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公开(公告)号：CN104345261A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310341916.9
申请日：2013-08-07
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明披露了一种电路使用期计量装置与方法，电路使用期计量装置用来估测一目标电路的剩余使用期，包含：一参考时钟接收端，用来接收一参考时钟；一关联信号产生电路，用来提供一关联信号，该关联信号产生电路与该目标电路的至少部分操作条件为同步变化；一储存电路，用来储存该参考时钟与该关联信号的一初始关系；一计量电路，耦接该参考时钟接收端与该关联信号产生电路，用来计量该参考时钟与该关联信号的一当前关系；以及一估测电路，耦接该储存电路与该计量电路，用来依据该初始关系与该当前关系产生一估测值，其中该估测值指示该目标电路的剩余使用期。
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公开(公告)号：CN104078449A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201310104654.4
申请日：2013-03-28
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
发明人： 叶达勋
CPC分类号： H01L2224/16225
摘要： 本发明公开了一种集成电感结构以及一种集成电感结构制造方法，该集成电感结构包含有：一半导体基底、多个深沟槽以及一电感。所述多个深沟槽形成于该半导体基底中并排列成一特定图案，且所述多个深沟槽中填充一金属材料，以形成一图案式接地防护；以及该电感形成于该半导体基底上方。该集成电感结构制造方法包含有：形成一半导体基底；于该半导体基底中形成多个深沟槽，并将所述多个深沟槽排列成一特定图案；于所述多个深沟槽中填充一金属材料，以形成一图案式接地防护；以及于该半导体基底上方形成一电感。
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公开(公告)号：CN104078441A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201310105936.6
申请日：2013-03-28
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
发明人： 叶达勋
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/64 , H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种集成电感结构以及集成电感结构制造方法，该集成电感结构包含有：一半导体基底、多个直通硅晶穿孔以及一电感。该多个直通硅晶穿孔形成于该半导体基底中并排列成一特定图案，且该多个直通硅晶穿孔中填充一金属材料，以形成一图案式接地防护；以及该电感形成于该半导体基底上方。该集成电感结构制造方法包含有：形成一半导体基底；于该半导体基底中形成多个直通硅晶穿孔，并将该多个直通硅晶穿孔排列成一特定图案；于该多个直通硅晶穿孔中填充一金属材料，以形成一图案式接地防护；以及于该半导体基底上方形成一电感。
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公开(公告)号：CN103681650A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210327086.X
申请日：2012-09-06
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种集成电路，其包括一封装本体、多个接口连接件、一功能芯片和一静电防护芯片。接口连接件位在封装本体的外表面上。其中，功能芯片具有电子功能电路，而静电防护芯片具有静电防护电路。于此，静电防护电路电性连接至作为数据交换路径的接口连接件。本发明的集成电路设计方案能使工艺技术的选用及电路的设计更加有弹性，进而能相对降低成本。
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公开(公告)号：CN103579305A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310444507.1
申请日：2013-09-23
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
发明人： 叶达勋
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/762
CPC分类号： H01L23/5223 , H01L21/76224 , H01L21/76898 , H01L23/58
摘要： 本发明公开一种金属沟渠去耦合电容结构及其形成方法，该金属沟渠去耦合电容结构包含位于基材中的垂直的沟渠、位于垂直的沟渠内壁上的绝缘层、覆盖基材与绝缘层的层间介电层、位于基材上内连线金属层，其穿过层间介电层而填满垂直的沟渠，此内连线金属层电连接电源。本发明的金属沟渠去耦合电容结构，具有深入基材中、接电源的金属桩，可以抑制电源噪声。
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公开(公告)号：CN102103921B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200910253460.4
申请日：2009-12-16
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
IPC分类号： H01F17/00 , H01L23/522
摘要： 本发明公开一种螺旋电感堆叠结构，其包含第一、第二金属层及第一组、第二组介电窗。第一金属层包含第一、第二、第三线段，第三线段的布局方向不同于第一、第二线段的布局方向。第二金属层包含第四、第五、第六线段，第六线段连接第五线段且第六线段的布局方向不同于第四、第五线段的布局方向。第一组介电窗连接第一、第四线段，且三者构成第一并联绕线。第二组介电窗连接第二、第五线段，且三者构成第二并联绕线。第三、第六线段构成跨线区域。
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公开(公告)号：CN102655139A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210026612.9
申请日：2012-02-07
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
CPC分类号： H01F21/12 , H01F2021/125 , H01L23/5227 , H01L23/645 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种可变电感，包含有一电感元件以及一第一电感调整电路。该第一电感调整电路包含有一第一开环回路结构以及一第一开关元件。该第一开关元件耦接于该第一开环回路结构。当该第一开关元件处于一导通状态时，该第一开环回路结构与该第一开关元件能够形成一第一闭环回路，以产生一第一磁通量来改变该电感元件运作时的一磁通量。
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公开(公告)号：CN101521226B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810081284.6
申请日：2008-02-26
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种金属氧化物半导体晶体管及其制作方法，通过在半导体基底中的漏极区移除源极轻掺杂区与晕型掺杂区，以增加作为电压可控制电阻时的电阻线性度范围。此外，移除源极轻掺杂区与晕型掺杂是经由逻辑运算层来修改标准MOS工艺的掩模，因此无须使用额外的掩模。
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公开(公告)号：CN101471338A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710305211.6
申请日：2007-12-29
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L27/00 , H01L27/08 , H01L23/522 , H01L29/92
摘要： 本发明提供一种由第一电容与第二电容所组成的金属－氧化层－金属电容结构，其具有多个对称分支区段，沿着多个环状轮廓形成相互叉合的结构，具有最佳化的几何对称性，因此能得到优选的电容匹配效果，并具有较高的单位电容值，且在该半导体电容结构中可以根据不同需求来调整该第一电容以及该第二电容之间的电容值比值。本发明的金属－氧化层－金属电容结构不需要使用额外的光掩模，工艺费用较便宜，另外由于半导体工艺的进步，因此可叠加数目相当大的金属层，且因金属层之间的距离也变得愈来愈小，所以可得到愈来愈高的单位电容值。
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公开(公告)号：CN101436593A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200710186776.7
申请日：2007-11-16
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L27/08 , H01L23/522
摘要： 本发明公开了一种半导体电容结构及其布局，其提供一种具有多个对称环型区段的金属－氧化层－金属电容结构。本发明的金属－氧化层－金属电容结构不需要使用额外的光掩模，工艺费用较便宜。此外，由于半导体工艺的进步，因此可以迭加数目相当大的金属层，而且因为金属层之间的距离也变得愈来愈小，所以可以得到愈来愈高的单位电容值。
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