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公开(公告)号：CN101311380A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810087100.7
申请日：2008-04-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/02576 , B82Y20/00 , C23C16/303 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0257 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/66212 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/872 , H01L33/0075 , H01L33/325 , H01S5/2009 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 制造III－V族化合物半导体的方法、二极管及其制作方法。提供了一种制造III－V族化合物半导体的方法、肖特基势垒二极管、发光二极管、激光二极管和制作上述二极管的方法，它们可以实现n型载流子密度降低。制造III－V族化合物半导体的方法是采用含III族元素的材料，通过金属有机化学气相沉积制造化合物半导体的方法。最初执行的是制备籽晶衬底的步骤。然后通过采用包含至多0.01ppm硅、至多10ppm氧和小于0.04ppm锗的有机金属作为含III元素的材料，来执行在籽晶衬底上生长III－V族化合物半导体的步骤。
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公开(公告)号：CN100407527C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200510009454.6
申请日：2005-02-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/3407 , H01S5/34333
Abstract: 半导体元件(1)包含具有量子井结构的活性区域(3)。活性区域(3)包含井区域(5)和阻挡区域(7)。井区域(5)由含有氮、铟和镓的III-V族化合物半导体组成。阻挡区域(7a)具有第一半导体层(9a)和第二半导体层(11a)。第一半导体层(9a)，由至少含有氮、铟和镓的III-V族化合物半导体组成。第二半导体层(11a)，由至少含有氮和镓的III-V族化合物半导体组成。第一半导体层(9a)被设置在第二半导体层(11a)与井区域(5)之间。第一半导体层(9a)的铟组成，比第二半导体层(11a)的铟组成小。第一半导体层(9a)的铟组成比井区域的铟组成小。
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公开(公告)号：CN101100743A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127400.9
申请日：2007-07-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/448 , H01L21/365
CPC classification number: C23C16/45585 , C23C16/303 , C23C16/45504 , C30B25/165 , C30B35/00
Abstract: 金属有机化合物化学气相淀积设备是用于通过使用反应性气体在衬底上形成薄膜的金属有机化合物化学气相淀积设备，并且包括：用于加热该衬底并且具有用于保持该衬底的保持表面的基座；和用于引入反应性气体到该衬底的气流道。具有被保持面对着该气流道的内部的保持表面的该基座是可旋转的，并且沿着反应性气体的流向的该气流道的高度从一个位置到一个位置保持定值，并且从该位置到下游侧是单调递减的。因此能在使得所形成的薄膜具有均匀厚度的同时提高薄膜形成效率。
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公开(公告)号：CN101092690A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710112134.2
申请日：2007-06-19
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 创研工业株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/205
Abstract: 一种金属有机汽化和供给设备，包括：用于保留金属有机材料的贮留容器；连接至贮留容器的起泡气体供给通路，用于将起泡气体供给金属有机材料；连接至贮留容器的金属有机气体供给通路，用于将在贮留容器中产生的金属有机气体和稀释气体供给沉积室；连接至所述金属有机气体供给通路的稀释气体供给通路，用于将稀释气体供给金属有机气体供给通路；提供在起泡气体供给通路中的流速调节器，用于调节起泡气体的流速；用于调节稀释气体的压力的压力调节器；和音速喷嘴，设置在金属有机气体供给通路和稀释气体供给通路之间的连接位置的下游侧上的金属有机气体供给通路中。
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公开(公告)号：CN102668282B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201080059085.0
申请日：2010-11-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/3202 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有表现出用于谐振镜的高质量且可实现低阈值电流的激光谐振器。成为激光谐振器的切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件11具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导路。因此，可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)通过在支撑基体背面具有刻划痕迹、以及来自外延面的挤压而形成。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻而形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104025318A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280053028.0
申请日：2012-08-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3403 , H01S5/3404 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种设置于半极性面上并抑制了发光所需要的偏压电压的上升的氮化物半导体发光元件以及该氮化物半导体发光元件的制作方法。在具有半极性面的主面(13a)的由六方晶类氮化物半导体构成的支撑基体上设置的发光层(17)的多重量子阱构造由阱层(17a)和阱层(17c)、以及阻挡层(17b)构成，阻挡层(17b)设置于阱层(17a)和阱层(17c)之间，阱层(17a)和阱层(17c)由InGaN构成，阱层(17a)和阱层(17c)具有处于0.15以上0.50以下的范围的铟组成，主面(13a)相对于六方晶类氮化物半导体的c面的倾斜角α处于50度以上80度以下的范围、以及130度以上170度以下的范围中的任一范围，阻挡层(17b)的膜厚的值L处于1.0nm以上4.5nm以下的范围。
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公开(公告)号：CN102549859B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201080043433.5
申请日：2010-09-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种元件寿命长的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第2端面(28)上的第2电介质多层膜(C-侧)(43b)的厚度比第1端面(26)上的第1电介质多层膜(C+侧)(43a)的厚度薄。
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公开(公告)号：CN102696158B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201080060965.X
申请日：2010-11-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , G01N21/62 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/20 , H01S5/2009 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器、并在用于该激光谐振器的元件端部具有可缩小芯片宽度的端部构造。激光器构造体(13)在一个切断面(27)上具有设于第1面(13a)的边缘(13c)的一部分的凹部(28、30)。凹部(28、30)各自包含残留在各个半导体元件上的刻划痕迹，这些半导体元件通过刻划槽所导引的切断而分离。凹部(28)具有位于第1面(13a)上的端部(28b)，而且凹部(30)具有位于第1面(13a)上的端部(30b)。第1凹部(28)的端部(28b)与激光条纹间的第1间隔(W1)，小于第2凹部(30)的端部(30b)与激光条纹间的第2间隔(W2)。
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公开(公告)号：CN103620895A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280029797.7
申请日：2012-07-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/323
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3054 , H01S5/3202
Abstract: 在具有在包含开口的电流限制层上再生长有p型包覆层的结构的III族氮化物半导体激光元件中，减小由存在于半极性的再生长界面的n型杂质引起的影响。半导体激光元件（10）具有n型半导体区域（14）、活性层（16）、第一p型半导体区域（18）、电流限制层（20）以及第二p型半导体区域（22）。第二p型半导体区域（22）是在形成电流限制层（20）的开口（20a）之后再生长在第一p型半导体区域（18）上和电流限制层（20）上的区域。第一p型半导体区域（18）中的与第二p型半导体区域（22）的界面包含III族氮化物半导体的半极性面。第一p型半导体区域（18）具有构成第一p型半导体区域（18）与第二p型半导体区域（22）之间的界面且具有1×1020cm-3以上的p型杂质浓度的高浓度p型半导体层（18c）。
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公开(公告)号：CN101789474B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201010108912.2
申请日：2010-01-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/0237 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/0075
Abstract: 一种制作氮化物类半导体发光元件的方法，能够改善阱层的膜厚方向上的铟组分不均匀，并且能够降低阱层内的缺陷密度。在阱层生长的第1期间(P1)，向生长炉(10)中供给作为III族原料的镓原料和铟原料，生长InGaN薄层。在第2期间(P2)，在不供给镓原料的情况下，向生长炉(10)中供给铟原料。第2期间(P2)与第1期间(P1)连续。第1期间(P1)为时刻t3～t4、时刻t5～t6。在时刻t3～t4，生长InGaN薄层(24a)，在时刻t5～t6，生长InGaN薄层(26a)。第2期间(P2)为时刻t4～t5。活性层(21)的阱层(25)由多个InGaN薄层(24a、26a)构成。
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