公开(公告)号：CN105453432A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480043946.4

申请日：2014-07-31

申请人： 泰科电子公司

发明人： M.S.阿梅德 ,  D.B.萨拉夫

IPC分类号： H03K17/082 ,  H03K17/785

CPC分类号： H02H3/02 ,  H02H3/06 ,  H02H3/08 ,  H02H5/04 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/785 ,  H03K2017/0806

摘要： 一种用于固态继电器16的保护的电路10，其包括连接在输入信号源和固态继电器输入端子之间的开关元件14。固态继电器包括用于连接到负载18的输出端子。感测元件20与固态继电器相关联，以感测与固态继电器相关联的操作参数。反馈元件42控制开关元件，以响应于操作参数超过参考参数28而转换操作状态。固态继电器响应于开关元件而改变状态，以在激励状态或去激励状态之间控制固态继电器的输出电流。

公开(公告)号：CN105337597A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510458184.0

申请日：2015-07-30

申请人： 株式会社电装

发明人： 奥田胜一 ,  千田康隆

IPC分类号： H03K17/567 ,  H03K17/08

CPC分类号： H03K17/302 ,  H03K5/24 ,  H03K17/0826 ,  H03K17/145 ,  H03K17/567 ,  H03K2017/0806

摘要： 在驱动电路中，当模式判断电路(8)判定特定模式切换信号时，阈值电压控制设备(9)被激活。在半导体开关元件的传导端子之间外部供应恒定电流的状态下，在半导体开关元件导通的时间段中，阈值电压控制设备(9)通过所述阈值电压设定设备(11)来控制比较器(10)的阈值电压连续变化。阈值电压控制设备将与由于阈值电压改变而引起比较器的输出信号改变的时间点的阈值电压相对应的数据储存到非易失性储存器(12)。当模式判断电路判定驱动控制信号时，阈值电压控制设备从储存器读出阈值电压，并允许阈值电压设定设备将所读出的阈值电压设定到比较器。

公开(公告)号：CN105191130A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480018005.5

申请日：2014-03-26

申请人： KK风能解决方案公司

发明人： B·兰涅斯泰德

IPC分类号： H03K17/082 ,  H03K17/687

CPC分类号： H03K17/0822 ,  H02M1/08 ,  H02M1/32 ,  H02M7/44 ,  H03K17/6877 ,  H03K2017/0806

摘要： 一种用于控制一个或多个功率模块的一个或多个半导体开关的智能栅极驱动单元，所述智能栅极驱动单元至少包括栅极驱动器和模拟测量电路，其中，所述栅极驱动器便于控制一个或多个半导体开关，并且其中，所述模拟测量电路便于在一个或多个半导体开关处于导通模式时测量开关电压。另外，还公开了一种用于控制一个或多个半导体开关的方法。

公开(公告)号：CN104465554A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410523987.5

申请日：2014-07-23

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： F·科尔蒂贾尼 ,  A·德奇科

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L27/02 ,  H02H7/20

CPC分类号： G01K1/026 ,  H02H3/07 ,  H02H5/04 ,  H02H6/00 ,  H03K17/0822 ,  H03K2017/0806

摘要： 本发明涉及功率开关的热观测器以及过载保护。本发明提出嵌入到功率半导体器件中的温度传感器的放置。这样，至少一个该嵌入的温度传感器被放置在功率半导体电路的热源、有源区或沟道内，或者被放置为靠近功率半导体电路的热源、有源区或沟道，并且至少一个该嵌入的温度传感器被放置为更进一步远离该功率半导体电路的该热源、有源区或沟道。此外，提供一种新的温度测量方法，该方法采用温度测量的定时以及调节测量参数为合适的阈值。

公开(公告)号：CN104242882A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410240733.2

申请日：2014-05-30

申请人： 三垦电气株式会社

发明人： 前川祐也 ,  鸟居克行

IPC分类号： H03K17/08

CPC分类号： H03K17/0828 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H03K2017/0806 ,  H03K2217/0027 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明提供半导体装置及其控制方法，通过准确监视温度来合适进行过热保护动作。在发射极端子侧从动作电流(ICE)分支出的第1检测电流、第2检测电流分别流过第1感应元件(21)、第2感应元件(22)，此时在该两端产生的电压分别被检测为输出电压(VS1、VS2)。第1感应元件(21)是在形成有IGBT(10)的开关元件芯片上的电阻元件。第2感应元件(22)是与开关元件芯片分开单独设置的电阻元件。通过一同使用(VS1)和(VS2)，可以一同计算出动作电流(ICE)和IGBT(10)的温度(T)。

公开(公告)号：CN102088245B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201010251823.3

申请日：2010-08-05

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 图子雄二 ,  铃木晋介 ,  石井晃弘

IPC分类号： H02M3/156 ,  H02M1/32 ,  H02H7/10 ,  G01R31/327

CPC分类号： G01R31/024 ,  G01R31/42 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/18 ,  H03K2017/0806 ,  Y10T307/858

摘要： 本发明的目的在于提供一种电负载的驱动控制装置。利用监视控制单元可靠检测出由开关元件进行通电控制的电负载的供电电路的短路、断路异常，且减轻监视控制单元的迅速响应负担。利用监视控制单元产生的控制输出信号对连接在驱动电源与电负载之间的开关元件进行通断控制，判定存储电路根据对于开关元件的闭路指令和开路指令，对是否正确地进行闭路和开路进行判定存储，定期向监视控制单元报告闭路判定存储信号和开路判定存储信号。一边定期使判定存储内容复位，一边连续更新判定动作。监视控制单元不必在产生通断指令的时刻即时监视判定存储信号，因此不要求监视控制的即时响应性，即使是短时间的闭路指令或开路指令，也能可靠检测出是否发生异常。

公开(公告)号：CN103207362A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310009834.4

申请日：2013-01-11

申请人： ABB研究有限公司

发明人： V.孙达拉莫尔蒂 ,  A.海内曼 ,  E.比安达 ,  F.泽弗卢 ,  G.克纳普 ,  I.尼斯托尔 ,  R.布洛赫

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： H01L22/30 ,  G01K7/01 ,  G01K2217/00 ,  G01R31/2619 ,  G01R31/2642 ,  H03K17/18 ,  H03K2017/0806

摘要： 本发明涉及用于实时监测IGBT器件的操作状态、特别地用于确定IGBT器件的结温的系统，包括：微分单元，用于接收要测量的IGBT器件的栅极-发射极电压特性以及用于微分该栅极-发射极电压特性来获得与IGBT器件的关断期期间的Miller平台期所形成的边缘相关的脉冲；计时器单元，用于测量获得的指示IGBT器件的关断期期间的Miller平台期的起始和结束的脉冲之间的时间延迟；结温计算单元，用于基于测量的时间延迟确定IGBT器件的结温。

公开(公告)号：CN103095273A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210378146.0

申请日：2012-10-08

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 乌多·奥塞尔勒基纳 ,  让-玛丽·勒加尔 ,  塞巴斯蒂安·梅尔滋

IPC分类号： H03K17/90

CPC分类号： H03K17/0822 ,  H01L25/165 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/90 ,  H03K17/9517 ,  H03K2017/0806 ,  H03K2217/0063 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

摘要： 实施方式涉及集成磁场传感器控制开关器件，其中包括，例如晶体管、电流源以及功率开关。在实施方式中，磁开关和负载开关集成在单个集成电路器件内。在实施方式中，该器件还可以包括集成负载保护和负载诊断。实施方式可以提供负载切换以及用于例如更新微控制器或电子控制单元（ECU）的可选的同步逻辑信号通知，同时减少空间和复杂性以及由此降低成本。

公开(公告)号：CN103033275A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210376118.5

申请日：2012-09-29

申请人： 赛米控电子股份有限公司

发明人： 斯特凡·斯库勒

IPC分类号： G01K7/01

CPC分类号： G01K7/01 ,  G01K7/346 ,  H03K17/08122 ,  H03K17/08128 ,  H03K2017/0806

摘要： 本申请涉及一种用于测定半导体开关的温度的方法和设备，其中该半导体开关（1）具有集成的栅极电阻（RGint），该方法具有如下方法步骤：-通过经与半导体开关（1）的栅极电阻端子（GA）连接的外部电阻（Rext）提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）来接通半导体开关（1），-测定在提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）期间栅极-发射极电压（UGE）从第一电压（U1）上升到第二电压（U2）需要的持续时间（dt），以及-借助所测定的持续时间（dt）来测定半导体开关（1）的温度（T）。此外，本发明涉及一种用于测定半导体开关（1）的温度（T）的相关设备。本发明使高动态地测定半导体开关（1）的温度成为可能。

公开(公告)号：CN102998017A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210327790.5

申请日：2012-09-06

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 吉村弘幸

IPC分类号： G01K7/01

CPC分类号： G01K3/14 ,  G01K7/01 ,  G01K15/005 ,  G01K2219/00 ,  H03K2017/0806

摘要： 本发明的目的在于提供这样的一种功率半导体装置的温度测量设备，即使在其中实际测得的特性线段的斜率不同于所设计的特性线段的斜率的情况下该设备也允许简单且准确的芯片温度检测。本发明的温度测量设备的芯片温度检测电路包括用于递送作为经数字转换的温度检测二极管两端的正向电压的测量值的A/D转换器、以及用于校准处理和芯片温度计算处理的运算处理单元。在校准处理中，通过替代温度检测二极管而连接的基准电压源来施加不同的已知基准电压，且计算连接从A/D转换器递送的不同测量值的线段的斜率。所得到的斜率值、以及作为从A/D转换器递送的测量值之一的偏移校正值被存储于存储器中。