公开(公告)号：CN109935614A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201910278874.6

申请日：2019-04-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  蒋迪 ,  余俊驰 ,  王轩 ,  陶涛 ,  潘丹峰 ,  谢自力 ,  周玉刚 ,  陈敦军 ,  修向前 ,  张荣

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/50 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明公开了一种基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件。在蓝光LED外延片上设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构，其上刻蚀形成微米孔。台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，四个微米孔中，分别填充有红光、绿光、黄光量子点，一个自身发蓝光/填充蓝光量子点。在硅片上利用深硅刻蚀技术刻穿硅片上的微米孔，将硅片上的微米孔与Micro-LED上的量子点填充区域对齐，将量子点通过硅片上的微米孔旋涂进Micro-LED中。并公开了其制备方法。三块不同的深硅刻蚀掩膜板可完成对Micro-LED中绿光、红光、黄光量子点的旋涂，实现RGB像素单元的全色显示，形成QLED阵列器件。

公开(公告)号：CN109037291A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810863787.2

申请日：2018-08-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  王丹蓓 ,  赵红 ,  陶涛 ,  谢自力 ,  修向前 ,  陈敦军 ,  周玉刚 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L27/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明公开了一种基于III‑氮化物/有机半导体混合杂化结构的全色型Micro‑LED阵列显示及白光器件，其混合了无机与有机发光二极管器件来获得高效率、超高分辨率且主动式的Micro‑LED显示和照明光源。在具有p‑n结构的InxGa1‑xN/氮化镓量子阱蓝光LED外延片的N型氮化镓层上分别蒸镀红光、绿光或者黄光有机材料，依次包括电子传输层、发光层、激子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层；在蒸镀其中一组材料时，利用遮挡掩膜将其他像素遮蔽。此技术结合了有机半导体材料和无机半导体材料，能够实现高效率、宽色域、功耗低、响应时间快的新型无机/有机半导体混合结构Micro‑LED器件阵列。

公开(公告)号：CN108878469A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810725971.0

申请日：2018-07-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  岑旭 ,  赵毅峰 ,  张荣 ,  陶涛 ,  谢自力 ,  周玉刚 ,  陈敦军 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种基于III族氮化物半导体/量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件，设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的相互隔离的阵列式正方形台面结构，正方形台面上刻蚀形成微米孔；所述正方形台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，每个RGB像素单元的四个微米孔中，一个填充有红光量子点，另一个填充有绿光量子点。并公开其制备方法。本发明的微米孔LED阵列器件，反向漏电流低至10‑10A量级，并通过喷墨打印技术将II‑VI族核壳结构CdSe/ZnS的红光量子点、绿光量子点填充至微米孔内，红光量子点经蓝光Micro‑LED激发发红光，绿光量子点经蓝光Micro‑LED激发发绿光，实现了每个RGB像素单元的三色显示。

公开(公告)号：CN106129204B

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201610627269.1

申请日：2016-08-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  张国刚 ,  刘斌 ,  任芳芳 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  郭旭 ,  葛海雄 ,  修向前 ,  赵红 ,  陈敦军 ,  陆海 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于：所述p型GaN层被刻蚀成光栅结构，成为p型GaN光栅层，p型GaN光栅层上设有纳米双层金属光栅层。并公开了其制备方法。本发明通过在LED上布置复合光栅，包括p型GaN光栅和双层金属光栅，在p型GaN光栅和双层金属光栅之间会产生表面等离激元共振作用，直接加快复合过程，提高LED的内量子效率，从而从发光有源层直接发射强烈的偏振光。与传统的亚波长金属光栅只能实现偏振相比，本发明可以同时实现LED的发光效率增强和偏振出光，并且可以独立于材料生长过程。

公开(公告)号：CN104538523B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201510012923.3

申请日：2015-01-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 周玉刚 ,  修向前 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  刘斌 ,  张荣

IPC: H01L33/14

Abstract: 本发明公开了一种改善电流扩展的半导体器件，其包括衬底以及形成于所述衬底上的电流扩展层和外延层，所述电流扩展层的材质为导电材料，且所述导电材料与形成所述外延层的半导体材料不相同，其电导率比外延层材料高，因而电流扩展的距离也要高。本发明的器件可以做到较大尺寸和功率，并不需要采用额外的用于电流扩展的电极延长或多个电极并联，从而改善电流扩展，提高了器件的均匀性、功率和效率。

公开(公告)号：CN106785913A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710005563.3

申请日：2017-01-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  陶涛 ,  智婷 ,  张荣 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  陈敦军 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  H01S5/3013

Abstract: 本发明公开了一种GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器，由基片和InGaN/GaN量子阱纳米柱组成，基片结构依次包括：SiO2‑Si衬底、金属层、超薄氧化物层；所述InGaN/GaN量子阱纳米柱放置于超薄氧化物层表面，其结构依次包括：蓝宝石衬底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层和p型GaN层。并公开了其制备方法。该激光器结构具有以下优点：(1)具有很小的光模体积，能够突破光的衍射极限，实现亚微米尺寸激光器；(2)具有极低的激射阈值，MUTOS激光结构能够在0.15kW/cm2的光泵下产生激射；(3)能够对激光的模式进行调控，实现单模和多模激光发射。本发明的激光器结构在超高分辨智能显示，复杂生物成像，硅基集成电路与光电子器件光电互联方面都有潜在应用价值。

公开(公告)号：CN103966621B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201410026998.2

申请日：2014-01-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  陶涛 ,  智婷 ,  谢自力 ,  刘斌 ,  陈鹏 ,  修向前 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: C25B1/04 ,  C25B11/04 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

CPC classification number: Y02E60/366

Abstract: 本发明涉及一种分布布拉格反射镜增强InGaN的电极，在衬底从下至上依次包括GaN层、厚度50nm?5um，InGaN层、10nm?1um，从InGaN层暴露出的部分GaN层上设有n电极；衬底另一面为DBR层；所述DBR层由高折射率材料和低折射率材料交替组合构成。GaN层厚度1?5μm、InGaN层厚度100?500nm；DBR层为8?16周期，高折射率与低折射率的材料两者厚度分别为40?70nm和60?90nm。利用生长DBR布拉格反射镜在InGaN电极背面来增强光催化分解水效率的方法，实现了较低的暗电流和低开启电压。

公开(公告)号：CN101355127B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200810124467.1

申请日：2008-07-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  韩平 ,  修向前 ,  陈鹏 ,  陆海 ,  刘斌 ,  顾书林 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种提高III族氮化物LED发光效率的量子阱结构，包括蓝宝石衬底层(6)，缓冲层(5)，过渡层(4)，N型导电层(3)，量子阱结构层(2)，P型导电层(1)以及电极层(7)；衬底层(6)上依次为GaN构成的缓冲层(5)，GaN构成的过渡层(4)，N型GaN构成的N型导电层(3)，InGaN/AlGaInN交替构成的量子阱结构层(2)，P型GaN构成的P型导电层(1)以及电极层(7)。量子阱结构层(2)是5-10个周期且层厚分别为5-20nm/15-40nm的InGaN/AlGaInN量子阱结构层。

公开(公告)号：CN101560692A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910027926.9

申请日：2009-05-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  刘斌 ,  修向前 ,  华雪梅 ,  赵红 ,  傅德颐 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: C30B25/08 ,  C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  C30B29/38 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  C23C16/02 ,  C23C8/24 ,  C23C28/04

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/0218 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403

Abstract: 一种非极性面InN材料的生长方法，利用金属有机物化学汽相外延MOCVD生长系统，在铝酸锂LiAlO2(100)衬底上合成生长m面InN材料以及高In组分m面InGaN材料，所述m面是非极性面的一种，高In组分指InxGa1－xN材料中In组分x大于0.3。本发明利用MOCVD生长系统，采用LiAlO2(100)材料作为衬底、对LiAlO2(100)衬底进行处理以及利用低温缓冲层，合成生长m面InN材料以及高In组分m面InGaN材料，通过选择合适的衬底，在MOCVD系统下，选择适当的生长的技术条件，并利用缓冲层的设计，生产得到非极性面InN材料。

公开(公告)号：CN100378255C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510094184.3

申请日：2005-09-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  刘成祥 ,  韩平 ,  周圣明 ,  修向前 ,  刘斌 ,  李亮 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  胡立群

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/205

Abstract: 一种a面和m面 GaN 薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中用铝酸锂做衬底生长a面或m面的 GaN 材料，在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，时间为10-60分钟，或然后通入氨气进行表面氮化，时间为10-60分钟；然后在500-1050℃温度范围通入载气 H2和或 N2， NH3气以及金属有机镓源，金属有机镓源流量为1-50sccm； NH3气500-7000sccm； N 与 Ga 之摩尔比为500-3000，在(302)或(100)铝酸锂衬底上合成生长a面或m面的 GaN 材料，生长温度500-1050℃温度下，时间为10-60分钟。本发明 GaN 薄膜具有更好的应用价值，且薄膜厚度可以控制。