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公开(公告)号：CN113447795A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110716594.6
申请日：2021-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种超导单磁通量子电路的测试系统及方法，包括：至少两部分待测电路，及与各待测电路一一对应的偏置参考电路；各待测电路依次连接，后级待测电路的输入端连接前级待测电路的输出端；各待测电路与对应的偏置参考电路接收同一偏置信号，通过所述偏置参考电路的输出信号调整对应偏置信号。本发明的超导单磁通量子电路的测试系统及方法单输入单输出，测试较为快捷方便，且有一定的复杂度，比较容易测出偏置信号但又不至于使得偏置信号的工作范围太大而没有参考意义；本发明为大规模电路的测试的偏置调节提供了参考，能极大地提高测试效率。
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公开(公告)号：CN113098435A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110367341.2
申请日：2021-04-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H9/72 , G01R31/3181
Abstract: 本发明提供一种超导高频降频模块和方法，接收高频时钟信号，将所述高频时钟信号转换成降频时钟子信号和二倍时钟信号，基于二倍时钟信号进行复位，对测试信号进行周期性选择抽样，从而将所述测试信号转换为降频测试信号；本发明还提供一种超导高频测试系统和方法基于线性反馈移位寄存器进行实现；本发明的电路结构相对比较简单；可以实现持续性的高频测试，更符合待测电路的实际工作情况；数据降频系统通过对输出的GHz级别的高频信号进行降频处理，将频率降低到KHz级别，可以直接输出，简化了整个测试系统。
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公开(公告)号：CN111947778B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010837660.0
申请日：2020-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种超导纳米线及超导纳米线单光子探测器，包括：依次形成于衬底上的光学结构及超导纳米线，超导纳米线包括依次交替叠置的n层电隔离层及n+1层超导纳米材料层；各超导纳米材料层的厚度从下至上依次递增、宽度从下至上依次递减，各超导纳米材料层的材料相同，具有两层以上电隔离层时各电隔离层的材料相同，n为大于等于1的自然数。本发明采用叠层结构的纳米线提升吸收效率；同时将上层的纳米线设置为具有较大的厚度，以补偿加工上的缺陷，进一步提升上层纳米线的吸收效率，实现高效探测；叠层结构中每层超导纳米材料层厚度均比较薄，可以保证每条超导纳米线都能较好响应光子；还通过设置反射镜结构或薄膜覆盖层得到不同的光谱响应特性。
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公开(公告)号：CN110246762B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910506664.8
申请日：2019-06-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种金属侧壁的制备方法及器件结构，所述制备方法包括：提供一衬底，并于所述衬底的上表面由下至上依次形成金属薄膜层及掩膜图形层，其中所述掩膜图形层暴露出部分所述金属薄膜层；以所述掩膜图形层为刻蚀掩膜，采用离子束刻蚀工艺对所述金属薄膜层进行刻蚀，以于所述金属薄膜层中形成刻蚀沟槽，同时利用刻蚀过程中金属原子的再沉积于所述掩膜图形层的侧壁表面形成金属侧壁；对所述金属侧壁进行掩膜去除处理，以去除所述金属侧壁外表面的掩膜图形层。通过本发明解决了现有采用光刻工艺或剥离工艺制备金属侧壁时因受限于光刻精度无法制备出超薄金属侧壁的问题。
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公开(公告)号：CN111969101A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010871236.8
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于NbN的约瑟夫森结及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，形成NbN底层膜、金属NbNx势垒层以及NbN顶层膜，刻蚀定义底电极和结区，形成隔离层和配线层。本发明通过离子氮化工艺形成金属NbNx势垒层，得到SNS结构约瑟夫森结，无需并联电阻，解决了SIS结构约瑟夫森结磁通噪声及集成度的问题，提高了工艺重复性以及稳定性，势垒层材料的电阻率及厚度等可通过离子氮化时间及功率等参数自由调控，有效避免了S/N界面处绝缘层的形成，具有表面平整度高以及氮化均匀性好等特点，改善了SNS结的特征电压IcRn很小，限制了器件的高频应用的缺陷，有利于高质量NbN SNS约瑟夫森结的研发。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111969099A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010871230.0
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种堆栈结构SNS约瑟夫森结的制备方法，堆栈结构SNS约瑟夫森结的制备包括提供衬底，制备NbN底层膜、超导金属复合叠层结构层以及NbN顶层膜，定义底电极和结区，制备隔离层和配线层。本发明通过引入堆栈结构SNS约瑟夫森结的制备方法，在保证输出电压的前提下成倍数的减少了分布式阵列的数量；调控磁控溅射参数实现了超导NbN和正常金属NbNx的制备，NbN/NbNx/NbN…NbN/NbNx/NbN叠层结构可以基于原位生长制备，可以防止层间污染，室温生长还能可以保证界面清晰无扩散，更加简化了结的工艺流程。
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公开(公告)号：CN111947778A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010837660.0
申请日：2020-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种超导纳米线及超导纳米线单光子探测器，包括：依次形成于衬底上的光学结构及超导纳米线，超导纳米线包括依次交替叠置的n层电隔离层及n+1层超导纳米材料层；各超导纳米材料层的厚度从下至上依次递增、宽度从下至上依次递减，各超导纳米材料层的材料相同，具有两层以上电隔离层时各电隔离层的材料相同，n为大于等于1的自然数。本发明采用叠层结构的纳米线提升吸收效率；同时将上层的纳米线设置为具有较大的厚度，以补偿加工上的缺陷，进一步提升上层纳米线的吸收效率，实现高效探测；叠层结构中每层超导纳米材料层厚度均比较薄，可以保证每条超导纳米线都能较好响应光子；还通过设置反射镜结构或薄膜覆盖层得到不同的光谱响应特性。
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公开(公告)号：CN111724836A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010493002.4
申请日：2020-06-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/15 , G11C11/413
Abstract: 本申请涉及一种超导磁通存储单元及其读写方法，超导磁通存储单元包括存储环路、选址电路和读取电路；存储环路包括第一约瑟夫森结；第一约瑟夫森结具有偏离正弦函数的电流相位关系，通过扫描偏置电流形成稳定磁通存储回滞；选址电路，用于调节第一约瑟夫森结的临界电流，以改变存储环路的磁通存储回滞大小；读取电路，用于原位读取存储环路的磁通状态。本申请存储环路中第一约瑟夫森结的电流相位关系与正弦函数之间的偏移量可等效于存储环路的电感在形成存储回滞中的作用，如此，可以使超导磁通存储单元摆脱对于因环路电感需求而产生的最小面积限制，从而可以大幅度缩小超导磁通存储单元的面积。
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公开(公告)号：CN111682022A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010396987.9
申请日：2020-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于异层JTL布局布线的超导集成电路设计方法，包括以下步骤：对单元库的单元数据接口进行割分偏置圈的处理，并留出通孔的位置；按照电路逻辑原理图对逻辑单元层上的单元进行布局摆设；采用逻辑单元层的JTL和分路单元进行每个单元的时钟线连接；使用位于与所述逻辑单元层不在同一层的横向JTL布线层和纵向JTL布线层的JTL对每个单元进行数据连接，其中，所述横向JTL布线层的JTL作为单元之间数据横向的布线单元，所述纵向JTL布线层的JTL作为单元之间数据纵向的布线单元，上层的JTL与下层的单元数据接口的位置通过调用通孔实现连接。本发明解决了JTL不利于布线的缺点。
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公开(公告)号：CN111575668A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010290064.5
申请日：2020-04-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种磁性掺杂超导薄膜及制备方法和超导转变边沿探测器，涉及低温超导探测器技术领域。本发明通过在衬底上形成预设的宿主薄膜，并在宿主薄膜的深度方向进行非均匀注入磁性离子，在宿主薄膜的深度方向上形成共存的磁性掺杂区和非掺杂区，得到磁性掺杂超导薄膜。本发明采用非均匀的离子注入方式，能够有效抑制宿主薄膜的超导特性，起到调控宿主薄膜的临界温度的目的。相对于现有技术，本发明在达到相同的临界温度调控的同时，还可以获得更低的电阻率；由于该磁性掺杂超导薄膜具有较高的稳定性，能够使超导转变边沿探测器的制备和性能避免因双层膜不稳定性带来的影响，能够极大地提高超导转变边沿探测器制备过程中和使用性能的稳定性。
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