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公开(公告)号：CN102574474B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201080043451.3
申请日：2010-09-28
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01P3/06 , Y10T29/49117
摘要： 提供一种高频用馈电线及高频用馈电线的制造方法，提高内筒部相对于外筒部的定位精度，且成形的成品率好。高频用馈电线(1)具有由内筒部(2a)、以及通过4个连结部(2c)在长度方向的全长上与内筒部(2a)一体连结的同心的外筒部(2b)构成的双重筒状的导体部(2)。4个连结部(2c)沿圆周方向以预定间隔配置。通过在内筒部(2a)和外筒部(2b)之间设置4个连结部(2c)，与以往的在内筒部(2a)和外筒部(2b)之间仅有1个连结部(200c)的高频用馈电线(100)相比可以提高内筒部(2a)的定位精度，且可以降低高频电阻。
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公开(公告)号：CN104377413A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410657190.4
申请日：2014-11-18
申请人： 中天日立射频电缆有限公司
摘要： 本发明涉及的是一种自融冰漏泄同轴电缆及其制作方法，特别适用于解决漏泄同轴电缆在覆冰地区使用时存在的挂冰问题。由外向内由外护套、发热导线、开槽外导体、聚乙烯发泡绝缘层和内导体组成，电缆外护套与开槽外导体中间设有一组发热导线，发热导线铜线编织层与开槽外导体紧贴，开槽外导体设置有漏泄槽孔，发热导线放置位置与开槽外导体漏泄槽孔呈180°相对。自融冰漏泄同轴电缆制备方法，1）内导体：内导体可为铜包铝管、光滑铜管或轧纹铜管；2）内导体预处理；3）在预处理过的内导体外挤包聚乙烯发泡绝缘层：4）开槽外导体铜带生产；5）外导体纵包、发热导线放线、外护套挤出，然后经过冷水槽进行冷却成形，制成自融冰漏泄同轴电缆。
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公开(公告)号：CN104205494A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201280071992.6
申请日：2012-04-02
申请人： 瑞典爱立信有限公司
IPC分类号： H01Q13/20
CPC分类号： H01Q13/203 , H01P3/06 , H01Q1/007
摘要： 一种漏泄同轴线缆装置，包括：同轴线缆(10)；布置在所述同轴线缆上的多个辐射槽隙(11)；以及激活装置(12)，被配置为作用于所述线缆上的预定区域，以选择性地激活或去激活所述多个辐射槽隙(11)中的至少一个，提供所述漏泄同轴线缆装置(1)。
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公开(公告)号：CN103733741A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280038422.7
申请日：2012-12-12
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H01P3/082 , H01P3/06 , H01P3/08 , H01P3/085 , H05K1/0253 , H05K2201/09618 , H05K2201/09727
摘要： 本发明提供一种容易弯曲使用的高频信号线路以及电子设备。电介质主体（12）层叠具有可挠性的多个电介质片材（18）而构成。信号线（20）设置在电介质主体（12）。接地导体（22）设置在电介质主体（12）上，且沿信号线（20）延伸。接地导体（24）在较信号线（20）更靠近z轴方向的负方向侧、沿信号线（20）排列，且隔着电介质片材（18）与信号线（20）相对。过孔导体（B1～B3）贯穿电介质片材（18），将接地导体（22）和接地导体（24）相连接。
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公开(公告)号：CN101499551B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200910001962.8
申请日：2009-01-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01P3/003 , H01P3/06 , H05K1/0219 , H05K1/0242 , H05K1/025 , H05K2201/09236 , H05K2201/09727 , H05K2201/09781
摘要： 一种用于沿信号线发射射频信号的半导体器件，包括沿主轴延伸的信号线。第一电介质在所述信号线的一侧上，第二电介质在所述信号线的相对侧上。第一和第二地线分别接近于所述第一和第二电介质，地线近似平行于所述信号线。所述器件具有沿主轴变化的横剖面。
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公开(公告)号：CN102823056A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180016706.1
申请日：2011-03-29
申请人： 斯宾纳机床制造有限公司
IPC分类号： H01P3/06
摘要： 描述了一种同轴导体结构，用于在色散关系的框架之内形成的n个频带中的至少一个频带之内无干扰地传输HF信号波的单个可传播TEM模，n为正自然数，所述同轴导体结构具有：a）呈现为圆形截面的内部导体，其具有内部导体直径Di，b）以径向等距离的方式包封所述内部导体的外部导体，其具有外部导体内径Da，c）所述内部导体和所述外部导体的轴向延伸的共用导体部分，沿着所述共用导体部分以等距离间隔p或s提供具有杆直径Ds的杆形结构，所述杆形结构将所述内部导体与所述外部导体电连接，其中，为了使所述单个TEM模能够沿着所述同轴导体结构传播而不受在m个频带之内至少以TE11模的形式出现的更高激励模阻碍，能够选择所述参数Di、Da、Ds、p、s，使得i）在第n≥2个频带之内传播的所述单个TEM模的频率下限fu(TEM)等于在第m个频带中形成的TE11模的频率上限fo(TE11)±公差范围Δf，以及ii）在第n≥2个频带之内传播的所述单个TEM模的频率上限fo(TEM)等于在第m+1个频带中形成的TE11模的频率下限fu(TE11)±公差范围Δf。
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公开(公告)号：CN101752343A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910150333.1
申请日：2009-06-23
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 卓秀英
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/58
CPC分类号： H01P3/06
摘要： 本发明提供一种集成电路结构，包括位于一半导体衬底上方的一内连线结构以及一同轴传输线。上述同轴传输线包括一信号线；一顶薄板，位于上述同轴传输线上方，且与上述同轴传输线电性绝缘；一底薄板，位于上述同轴传输线下方，且与上述同轴传输线电性绝缘。上述顶薄板和上述底薄板的至少一个包括多个金属条状遮蔽物；多个介电质条状物，每一个上述介电质条状物介于两个上述金属条状遮蔽物之间。上述集成电路结构还包括一接地导电物，电性连接至上述顶薄板和上述底薄板。上述接地导电物通过一介电材料与上述信号线绝缘。本发明可利用调整接地导电物之间的距离来调整特征阻抗和特征波长，并使同轴传输线的制造工艺与CMOS电路的制造工艺完全相容。
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公开(公告)号：CN1317792C
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN03825710.6
申请日：2003-02-25
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： H01P3/06 , Y10T29/49014
摘要： 本发明提供一种使用了氧化物超导体的超导体传输线路，由于其损耗低，所以可用于大电流的传输。该超导体传输线路具有：内部导体；和由氧化物超导体形成的外部导体，其包围该内部导体的周围，具有4个面，所述4个面共同构成这样的构形，该构形的截面为将中空四边形除去各角部后的形状，并且在相邻的面之间形成不到λ/4的狭缝，其中λ是所传输的高频波的波长。
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公开(公告)号：CN1784807A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200480012012.0
申请日：2004-03-04
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： H01P3/06
CPC分类号： H01P3/06 , H01P1/08 , H01P3/00 , H01P5/103 , H01P5/183 , H01P11/002 , H01P11/003 , H01P11/005 , H05K1/0221 , H05K1/0272 , H05K3/4644 , H05K3/4685 , H05K2201/09809 , Y10T29/49117 , Y10T29/49123
摘要： 提供了一种同轴波导微结构。该微结构包括基片和位于该基片之上的同轴波导。该同轴波导包括：中心导体；包括一个或多个壁的外导体，该外导体与中心导体有一定间隔且设置于中心导体周围；用来支承中心导体的一个或多个绝缘支承部件，所述支承部件与中心导体接触，封装在外导体之内；以及中心导体与外导体之间的芯体积，所述芯体积处于真空或气态状态下。还提供了通过顺序构建顺序构建工艺形成同轴波导微结构的方法，以及包括同轴波导微结构的密封外壳。
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公开(公告)号：CN1717836A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN03825710.6
申请日：2003-02-25
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： H01P3/06 , Y10T29/49014
摘要： 本发明提供一种使用了氧化物超导体的超导体传输线路，由于其损耗低，所以可用于大电流的传输。该超导体传输线路具有：内部导体；和由氧化物超导体形成的外部导体，其包围该内部导体的周围，具有除去了截面呈中空四边形的各角部的形状的4个面，并且在相邻的面之间形成不到λ/4(λ是所传输的高频波的波长)的狭缝。
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