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公开(公告)号：CN108649953A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810420910.3
申请日：2018-05-04
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明提供一种基于P阱浮空技术的采样开关及控制方法，该采集开关包括升压电路、采样开关NMOS管NM1和开关SN，所述采样开关的一端作为输入端VIN，采样开关的另一端作为输出端OUT，输入端VIN分别连接升压电路的输入端、采样开关NMOS管NM1的输入端，输出端OUT连接采样开关NMOS管NM1的输出端，升压电路的输出端与采样开关NMOS管NM1的栅极连接；所述开关SN连接于采样开关NMOS管NM1的衬底与地之间。本发明所示结构非常简单，只引入了一个额外的开关，最大程度减小了采样管的额外寄生电容，和传统技术相比，电路实现也更为简单。
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公开(公告)号：CN105977938B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610437164.X
申请日：2016-06-17
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明提供一种芯片ESD保护电路，包括集成电路层和导电层，其中集成电路层中第一电源域和第二电源域上分别设置有与第一电源域的第一地线连接的第一地焊盘，且第一地焊盘键合在导电层上；第二电源域上设置有第二电源钳位单元，第二电源钳位单元的第一端与第二电源域的第二电源线连接，第二端与第一地线或第二电源域的第二地线连接；第二电源域上还设置有双向ESD保护电路，双向ESD保护电路设置在第一地线连接与第二地线之间。通过本发明可以提高芯片的ESD保护能力，降低芯片版图面积。
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公开(公告)号：CN108494404A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810258394.9
申请日：2018-03-27
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明涉及一种高精度逐次逼近型模数转换器的电容电压系数校准方法，属于半导体集成电路领域。对电压系数进行校准；根据带电压系数的电容模型得到采样的带电电荷，再根据测试得到的INL值，首先验证INL最大值是否发生在式3所示的地方，然后根据式4得到两个非常接近的二阶电容电压系数，取其平均值为二阶电容电压系数，然后在数字域对其进行校准。本发明能够在不添加模拟校准电路的条件下，基于INL提取电容电压系数，并数字后端对电容电压系数进行校准，提高了ADC的转换精度。
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公开(公告)号：CN108494388A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810239481.X
申请日：2018-03-22
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H03K5/24
摘要： 本发明提供一种高速低噪声动态比较器，包括：输入单元，所述输入单元包括输入NMOS管和输入PMOS管，锁存器单元，所述锁存器单元包括锁存NMOS管和锁存PMOS管，所述锁存NMOS管和锁存PMOS管连接形成锁存器结构；上拉单元，包括与输入NMOS管连接的上拉PMOS管；衬底自举电压产生电路，用于产生衬底自举电压；本发明通过采用MOS管的衬底自举技术，减小了MOS管的导通电阻，增加了比较器的比较器速度，进一步提高了比较器的比较器速度；同时，降低了比较器的输入管的阈值电压，使得输入管的跨导增加，从而降低了比较器的等效输入噪声，随着比较器共模电压的变化，比较器的比较延迟变化相对较小。
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公开(公告)号：CN104836552B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510243084.6
申请日：2015-05-13
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H03K3/64
摘要： 本发明公开了一种高压窄脉冲产生电路，至少包括用于产生第一负窄脉冲信号、第二负窄脉冲信号和正窄脉冲信号的窄脉冲信号产生模块，用于接收所述正窄脉冲信号和所述第二负窄脉冲信号并生成倍压窄脉冲信号的倍增窄脉冲信号产生模块；与窄脉冲信号产生模块和倍压窄脉冲信号产生模块连接的高压窄脉冲信号转换模块，该转换模块适于接收所述第一负窄脉冲信号和所述倍增窄脉冲信号，并输出高压窄脉冲信号，本发明提供的高压窄脉冲产生电路可以在芯片内部产生2倍于电源电压的高压窄脉冲，可在深亚微米极低电源电压条件下瞬间充分地打开NMOS晶体管，从而对开关电容电路中采样电容有效复位。解决了传统窄脉冲产生电路不能有效开启NMOS晶体管的问题。
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公开(公告)号：CN104702289B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510108658.9
申请日：2015-03-12
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H03M1/38
摘要： 本发明提供一种逐次逼近型模数转换器及其比较器输入管的电容补偿电路，其中，所述电容补偿电路，主要由第一PMOS管、第二PMOS管PM及NMOS管和控制开关构成，通过设计第一PMOS管、第二PMOS管PM及NMOS管NM和于比较器输入端的NMOS管的尺寸，使得在比较器输入电压小于阈值电压VTHN和比较器输入电压大于阈值电压VTHN两种情况下，补偿后总的寄生的电容相等且恒定，通过实现输入电压在0到电源电压VDD整个范围内，寄生电容相等，并保持一个相对恒定的值这一目的，从而消除传统结构下由于寄生电容不相等且不恒定所带来的非线性误差，从而达到提高逐次逼近型模数转换器性能的目的。
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公开(公告)号：CN107528594A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710740060.0
申请日：2017-08-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H03M1/46
CPC分类号： H03M1/468
摘要： 本发明提供一种电荷式流水线逐次逼近型模数转换器，包括：高位电容阵列，用于对输入信号采样，还用于充、放电；低位电容阵列，其电容值与高位电容阵列的电容值相同，用于充、放电；开关控制电路，用于控制高、低位电容阵列的工作状态，还用于将高位电容阵列的残差电压以电荷共享方式分布至低位电容阵列；比较器，用于在半个周期内对低位电容阵列进行逐次比较，在另半个周期内对高位电容阵列进行逐次比较，将比较值依次输出；逐次逼近寄存逻辑电路，用于根据比较值闭合连接高、低位电容阵列的两项选择开关阵列的开关，直到闭合电容阵列的对应的开关得到数字信号。本发明还提供该模数转换器的控制方法，简化了电路的设计难度，减小了电路的面积。
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公开(公告)号：CN105700609B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201610256167.3
申请日：2016-04-22
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明提供一种参考电压产生电路，包括：电平转换电路，包括第一电荷泵、第一差分运算放大器、第一NMOS晶体管、第一电阻、第二电阻及第三电阻，其中，第一差分运算放大器、第一电荷泵、第一NMOS晶体管及第一电阻构成第一单位增益结构；用于通过所述第一单位增益结构输出参考电压，并通过第一电阻、第二电阻及第三电阻以差分形式将所述参考电压输出到所述前级驱动电路；前级驱动电路，包括第二差分运算放大器和第三差分运算放大器、第二电荷泵和第三电荷泵、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管以及第四电阻，其中，第二差分运算放大器、第二电荷泵、第二NMOS晶体管构成第二单位增益结构，第三差分运算放大器、第三电荷泵、第一PMOS晶体管构成第三单位增益结构；用于根据所述第二单位增益结构及第三单位增益结构对所述电平转换电路输出的参考电压进行驱动；如此，本发明实施例提供的参考电压产生电路具有更高的建立精度和更大的输出摆幅。
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公开(公告)号：CN104868917B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510284381.5
申请日：2015-05-28
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H03M1/38
摘要： 本发明提供一种模数转换器，包括：电容阵列，采用电荷重分配和电容共享技术，适用于各级流水线在转换结束时，将其一半的电容用于其下一级流水线模数转换，其另一半电容用于电容复位，并用于下一次输入信号的采集和量化；逐次逼近逻辑电路，用于根据其上一级流水线中比较器的比较结果和/或其上一级流水线中共享电容的参考电压，选择电容阵列内各个电容的参考电压；比较器，用于将本级流水线共享电容对应的参考电压与输入信号的电压值进行比较，生成比较结果，并将比较结果输入至数字输出逻辑电路、下一级流水线逐次逼近逻辑电路；数字输出逻辑电路，用于量化每级流水线的比较结果输出数字输出信号。本发明不仅提高模数转换速度，还降低了功耗。
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公开(公告)号：CN104363018B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201410559185.X
申请日：2014-10-17
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H03M1/02
摘要： 本发明涉及一种用于开关电容电路的高速高精度驱动器，属于模拟或数模混合集成电路驱动器技术领域。该驱动器包括一个高增益运算放大器单元，一个高精度快速建立控制模块；所述高增益运算放大器单元具体包括：一个提供高增益的差分运算放大器AMP，提供输出电流的PMOS管P0，提供尾电流的尾电流源N0；所述高精度快速建立控制模块具体包括：一个Flash结构的ADC，两个阻抗变换单元Z1和Z2和一个电容C1。本发明相对于传统结构具有更高的线性度性能，能够有效的满足高速高精度驱动器的要求，特别适用于模拟或者数模混合集成电路中开关电容电路驱动器的设计。
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