公开(公告)号：CN101993667A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010249200.2

申请日：2010-08-05

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 水野浩二 ,  浅井文辉 ,  佐佐木贵俊

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/08 ,  H01L21/68 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B37/1284 ,  B32B38/164 ,  B32B2309/02 ,  B32B2309/105 ,  B32B2310/0806 ,  B32B2310/0831 ,  C09J7/29 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  H01L2221/6834 ,  Y10T428/24959

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种半导体晶圆保持保护用粘合片及半导体晶圆的背面磨削方法，该粘合片能够有效地防止因近年来半导体晶圆的电路图案等的形成面中的凹凸引起的残胶。一种半导体晶圆保持保护用粘合片，其是用于粘附在半导体晶圆表面来保持保护半导体晶圆的粘合片(40)，中间层(20)及粘合剂层(30)以该顺序配置在基材层(10)的单面，粘合剂层(30)利用辐射线固化型粘合剂以厚度1～50μm而形成，且断裂应力为0.5～10MPa，中间层(20)以厚度10～500μm而形成，且弹性模量为0.01～5MPa。

公开(公告)号：CN101602148A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910203670.2

申请日：2009-06-09

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高桥智一 ,  浅井文辉 ,  东别府优树

IPC: B23K26/00

CPC classification number: B23K26/18 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  C09J7/29 ,  C09J2423/006 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/78 ,  Y10T428/263 ,  Y10T428/264 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2848

Abstract: 本发明提供一种激光加工用粘合片和激光加工方法，其在利用激光对被加工物进行激光加工时，可防止基材和吸附台的熔接、生产效率良好且易于进行被加工物的激光加工。本发明的激光加工用粘合片，其特征在于，其为在利用波长为紫外光区域的激光或者能够进行经由多光子吸收过程的紫外光区域的光吸收的激光对被加工物进行激光加工时使用的激光加工用粘合片，其中，具有基材和设于该基材的一个面上的粘合剂层，前述基材的另一个面的熔点为80℃以上，且对前述另一个面照射前述激光时的蚀刻率(蚀刻速度/能量密度)为0.1[(μm/pulse)/(J/cm2)]以下。

公开(公告)号：CN101573423A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200780049274.8

申请日：2007-12-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 新谷寿朗 ,  山本晃好 ,  浅井文辉 ,  桥本浩一

IPC: C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J133/06 ,  H01L21/301

CPC classification number: C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于，提供几乎能够完全防止激光印字的消失、并且几乎能够完全防止衬底切割时胶糊残留的稳定的粘合片。一种半导体衬底加工用粘合片，具备：对紫外线和/或放射线具有透射性的基材、和由紫外线和/或放射线引起聚合固化反应的粘合剂层，并且该粘合剂层的厚度为7～15μm。

公开(公告)号：CN101186789A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710146958.1

申请日：2007-09-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大川雄士 ,  高桥智一 ,  浅井文辉 ,  新谷寿朗

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/302

CPC classification number: C09J11/08 ,  C08L71/00 ,  C08L2666/22 ,  C09J7/38 ,  C09J133/14 ,  C09J139/06 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/3025

Abstract: 本发明涉及切割用压敏粘着带或片，其包括基材和在基材的至少一侧上布置的压敏粘着剂层，其中所述的在基材的至少一侧上布置的压敏粘着剂层含有基于所有组分为2－12重量％的含羟基化合物或其衍生物，其中压敏粘着带或片待施用于处在未被自然氧化膜完全覆盖状态下的活性面。所述含羟基化合物或其衍生物优选是聚亚烷基二醇或其衍生物。所述压敏粘着剂层优选是辐射固化型压敏粘着剂层。

公开(公告)号：CN101134876A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710146801.9

申请日：2007-08-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 三木翼 ,  浅井文辉 ,  高桥智一 ,  佐佐木贵俊 ,  新谷寿朗 ,  山本晃好

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/02 ,  C09J121/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B23K26/146 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  C09J4/06 ,  C09J7/241 ,  C09J2201/20 ,  C09J2203/326 ,  C09J2407/00 ,  C09J2409/00 ,  C09J2423/006 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T428/24273

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种喷水激光切割用粘合片，在喷水激光切割中，可以一边维持来自液体流的液体的透过性，一边在切割后的拾取时获得充分的扩展性。其结果是，在剥离芯片或IC部件等时，可以在邻接的芯片等之间确保适当的空间，并且不会产生由于芯片间的接触、拾取产生的碰撞等导致的缺损等缺陷，可以加工极薄的半导体晶片或材料。本发明涉及一种喷水激光切割用粘合片，该粘合片是在基材膜上叠层粘合剂层而形成的，其中，该粘合片具有穿孔，且空隙率为3～90％，并且其断裂伸长率为100％以上。

公开(公告)号：CN101130670A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710142375.1

申请日：2007-08-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 佐佐木贵俊 ,  高桥智一 ,  浅井文辉 ,  山本晃好 ,  新谷寿朗

IPC: C09J7/02 ,  B23K26/00

CPC classification number: B23K26/18 ,  C09J7/29 ,  Y10T428/2848

Abstract: 本发明提供一种激光加工用粘接片，在使用激光切断半导体晶片等被加工物时，能把基体材料膜自身的切断限制到最小左右，防止基体材料膜向加工用工作台的局部附着，能容易且高效率地进行以后的工序。在基体材料膜的表面上层合有粘接剂层的激光加工用粘接片，所述基体材料膜在背面具有熔化保护层。

公开(公告)号：CN101130669A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710142361.X

申请日：2007-08-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 新谷寿朗 ,  浅井文辉 ,  山本和彦

IPC: C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C08K5/0008 ,  C08L2312/06 ,  C09D133/08 ,  C09J7/50 ,  C09J2203/326 ,  C09J2427/006 ,  C09J2433/001 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T428/2809

Abstract: 本发明涉及一种用于加工的压敏黏合片，其包括基材；包含可辐射聚合化合物的压敏黏合剂层；和包含玻璃化转变温度为20℃以上的丙烯酸类聚合物作为主要成分的中间层，该中间层布置在所述基材和所述压敏黏合剂层之间。本发明压敏黏合片的压敏黏合性能、可剥离性和膨胀性优异。