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公开(公告)号：CN111579609A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010472254.9
申请日：2020-05-29
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/30
Abstract: 本发明公开了一种基于钛酸锶/铝酸镧异质结的pH传感器，其结构包括：钛酸锶/铝酸镧异质结，以及蒸镀在LaAlO3层上的两块接触电极，接触电极下方的LaAlO3层被刻蚀掉，使得接触电极能直接接触到二维电子气，在两个接触电极之间留有感测区，感测区和接触电极之外的区域覆盖有保护层。本发明首次将氧化物异质结器件应用于溶液的pH值检测，器件采用无栅极单感测区设计，测试结果表明，器件对溶液pH值表现出良好的感测性能，且制备工艺简单，体积小，将在多领域具有广泛应用。
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公开(公告)号：CN111564540A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010428517.6
申请日：2020-05-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种一种高速InGaN多量子阱微纳LED发光器件阵列，在InGaN量子阱LED外延片上刻蚀形成蚀穿p型层、多量子阱层，深至n型层的纳米柱阵列，其特征在于：所述InGaN量子阱LED外延片分隔成四个区域，每个区域中的纳米柱阵列的直径一致，不同区域的纳米柱阵列的直径不同。并公开了其制备方法。本发明的高速InGaN多量子阱微纳LED发光器件阵列，在一个器件上划分成直径大小不同的四个区域，实现了不同直径和不同载流子寿命的微纳LED器件在同一衬底上的物理集成。器件自身的少数载流子寿命较小，响应速度更快，切换时间很短，因此可以作为响应时间短、刷新频率高的高速LED器件阵列。
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公开(公告)号：CN108872891B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201810430275.7
申请日：2018-05-08
Applicant: 南京大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明公开了一种测量比例电磁铁动作响应时间和速度的装置，所述继电器用于控制接通/关闭电磁铁电源；所述参考信号采样电路用于记录电磁铁激发信号；所述振动信号采样电路用于采集振动传感器的振动信号；所述记录仪有两个通道，参考信号采样电路接入第一通道，振动信号采样电路接入第二通道，记录仪将采集的两路信号传递给中央处理器，通过上位机显示并分析信号曲线；所述单片机发出阶跃脉冲信号，控制继电器以及记录仪的动作。并公开了测量比例电磁铁动作响应时间和速度的方法。本发明可用于对电磁铁动作响应性能进行有效检测，为不同种类、不同批次、不同个体的电磁铁进行定量分析提供了依据。
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公开(公告)号：CN110634943A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910976128.4
申请日：2019-10-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/20 , H01L21/337 , H01L29/808
Abstract: 本发明公开了一种利用MBE再生长的横向结构GaN基JFET器件及其制备方法。该方法首先利用金属有机物汽相化学沉积装置在硅衬底上外延好半绝缘的3-5μm的GaN层，再外延300nm左右的n-GaN沟道层，然后在外延好的器件结构上刻蚀出陡峭的n沟道台面，接着利用MBE在台面两侧通过掩模选区外延p-GaN，与中间n沟道台面形成横向突变的p-n结，从而构成一种具有横向沟道的结构简单的GaN-JFET。
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公开(公告)号：CN109616563A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811513203.5
申请日：2018-12-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种背电极通孔UVC半导体发光二极管，包括基于外延的UVC发光二极管结构，在n型层内设多个垂直通孔，n型金属电极分布在通孔中。并公开了其制备方法。本发明采用采用工艺简单、低损伤、高效出光的三维光散射结构，n型金属电极在二极管内部分布的孔中，每一个金属电极柱都是反射镜，实现最大程度的平面内光散射，大大增强了器件的出光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104507207B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201410677234.X
申请日：2014-11-21
Applicant: 南京大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明公开了一种高性能电流式多切LED控制器，包括输入整流单元、电压采样单元、逻辑控制单元、电流采样单元、恒流控制单元、开关阵列、电容、电阻和LED灯串；逻辑控制单元根据电压采集单元和电流采样单元采集的电压、电流信号发出控制信号给开关阵列控制LED灯串实现三切或四切的串转并的转换，并且发出控制信号调节恒流控制单元的电流值。本发明无纹波、低EMI、高效率、实现单电压输入范围、较高PF值、小型化、集成化和低成本，串联电容分压法极大的扩展了对输入电压变化的自适应并提高了系统效率，而且为LED提供了强大的滤波、供电；创新的电流监测自锁开关，极大的提高了系统的效率并减小了系统尺寸、降低了系统成本。
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公开(公告)号：CN107293625B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201710464683.X
申请日：2017-06-19
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件，其结构自下至上依次包括：一衬底；一生长在衬底上的GaN缓冲层；一生长在GaN缓冲层上的AlN插入层；一生长在AlN插入层上的AlxGa1‑xN层；并刻蚀形成贯穿AlxGa1‑xN层、AlN插入层，深至GaN缓冲层的纳米柱阵列；所述纳米柱阵列中，AlxGa1‑xN层的直径小于AlN插入层的直径。并公开了该AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件的制备方法。本发明利用纳米柱结构，释放异质外延薄膜中的应力，提高器件发光效率；通过改变阵列结构参数，调控光场分布，提高紫外光的抽取效率。采用优化的三层胶紫外软压印技术，可克服AlGaN外延片表面粗糙带来的缺陷，压印图形边缘平滑无锯齿，可实现大面积制备，且纳米柱阵列形状、直径大小可调，结构可转移。
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公开(公告)号：CN108645806A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810424359.X
申请日：2018-05-07
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/33 , G05B19/042 , G08C17/02
Abstract: 本发明公开了一种分布式水质监测装置，包括主机、移动互联网、若干个从机，所述主机是连接着互联网的PC计算机，充当整个监测系统的服务器，通过互联网接收从机发来的信息，完成对从机传来的信息的加工处理，并通过互联网向从机发出指令；主机和从机通过移动互联网通信。并公开了基于上述分布式水质监测装置的数据交互方法。本发明监控节点多、节点地域分布广、数据汇总方便、监测具有全局性；从机数据主动上传适时性强；主机可以远程启动测量、远程设置参数，方便管理和控制整个测量网络；“主-从”数据交互双向进行，交互命令短、误码率低、可靠性高、扩展能力强，执行效率高；测量网络从机数量扩展自由，在线状态清晰明了。
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公开(公告)号：CN105206727B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201510645324.5
申请日：2015-10-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件，InGaN/GaN多量子阱纳米柱两端的n型GaN层和p型GaN层离金属电极膜的距离在100nm以内或直接接触金属电极膜，且中间的InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层与金属电极膜隔离，在InGaN/GaN多量子阱纳米柱两端与金属电极膜接触的部位通过聚焦离子束系统二次沉积金属电极形成欧姆接触。本发明方法的主要特点是使用紫外光光刻和聚焦离子束二次沉积形成纳米柱的欧姆接触，使用该方法能够显著提高电极与纳米柱的对准精度和制备成功率，以及在制备电极的同时，不损伤InGaN/GaN多量子阱，从而实现较好的金属半导体接触，提高电注入的电流密度从而增加发光亮度。该方法适用于制备单纳米柱InGaN/GaN发光二极管，尤其适用于尺度小于紫外光光刻极限的纳米器件。
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公开(公告)号：CN104582134B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201410677176.0
申请日：2014-11-21
Applicant: 南京大学
IPC: H05B37/02
CPC classification number: Y02B20/42
Abstract: 本发明公开了一种车载控制器高精密流控电路，包括开关k101、直流电源、高频干扰源、二极管D5、滤波器、电阻R1、开关K102、电阻R2和电流检测单元；电阻R2上的电流为IS，AB支路上的电流为ID，支路BD上的电流为Io；电流检测单元用于检测总线电流IS，电流检测单元根据电流IS的大小，通过开关K102补偿电流ID，使总线电流IS维持为IS=ID+Io。本发明采用了非常巧妙而简洁的电路，避开了各种判断、开关、恒流电路的延时环节，大大提高了电路的响应速度，使能很好的抗击高频干扰，防止输入电流下跌至安全值以下；通过对关键器件的性能优化、集成及补偿，实现了高精密的流控电路。
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