离子束引出用电极、离子源和引出电极系统

    公开(公告)号:CN118571737A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202311022677.0

    申请日:2023-08-14

    Abstract: 本发明提供离子束引出用电极、离子源和引出电极系统,能够抑制堆积物向引出电极系统的堆积,并且能够消除伴随于此的各种问题。离子束引出用电极具备:第一构件,形成有供离子束通过的离子束通过孔(20h);第二构件,与第一构件对置配置,并且形成有离子束通过孔(20h);加热器(50),至少一部分配置在第一构件与第二构件之间;以及气体阻断构件(60),阻断气体从离子束通过孔(20h)流动到第一构件与第二构件之间。

    基板保持装置以及离子注入装置

    公开(公告)号:CN114188202B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202110715711.7

    申请日:2021-06-25

    Abstract: 本发明提供一种基板保持装置以及离子注入装置,能够抑制保持基板的支架变形。所述基板保持装置具备:保持基板的支架;与支架接合并规定支架的旋转轴的轴部件;以及支承轴部件的支架支承部件,通过使支架绕规定的旋转轴进行旋转动作而能够在倒伏位置与立起位置之间移动,支架具备:彼此分离地配置在旋转轴上的多个基板支承部件;以及将多个基板支承部件的一端部连结的第一连结部件,轴部件沿着所述旋转轴与各基板支承部件接合。

    离子源
    114.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110504148B

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN201811608893.2

    申请日:2018-12-27

    Inventor: 山元徹朗

    Abstract: 本发明提供一种离子源。利用形成有离子束引出用的长孔的碳构件,抑制剥离后的堆积物横跨长孔而致使引出的离子束的束电流量减少。离子源(IS)具有形成有离子束引出用的长孔(H)的碳构件(C),在长孔(H)的长边形成有切口(E)。

    静电吸盘
    116.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108735648B

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN201810035985.X

    申请日:2018-01-15

    Abstract: 本发明提供一种静电吸盘,该静电吸盘具有在处理带有肋的晶片方面最适合的接地销配置。静电吸盘(E)支承在外周部具有环状的肋(R)的带有肋的晶片(W),该静电吸盘(E)包括与晶片(W)接触的接地销(P),接地销(P)与肋(R)接触。

    离子源支承台
    117.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109516106B

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201711143720.3

    申请日:2017-11-17

    Abstract: 本发明提供离子源支承台,能够以稳定的状态使放置在离子源支承台(X)上的离子源(101)成为倒伏姿势。离子源支承台(X)用于放置离子源(101),所述离子源(101)包括长条状的等离子体生成容器(10)和一对辊(31),所述一对辊(31)设置于等离子体生成容器(10)的在与长边方向垂直的方向上相对的侧壁(11b)上,离子源支承台(X)包括:一对轨道(5),在离子源(101)悬吊的状态下,可转动地放置一对辊(31);以及牵引机构(6),在一对辊(31)放置在一对轨道(5)上的状态下,将离子源(101)从轨道(5)的一端(A)侧向另一端(B)侧牵引。

    质量分离器
    118.
    发明公开
    质量分离器 审中-实审

    公开(公告)号:CN111755301A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010166744.6

    申请日:2020-03-11

    Abstract: 本发明涉及一种质量分离器,课题在于可在不使作业变得繁重下进行束路径的清扫等维护。本发明为一种对离子束(IB)进行质量分离的质量分离器(100),该质量分离器具备:移动机构(30),用以使属于包围束路径(L)的由磁性体所构成的磁轭(13)的构成要素的位于束路径(L)的上方、下方或侧方的上部磁轭(13a)、下部磁轭(13b)或侧方磁轭(13c、d)的至少任一者,于离子束(IB)的行进中的通常位置(P)与不和通常位置(P)的至少一部分重叠的退避位置(Q)之间移动。

    离子源
    119.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111739774A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN201911375354.3

    申请日:2019-12-27

    Abstract: 本发明提供一种离子源,其抑制由正离子引起的热阴极的电子放出部的损耗。离子源(10)采用如下结构,即,具备:等离子体生成容器(20);热阴极(30),配置在等离子体生成容器(20)的外侧并朝向等离子体生成容器内放出电子(e);以及发射极电源(Ee),向热阴极(30)施加相对于等离子体生成容器(20)为正的直流电压,其中,离子源(10)具备交叉电场形成元件(40),该交叉电场形成元件在电子(e)从热阴极(30)的电子放出部(30a)到达等离子体生成容器内所经过的区域中的至少一部分区域(R1)中,在与从电子放出部朝向等离子体生成容器内的方向交叉的交叉方向(D)上形成交叉的交叉电场(E1)。

    等离子体源
    120.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108933076B

    公开(公告)日:2020-05-29

    申请号:CN201810035138.3

    申请日:2018-01-15

    Abstract: 本发明提供能够实现装置尺寸的小型化和抑制永磁铁升温两者的等离子体源。等离子体源(1)包括:室(2),在内部生成等离子体;一对镜像磁铁(m1、m2),在室(2)的周围沿第一方向(Z)配置;以及勾形磁铁(c),配置在一对镜像磁铁(m1、m2)之间,勾形磁铁(c)由多个永磁铁(P)构成,所述多个永磁铁(P)在与第一方向(Z)垂直的面内在室(2)的周围隔开间隙(S)配置,所述永磁铁(P)的室一侧的极性与相邻配置的所述永磁铁(P)的极性交替不同,各镜像磁铁(m1、m2)由多个永磁铁(P)构成,所述多个永磁铁(P)在与第一方向(Z)垂直的面内,以室一侧的极性为同极性的方式在室(2)的周围隔开间隙(S)配置,各镜像磁铁(m1、m2)的室一侧的极性不同。

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