括重叠设置于衬底基片上的二维硫族化合物薄膜层和窄禁带半导体层，所述二维硫族化合物薄膜层的材料至少包括下述选定硫族化合物材料之一：MoSe2、WSe2、HfSe2、ZrSe2、NbSe2、TaSe2、MoTe2、WTe2、HfTe2、ZrTe2、NbTe2、TaTe2及由MoSe2、WSe2、HfSe2、ZrSe2、NbSe2、TaSe2、MoTe2、WTe2、HfTe2、ZrTe2、NbTe2、TaTe2；所述窄禁带半导体层的材料的材料至少包括下述各材料之一：Pb1-xSnxSe和Pb1-xSnxTe，其中0≤x≤1。本发明的光敏二极管具有较高光响应度和探测率。
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公开(公告)号：CN107546319B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201710747273.6
申请日：2017-08-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L37/02
Abstract: 本发明属于电子材料与元器件技术领域，具体为一种热释电红外探测器及其制备方法。包括凹槽透光衬底、热释电层和键合层。本发明使用表面带有凹槽的透光衬底代替硅衬底，为使用常温、常压键合将衬底与单晶或陶瓷热释电敏感元进行集成提供了条件，实现了空气隙悬空绝热结构与单晶或陶瓷热释电敏感元集成；并在热释电敏感元制作凹槽、在敏感元内部形成一个绝热结构。本发明提供的热释电红外探测器，热性能好、可靠性高、工艺简单、成本低，且易于集成，探测性能好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109873046A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910088614.2
申请日：2019-01-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 双异质结光敏二极管及制备方法，属于电子信息材料与元器件领域，本发明的双异质结光敏二极管，其特征在于，包括自下而上顺序设置的单晶基片、第一硫族化合物层、窄禁带半导体材料层、第二硫族化合物层，窄禁带半导体材料层覆盖第一硫族化合物层上表面的局部，第一硫族化合物层的上表面和第二硫族化合物层的上表面各设置有电极；所述窄禁带半导体的材料包含Pb1-xSnxSe或Pb1-xSnxTe，其中0≤x≤1；所述第一硫族化合物层的材料包含Mo1-yWySe2，其中0≤y≤1；所述第二硫族化合物层的材料包含HfzZr1-zSe2，其中0≤z≤1。本发明具有优良光电响应特性。
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公开(公告)号：CN109541745A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811529297.5
申请日：2018-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供一种耦合区改进型的微环谐振器及其制作方法，属于集成光学领域。该器件包括衬底1、键合层2、直波导4、介质层6、跑道型波导7，所述键合层2设置于衬底1上方，所述介质层6设置于键合层2上方，所述直波导4设置于介质层6中，所述跑道型波导7的直道部分在直波导4的正上方，其特征在于，还包括埋槽3，所述埋槽3设置于耦合区中的键合层2内，并位于直波导4的正下方，埋槽3的折射率小于衬底1的折射率。本发明中所采用埋槽结构，既可以减少光场在传输过程中的泄露损耗，又可以促使光场向其他介质转移，进而提高耦合效率，还具有在脊形波导中促进模式从多模向模式减少进行变化的优势。
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公开(公告)号：CN105137125B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201510543643.5
申请日：2015-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01Q60/24
Abstract: 本发明属于铁电或压电材料电畴测试技术领域，涉及利用逆压电效应实现电畴成像的双频多通道同步检测，该方法采用两台锁相放大器对待测样品面外和面内压电信号进行实时同步检测；其中，所述两台锁相环放大器的参考信号分别由两个独立的频率源提供，频率源同时还提供一个与参考信号相同的交流信号作为激励信号，两个频率源提供的激励信号经加法器叠加后作为交流激励电压加载于导电探针与待测样品之间。本发明通过一次扫描就能够检测出待测样品的面外和面内压电振动的幅度信号与相位信号，并以实时的方式多通道同步输出，大大的提高了检测效率；同时，本发明能够提高电畴成像的分辨率，有效提高检测准确度。
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公开(公告)号：CN106209002A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610494499.5
申请日：2016-06-29
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02039 , H03H9/02086 , H03H2003/023
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，具体提供一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法，该薄膜体声波谐振器包括Si衬底，于Si衬底上相键合的Si键合层，于Si键合层上设置单晶铌酸锂薄片，所述Si键合层上表面开设空腔，对应设置于空腔内的下电极附着于单晶铌酸锂薄片下表面，于单晶铌酸锂薄片上表面设置上电极，所述上电极与下电极对应设置。本发明谐振器采用单晶铌酸锂薄片作为压电层，能够便捷精确的控制压电层晶格取向，显著提升谐振器的谐振频率和机电耦合系数等性能，同时，利用单晶铌酸锂薄片作为器件支撑结构，有效避免电极支撑带来的性能损害，进一步提升器件性能；并且本发明谐振器结构简单，加工重复性好，能够获得一致性良好的大规模线列和阵列。
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公开(公告)号：CN106160691A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610528353.8
申请日：2016-07-05
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H03H9/02661 , H03H3/04 , H03H2003/023 , H03H2003/0414
Abstract: 本发明涉及SAW器件制造领域，具体涉及一种基于Si基的高频SAW器件及其制备方法。该高频SAW器件为多层膜结构，从下至上依次包括Si基、高声速层、压电层和叉指换能器。Si基的背面设置有沟槽，从而使声表面波的传播局限在高声速层内，以提高该器件的中心频率。该结构的SAW器件是多层膜结构，可满足高频、高机电耦合系数以及集成电路领域的应用需求。压电层选用压电薄膜时相比于压电单晶材料易于集成，可应用于半导体工业中。
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