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1302 条记录 (耗时 0.022 秒)

    具有无源存储元件的存储器中改善读取的方法
    122.
    发明授权
    具有无源存储元件的存储器中改善读取的方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN100442518C

    公开(公告)日：2008-12-10

    申请号：CN200410102241.3

    申请日：2004-12-11

    申请人： 因芬尼昂技术股份公司

    发明人： K·霍夫曼恩

    IPC分类号： H01L27/10 ,  G11C7/00 ,  G11C11/15

    CPC分类号： G11C7/1069 ,  G11C7/1051 ,  G11C11/14 ,  G11C2211/5647

    摘要： 本发明提供了一种在具有无源存储元件的存储器中改善读取信号的方法，其中所述的存储元件是设于字符线与位线的相交处，且所储存的数字信息是以所述存储元件的个别电阻表示。在具有无源存储元件(12-1，...，12-M，12-S)的存储器(10)中改善读取信号的方法中，以所述存储元件的各个电阻表示所储存的信息，在存写信息时，产生一检查以决定是否一逻辑层的各个位线(BL1)上有超过一半的信息位对应于所述存储元件的低值电阻，在各个位线的所有存储元件上转换所述信息位的逻辑层并产生一额外的检查位(S)，其各个逻辑层乃代表所述信息位的转换或非转换位。

    磁阻随机存取存储器及其制造方法
    123.
    发明授权
    磁阻随机存取存储器及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN100440372C

    公开(公告)日：2008-12-03

    申请号：CN03104485.9

    申请日：2003-02-17

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 朴玩濬 ,  李宅东 ,  朴炳国 ,  金泰完 ,  宋利宪 ,  朴祥珍

    IPC分类号： G11C11/15 ,  H01L43/08

    CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y10/00

    摘要： 一种磁阻随机存取存储器，包括MOS晶体管、下电极、第一磁层、介电阻挡层、第二磁层、上电极、第二栅极及位线。MOS晶体管由在半导体衬底上的第一栅极和源结及漏结构成。下电极和源结相连。第一磁层形成在下电极上。介电阻挡层形成在第一磁层上，并至少包括铝和铪，和第一磁层一道形成势阱。第二磁层形成在和第一磁层相对的介电阻挡层上。上电极形成在第二磁层上。第二栅极插在第一栅极和下电极之间，用于控制第一磁层和第二磁层中之一的磁数据。位线和第一栅极垂直，和上电极实现电连接。如添加有铪的氧化铝层这种氧化层作为阻挡层，则可改善阻挡层的特性，从而增加磁阻比。可改善磁阻随机存取存储器的数据存储能力。

    阵列式排列的掺杂钛酸锶和掺杂镧锰氧巨磁阻器件及制法
    125.
    发明授权
    阵列式排列的掺杂钛酸锶和掺杂镧锰氧巨磁阻器件及制法 失效

    公开(公告)号：CN100438114C

    公开(公告)日：2008-11-26

    申请号：CN02129247.7

    申请日：2002-09-27

    申请人： 中国科学院物理研究所

    发明人： 吕惠宾 ,  陈正豪 ,  颜雷 ,  戴守愚 ,  刘立峰 ,  相文峰 ,  郭海中 ,  何萌 ,  周岳亮 ,  杨国桢

    IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01F10/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/34

    摘要： 本发明涉及阵列式掺杂钛酸锶和掺杂镧锰氧巨磁阻器件，包括：在衬底上的p-n结结构，该p-n结结构有一p型掺杂镧锰氧外延层或n型掺杂钛酸锶外延层与n型掺杂钛酸锶外延层和p型掺杂镧锰氧外延层交替叠层设置在衬底上；在p-n结结构上通过光刻和刻蚀工艺，刻蚀出2个或2个以上巨磁阻器件单元，一对电极设置在最上面的外延层和衬底上，或设置在最上面的外延层和在衬底上的第一层外延层上，电极上连接引线；并且巨磁阻器件单元之间通过电极和引线串联或并联组成阵列式巨磁阻器件。该器件是一种多p-n结结构的高灵敏度磁功能器件，即使在室温和低强度磁场下，也仍然具有很高的灵敏度。本发明的制备方法简单，易于推广实现工业化生产。

    磁阻式随机存取存储器电路
    128.
    发明授权
    磁阻式随机存取存储器电路 失效

    公开(公告)号：CN100419904C

    公开(公告)日：2008-09-17

    申请号：CN200410048321.5

    申请日：2004-06-17

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 邓端理 ,  林文钦

    IPC分类号： G11C11/15

    CPC分类号： G11C11/16

    摘要： 一种磁阻式随机存取存储器电路，包括下列组件：多个磁阻式存储单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层。共同导电层是用以耦接磁阻式存储单元。多个限流装置分别具有第一极以及第二极，各限流装置的第一极是分别耦接于磁阻式存储单元。开关装置是耦接于共同导电层的一端，并具有一控制闸。多个字元线是分别耦接于限流装置的第二极，用以于执行编程动作时提供第一编程电流以及执行读取动作时提供读取电流。第一编程线是耦接于共同导电层的另一端，用以于执行编程动作时提供第二编程电流。第二编程线是耦接于开关装置。选取线是耦接于控制闸，用以提供一致能信号以导通上述开关装置。

    磁阻器件、磁头、磁存储设备以及磁存储器
    129.
    发明公开
    磁阻器件、磁头、磁存储设备以及磁存储器 无效

    公开(公告)号：CN101252166A

    公开(公告)日：2008-08-27

    申请号：CN200810080432.2

    申请日：2008-02-19

    申请人： 富士通株式会社

    发明人： 城后新 ,  清水丰

    IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01F10/32 ,  H01F10/16 ,  G11B5/39 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996

    摘要： 一种CPP型磁阻器件，包括：磁化被钉扎层；磁化自由层；以及非磁层，设置在所述磁化被钉扎层与所述磁化自由层之间。所述磁化自由层和所述磁化被钉扎层的至少其中一个由CoFeGe形成，所述CoFeGe的成分落入三元成分图表中由连接坐标点A、B、C、D的线段所限定的范围内，其中点A为(42.5，30，27.5)，点B为(35，52.5，12.5)，点C为(57.5，30.0，12.5)，点D为(45.0，27.5，27.5)，并且其中各坐标点由用原子百分比(at.％)表示的(Co，Fe，Ge)的含量百分比来表示。还提供包括上述磁阻器件的磁头、磁存储设备及磁存储器。能获得较高的MR比，并提高输出电平。

    隧道结非接触式位移测量方法及位移传感器
    130.
    发明公开
    隧道结非接触式位移测量方法及位移传感器 失效 转让

    公开(公告)号：CN101236096A

    公开(公告)日：2008-08-06

    申请号：CN200810020486.X

    申请日：2008-03-05

    申请人： 合肥智丰传感集成技术有限公司

    发明人： 戴芳馥

    IPC分类号： G01D5/16 ,  G01D5/26 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

    摘要： 本发明公开了一种隧道结非接触式位移测量方法及位移传感器，在基片上安装有隧道结阵列，所述的隧道结阵列外接有可以探测出每个隧道结电阻大小变化的外围电路，每个隧道结对应一个确定的位置信息；隧道结阵列上方设置一个可移动的激光光源，当激光光源发出的激光束照射到某一个隧道结上时，该隧道结的外围电路感知其电阻变化，从而得到该隧道结的位置信息，从而得出与激光光源位置相对应的待测对象的位移或长度。可以以较低的成本实现极高精度和稳定性的位移探测，由于其原理采用数字式，所以整个传感器系统具有极高的抗干扰性，并且由于没有采用通常磁珊型位移传感器所采用的磁珊尺，即使在强磁场下也不会损坏，并且在一定大小的磁场下也可以工作，拓宽了其应用领域。