公开(公告)号：CN110571158A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910779348.8

申请日：2017-04-28

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 陈天赐 ,  陈光雄 ,  王圣民 ,  李育颖 ,  彭淯慈

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065

Abstract: 一种半导体封装及其制造方法，所述半导体封装包括衬底、接垫、第一绝缘层、互连层和预先形成的导电柱。所述第一绝缘层安置于所述衬底上，且包括开口。所述接垫安置于所述衬底上且从所述开口暴露。所述互连层安置于所述接垫上。所述预先形成的导电柱，其包括底部表面，所述底部表面具有安置于所述互连层上的第一部分以及安置于所述第一绝缘层上且接触所述第一绝缘层的第二部分。

公开(公告)号：CN106158815B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201510196538.9

申请日：2015-04-23

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 陈天赐 ,  陈光雄 ,  王圣民 ,  李育颖

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及一种半导体衬底结构、半导体封装及其制造方法。所述半导体衬底结构包含导电结构和电介质结构。所述导电结构具有第一导电表面和与所述第一导电表面相对的第二导电表面。所述电介质结构遮盖所述导电结构的至少一部分，且具有第一电介质表面和与所述第一电介质表面相对的第二电介质表面。所述第一导电表面并非从所述第一电介质表面突出，且所述第二导电表面从所述第二电介质表面凹进。所述电介质结构包含光敏树脂或由其形成，且所述电介质结构界定在所述第二电介质表面中的电介质开口以暴露所述第二导电表面的一部分。

公开(公告)号：CN105097758B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201410186379.X

申请日：2014-05-05

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 陈天赐 ,  王圣民 ,  陈光雄 ,  李育颖

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/306

Abstract: 一种衬底、其半导体封装及其制造方法。所述衬底包括上线路层及下线路层，所述上线路层包括至少一个导电迹线及至少一个接垫，所述下线路层包括至少一个导电迹线及至少一个接垫，其中所述上线路层的所述至少一个导电迹线与所述下线路层的所述至少一个导电迹线的最小距离并非零。

公开(公告)号：CN108417563A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201710888837.8

申请日：2017-09-27

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 陈天赐 ,  陈光雄 ,  王圣民 ,  王奕程 ,  许文政 ,  彭淯慈

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/34 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供一种半导体装置封装，所述半导体装置封装包含：第一电路层，其具有第一表面和与所述第一侧相对的第二表面；第一电子组件；屏蔽元件；屏蔽层；以及模制层。所述第一电子组件安置于所述第一电路层的所述第一表面上，且电连接到所述第一电路层。所述屏蔽元件安置于所述第一电路层的所述第一表面上，且电连接到所述第一电路层。所述屏蔽元件安置为邻近于所述第一电子组件的至少一个侧。所述屏蔽层安置于所述第一电子组件和所述屏蔽元件上，且所述屏蔽层电连接到所述屏蔽元件。所述模制层囊封所述第一电子组件、所述屏蔽元件和所述屏蔽层的部分。

公开(公告)号：CN106158820B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201610657408.5

申请日：2013-07-05

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 陈天赐 ,  李俊哲 ,  王圣民

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H05K3/40

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/48 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/768 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一封装基板包括一中心部、一上电路层及数个柱体。该多个柱体位于该上电路层上，且从该上电路层朝上。该多个柱体的顶面大致上共平面。该多个柱体提供电性连接至一半导体晶粒。借此，改善该基板及该半导体晶粒间的焊料结合可靠度。

公开(公告)号：CN105489580A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201410474198.7

申请日：2014-09-17

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 陈天赐 ,  王圣民 ,  陈光雄 ,  李育颖

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/562 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明涉及一种半导体衬底及半导体封装结构。所述半导体衬底包括：绝缘层、第一线路层及多个导电凸块。所述绝缘层具有第一表面，所述第一线路层设置于邻近所述绝缘层的所述第一表面上。所述导电凸块设置于所述第一线路层上，每一导电凸块具有第一宽度及第二宽度，沿所述第一宽度延伸的第一方向垂直于沿所述第二宽度延伸的第二方向，且所述第一宽度大于所述第二宽度。

公开(公告)号：CN105226031A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201410312237.3

申请日：2014-07-02

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 陈天赐 ,  王圣民 ,  陈光雄 ,  李育颖

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/486 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种衬底、其半导体封装及其制造工艺。所述衬底包括：下电路层，具有下表面；上电路层，安置于所述下电路层上；电介质层，介于所述上电路层与所述下电路层之间，且界定出多个开口；及导电连接材料，位于所述开口中；其中所述上电路层的部分延伸到所述开口，且通过所述导电连接材料与所述下电路层连接。

公开(公告)号：CN102496581A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110434797.2

申请日：2011-12-22

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 陈天赐 ,  陈光雄 ,  王圣民 ,  冯相铭 ,  郭燕桦 ,  徐永颖 ,  杨智闵

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/14 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明关于一种半导体封装结构及其半导体封装基板的制造方法。该半导体封装结构包括一半导体封装基板、一芯片及一封胶材料。该半导体封装基板具有数个导通柱、数个条第一迹线及数个接触垫。这些导通柱具有一外径D。这些接触垫位于这些导通柱上方，且连接这些第一迹线，每一这些接触垫具有一最大宽度W，其中W为0.5D至1.5D。该芯片电性连接至显露于保护层的第一迹线。该封胶材料包覆该芯片。藉此，单位面积的迹线的数目可增加。

公开(公告)号：CN102064118A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010564544.2

申请日：2010-11-16

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 陈天赐 ,  陈光雄 ,  王圣民 ,  冯相铭 ,  李育颖 ,  郑秉昀

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/34 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/565 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体封装件的制造方法及制造其的封装模具，制造方法包括以下步骤。首先，提供散热片。然后，提供待封装元件，待封装元件包括基板及数个半导体元件，半导体元件设于基板上。然后，形成封装体于散热片与待封装元件之间，其中封装体包覆半导体元件。然后，形成数道第一切割狭缝，其中第一切割狭缝经过散热片及封装体的一部分。然后，形成数道第二切割狭缝，其中第二切割狭缝经过基板及封装体的其余部分并延伸至第一切割狭缝。

公开(公告)号：CN101131948A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200610126107.6

申请日：2006-08-22

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 王圣民 ,  张硕训 ,  张国华 ,  黄吉志 ,  陈志澄

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明关于提供一种形成金属凸块的方法，包括以下步骤：提供一个具有数个导电焊垫的基板；在基板上形成防焊层，且该防焊层具有第一开口以露出导电焊垫；在防焊层上形成光阻层，且该光阻层具有第二开口以露出导电焊垫；在光阻层上形成导电层，且该导电层覆盖该第二开口的侧壁、该第一开口的侧壁以及导电焊垫；在导电层上电镀金属层，且该金属层填满第一开口与第二开口；进行平坦化，以去除光阻层上的导电层以及金属层，只留下位于第一开口与第二开口中的导电层以及金属层；移除光阻层并进行回焊，以形成金属凸块。