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公开(公告)号:CN218525570U
公开(公告)日:2023-02-24
申请号:CN202221867189.0
申请日:2022-07-19
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本申请提供了一种封装件,包括:电子元件;封装层,围绕所述电子元件,并且所述封装层的顶面与所述电子元件的顶面共面;以及导热图案层,位于所述封装层上,其中,所述导热图案层包括连接部,以及突出于所述连接部并且分布在所述连接部的至少一侧处的固定部。
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公开(公告)号:CN217426738U
公开(公告)日:2022-09-13
申请号:CN202221031540.2
申请日:2022-04-29
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31
Abstract: 本申请的一些实施例提供了一种封装件,包括:引线框架;管芯,设置在所述引线框架上方;以及导热连接件,一体形成为从与所述管芯的远离所述引线框架的第一侧直接接触进一步连续延伸至与所述引线框架直接接触而没有任何界面。本申请提供的封装件使得封装件中的管芯和引线框架之间的界面更少,散热性能更好,并且长期可靠性得到提高。
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公开(公告)号:CN204792778U
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201520258369.2
申请日:2015-04-27
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/29
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/486 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本实用新型涉及一种半导体衬底结构及一种半导体封装。所述半导体衬底结构包含导电结构及电介质结构。所述导电结构具有第一导电表面及第二导电表面。所述电介质结构具有第一电介质表面及第二电介质表面。所述第一导电表面不从所述第一电介质表面突出。所述第二导电表面从所述第二电介质表面凹进。所述电介质结构的材料是固化光敏树脂。
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