-
公开(公告)号：CN113279056B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202110347549.8
申请日：2021-03-31
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
IPC分类号： C30B25/14 , C30B25/18 , C23C16/458 , C23C16/455 , H01J37/32
摘要： 本公开提供了一种石墨基板及其制造方法，属于半导体技术领域。所述石墨基板的第一表面上具有多圈用于容纳衬底的凹槽，所述多圈凹槽均与所述石墨基板同轴，每圈所述凹槽均包括多个凹槽；所述石墨基板还包括沿所述石墨基板的径向设置在所述石墨基板的第一表面上的多个凸起结构，所述多个凸起结构位于所述多圈凹槽中的多个所述凹槽之间，且从所述石墨基板的中心至所述石墨基板的边缘方向，所述凸起结构的高度逐渐升高。在本公开提供的石墨基板上生长外延片，可以使得外延片各个区域的发光波长一致，从而可以提高外延片的片内均匀性，保证边缘良率。
-
公开(公告)号：CN114318543A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111630327.3
申请日：2021-12-28
申请人： 江苏布里其曼科技股份有限公司
IPC分类号： C30B29/40 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B25/16 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了半极性氮化镓外延层结构制造系统，属于半导体光电器件技术领域，包括双气流反应本体，双气流反应本体的两侧对称安装有出气座和进气座，双气流反应本体的后端开设有密封板，密封板用于将气流反应本体与外界进行贯通或者隔离，双气流反应本体的内部设置有支撑顶座、反应腔和支撑底座，反应腔位于支撑顶座和支撑底座之间，支撑顶座位于支撑底座的上方，支撑顶座内部的中间位置固定安装有液压缸，液压缸的下端连接有液压柱，液压柱的下端固定安装有反应罩；本发明还公开了半极性氮化镓外延层结构制造方法；本发明用于解决现有方案中半极性氮化镓外延层结构制造的良品率不能动态监测并调整提升的技术问题。
-
公开(公告)号：CN114318522A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111591828.5
申请日：2021-12-23
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 余峰
摘要： 本发明公开一种半导体腔室的冷却装置和半导体工艺设备，该冷却装置用于对半导体腔室进行冷却，该冷却装置包括壳体、换热器和气体驱动机构；壳体围合形成容纳空间以及与该容纳空间相连通的排气口，半导体腔室位于所述容纳空间内；换热器位于容纳空间内，换热器用于为容纳空间内的气体换热；气体驱动机构位于容纳空间内，气体驱动机构用于驱动容纳空间内的气体从排气口排出。上述方案能够解决半导体腔室的安全性较差的问题。
-
公开(公告)号：CN114293248A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111385655.1
申请日：2021-11-22
申请人： 太原理工大学
摘要： 一种钙钛矿CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线及其制备方法，属于半导体材料制备技术领域，可解决现有制备方法在一维半导体异质结生长方向存在阻碍的问题，本发明生长CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线使用可控双温区管式炉，使用大管套小管式生长模式，本发明利用了改变蒸发源的材料来改变沉积材料的种类的技术，同时利用了精确控制压强、生长温度、气流大小以及隔离时间，生长出了CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线。本技术具有易操控、成本低、产量高等优点。
-
公开(公告)号：CN114269964A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201980098102.2
申请日：2019-06-10
申请人： 斯维甘公司
摘要： 本文披露了一种在用于衬底的气体处理的反应器中使用的气体入口装置(21，21a‑21k)。该气体入口装置包括：入口凹穴，该入口凹穴具有背壁(233)以及在下游方向(F)上从该背壁(233)朝向入口凹穴开口(212)延伸的侧壁(234，235)；撞击表面(243)；气体孔口(210)，该气体孔口被配置成将气流导向该撞击表面(243)；以及锥形表面(244，245)，该锥形表面在该撞击表面(243)下游延伸，使得在该侧壁(234，235)与该锥形表面(244，245)之间形成流动间隙(213)，该流动间隙沿着下游方向(F)具有逐渐增大的截面积。本文进一步披露了一种混合装置、一种气体出口装置、一种反应器以及这种反应器的用途。
-
公开(公告)号：CN114220729A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111215486.7
申请日：2021-10-19
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/335 , H01L29/778 , C30B25/14 , C30B25/16 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B33/02 , C30B33/12
摘要： 本公开提供了一种提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法，属于半导体器件技术领域。在衬底上依次生长第一AlN层与第二AlN层，第二AlN层的生长温度比第一AlN层的生长温度高100～300℃，释放应力提高质量。生长第二AlN层的过程中，用Ar作为载气生长，促进Al原子的平面移动，提高生长均匀度。对生长第二AlN层过程中形成的AlN膜层，高温条件下H2处理降低位错，第二AlN层的质量提高，在第一AlN层与第二AlN层与生长的AlGaN缓冲层的质量也会得到提高，底层结构的质量提高可以提高最终在底层结构上延续生长得到的高电子迁移率晶体管外延片的质量。
-
公开(公告)号：CN114134563A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111160674.4
申请日：2021-09-30
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种提高外延片波长均匀性的石墨基板，属于半导体技术领域。石墨基板包括第一基板、第二基板和排气装置，第一基板和第二基板均为圆盘；第一基板的上表面具有用于容纳衬底的多圈第一凹槽，第一基板的中部具有一圆形凹坑，圆形凹坑的底部具有多个气孔；第二基板同轴布置在圆形凹坑内，且第二基板的上表面具有用于容纳衬底的多圈第二凹槽；排气装置被配置为，在不同工作状态下，为多个气孔提供设定流量的气体，使得第二基板悬浮在圆形凹坑内，与第一基板分离，并使得第二基板以设定转速与第一基板同向或反向转动。在本公开提供的石墨基板上生长外延片，可以改善在石墨基板各凹槽内生长的外延片的波长均匀性。
-
公开(公告)号：CN114059164A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210011142.2
申请日：2022-01-06
申请人： 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
摘要： 本申请公开一种碳化硅外延生长装置。该碳化硅外延生长装置包括：反应模块，其内配置有反应腔；喷淋部组件，其配置于反应模块上，喷淋部组件包括多个独立的腔体，多个所述腔体分别经管道连接至用以提供气体的气源以及分别经出气通道连通反应腔，且所述出气通道包括依次连接的导气管段、匀压管段及扩散管段，所述导气管段的直径大于所述匀压管段的直径；以及托盘组件，托盘组件配置于所述反应腔的底部，且与所述喷淋部组件相对，托盘组件的顶部用以放置衬底，反应模块运行时气体流入匹配的腔体，并在腔体内混合后从匹配的出气通道流出并流至反应腔内。该碳化硅外延生长装置采用的反应气体类型可以灵活组合，具有极大的通用性。
-
公开(公告)号：CN114045558A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111215370.3
申请日：2021-10-19
申请人： 江苏超芯星半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种以单一气体为源气体制备碳化硅晶体的方法，该方法所采用的设备包括依次通过气体管路连接的低温腔、高温腔、结晶腔；步骤为：(1)以硅烷衍生物气体或氯硅烷衍生物气体作为源气体，通入低温腔，使源气体裂解；(2)然后通过入口气体管路通入载流气体，将低温腔中裂解后的产物带入高温腔，在高温腔中，使CxHy或CmHnClo和Si进行反应，得到SiαCβ气体；(3)高温腔中的SiαCβ气体被载流气体带入结晶腔，SiαCβ气体分子在碳化硅籽晶表面上进行沉积并结晶，最终形成碳化硅晶体。本发明实现了只用单一气体生长碳化硅晶体，相比于比硅烷更加稳定，不会在空气中自燃，因此使用和维护成本、风险大大降低。
-
公开(公告)号：CN114032611A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202110973451.3
申请日：2021-08-24
申请人： 重庆康佳光电技术研究院有限公司
摘要： 本申请涉及一种外延层生长方法及外延层。在硅衬底上生长氮化镓层之前，会先在硅衬底上生长氮化铝层，利用氮化铝层减小了硅衬底与氮化镓层之间的晶格失配，提升了后续所生长的氮化镓层的晶体质量。而且，生长氮化铝层时铝源是持续通入反应室，而氮源则是脉冲式地通入，氮源的脉冲式通入为铝原子提供了足够的迁移时间，使得铝原子有更多的机会结合硅衬底上最有利的晶格位点，在硅衬底平面生形成更多更小的成核位点，减少了聚结缺陷，提升了氮化铝层的质量，为生长高质量氮化镓层、高质量外延层提供了可靠基础。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
1252 条记录 (耗时 0.032 秒)
