公开(公告)号：CN101313092A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200680035406.7

申请日：2006-08-28

申请人： 斯莫特克有限公司

发明人： 穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔

IPC分类号： D01F9/127 ,  D01F9/08 ,  H01L51/00 ,  H01L21/04 ,  H01L23/373 ,  C01B31/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/26 ,  H01J1/304 ,  H01J3/02 ,  H01J9/02

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B01J23/755 ,  B01J23/76 ,  B82Y10/00 ,  D01F9/08 ,  D01F9/127 ,  H01B1/04 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53276 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了在导电或绝缘基底上生长的纳米结构，及其生长方法。根据权利要求的方法生长的纳米结构适用于电子器件的互联线和/或散热器。

公开(公告)号：CN100433251C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200610112308.0

申请日：2006-08-31

申请人： 韩国科学技术院

发明人： 李炳喆 ,  李政彦 ,  崔梁圭 ,  尹浚宝

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01F41/00 ,  C01B31/02 ,  B82B3/00

CPC分类号： H01L21/76877 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C99/0085 ,  B81C2201/034 ,  B82Y10/00 ,  H01F41/041 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53276 ,  H01L51/0048 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种通过在凹槽内填充碳纳米管以制备半导体器件的方法。所述的制备半导体器件方法包括：在衬底上图形化一层掩膜；在凹槽和通过图形化形成的掩膜的整个表面覆盖碳纳米管；将覆盖在整个掩膜表面的碳纳米管填进凹槽；去掩膜。

公开(公告)号：CN101276802A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810087411.3

申请日：2008-03-27

申请人： 富士通株式会社

发明人： 二瓶瑞久 ,  佐藤信太郎 ,  近藤大雄 ,  粟野祐二

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0293 ,  H05K1/09 ,  H05K3/146 ,  H05K2201/026 ,  H05K2201/0323 ,  H05K2203/173 ,  Y10T29/49169 ,  Y10T29/49194 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种布线结构及其形成方法。根据本发明一个实施例，通过自接触块的相对面朝彼此的相对面生长多个CNT来形成CNT束；以及，通过接触所述多个CNT使它们相交，以实现彼此的电连接。随后，以金属材料填充电连接后的CNT束的间隙，因此形成为该CNT束和该金属材料的复合状态的布线。

公开(公告)号：CN101208793A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680020459.1

申请日：2006-06-06

申请人： 英特尔公司

发明人： F·格斯特赖因 ,  A·拉瓦 ,  V·杜宾

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/53276 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种用于在半导体基材上形成互连的方法，包括：提供至少一种在沟槽之内的碳纳米管(304)，蚀刻所述碳纳米管的至少一部分以产生开口(602)，通过所述开口在所述碳纳米管上共形地沉积金属层，并且在所述基本上与所述碳纳米管连接的开口上形成金属化的接触(308)。可以使用原子层沉积工艺或无电镀覆工艺将金属层共形地沉积到所述碳纳米管上。可以沉积多个金属层以基本填充所述碳纳米管中的空隙。所述无电镀覆工艺可以使用超临界液体作为用于镀覆溶液的介质。在所述无电镀覆工艺之前可以对所述碳纳米管的润湿特性进行改性，以提高所述碳纳米管的亲水性。

公开(公告)号：CN206076285U

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201620818908.8

申请日：2016-07-29

申请人： 正昌新视界有限公司

发明人： 曹惠兰

IPC分类号： H01L33/62 ,  G09F9/33

CPC分类号： H01L27/156 ,  G09F9/301 ,  H01L23/14 ,  H01L23/5221 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/5328 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0066

摘要： 本实用新型涉及一种可挠的发光二极管显示屏，搭配单色LED或全彩LED背面导电端子位置的变化，使得单色LED或全彩LED可应用于透明可挠基板，且本实用新型乃利用桥接技术使交错之线路可藉由绝缘层加以隔离，故仅需单层基板，不仅可解决LED显示屏之复杂线路问题，提供一种可挠的发光二极管显示屏，且可大幅节省制程及材料成本。