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公开(公告)号：CN101685777A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200910173269.9
申请日：2009-09-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/283
CPC分类号： H01L21/306 , C23C16/0272 , C23C16/308 , C23C16/40 , C23C16/45525 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/30604 , H01L21/3141 , H01L21/3145 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , H01L21/3185 , H01L29/513 , H01L29/517
摘要： 本发明公开一种半导体装置的制造方法。该方法包括提供一基底；以自由基(radical)对基底进行处理，而在其上形成一界面层；以及在界面层上形成一高介电常数材料层。上述自由基是择自于以下群族：含水自由基、氮/氢自由基及硫/氢自由基。本发明的优点包括：(1)基底(通道)/界面层界面钝化；(2)因高介电常数前驱物而改变界面层表面(较接的润湿界面)；(3)在高介电常数材料沉积之后，界面层/高介电常数材料的界面钝化；(4)界面处的大气污染源少；(5)抑制热引扩散；(6)栅极介电层的EOT小于10埃。因此，栅极介电层的EOT符合先进的技术要求(例如，45nm以下)。
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公开(公告)号：CN101295763A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810005124.3
申请日：2008-01-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： G11C11/16 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/55
摘要： 本发明提供一种电阻式存储器装置及电阻式随机存取存储器堆叠结构，该电阻式存储器装置包含：第一电极层，形成于基底上；第一缓冲层，形成于该第一电极层上，其晶格结构具有第一位向；介电层，形成于该第一缓冲层上，其晶格结构与该第一缓冲层的具有第一位向的晶格结构相同，其中以该介电层形成于该第一缓冲层上的电阻率，大于另一以该介电层形成于该第一电极层上的电阻率；以及第二电极层，形成于该介电层上。本发明可增加介电层与一层或同时两层缓冲层间的同调性，从而改善RRAM堆叠层的电阻率。
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公开(公告)号：CN1507030A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN02155770.5
申请日：2002-12-06
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本发明提供一种使用于低驱动电压的铁电电容制造方法。此铁电电容的工艺首先在下电极上形成一层镍－镧氧化物(LaNiO3，LNO)层做为一层缓冲层，接着于其上使用溅射沉积(sputter deposition)的方法生长一层由钛酸铅锆(Pb(Zr1－xTix)O3，PZT)与铂(Pt)共同组成的铁电层，最后在铁电层上生长一层上电极。
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公开(公告)号：CN101295763B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810005124.3
申请日：2008-01-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： G11C11/16 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/55
摘要： 本发明提供一种电阻式存储器装置及电阻式随机存取存储器堆叠结构，该电阻式存储器装置包含：第一电极层，形成于基底上；第一缓冲层，形成于该第一电极层上，其晶格结构具有第一位向；介电层，形成于该第一缓冲层上，其晶格结构与该第一缓冲层的具有第一位向的晶格结构相同，其中以该介电层形成于该第一缓冲层上的电阻率，大于另一以该介电层形成于该第一电极层上的电阻率；以及第二电极层，形成于该介电层上。本发明可增加介电层与一层或同时两层缓冲层间的同调性，从而改善RRAM堆叠层的电阻率。
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公开(公告)号：CN1438689A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN02105021.X
申请日：2002-02-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/70 , H01L21/283 , H01L21/31 , H01L21/3205
摘要： 本发明涉及一种具有五氧化二钽(Ta2O5)介电层的电容器制造方法，适用于动态随机存取内存(dynamic random access memory，DRAM)中，其在形成有储存电极的基板上沉积Ta2O5介电层，且其中掺杂有二氧化钛(TiO2)使得介电层的成分为(Ta2O5)1－x(TiO2)x且满足0.15＜x＜0.25及Ti/Ta的原子百分比比率在8.8到16.7at.％的范围，并于经过氮化处理及氧化退火处理之后，接着在介电层上形成一相对电极以完成电容器的制造，可有效降低漏电流产生并维持高的储存容量。
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公开(公告)号：CN1251322C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN02155770.5
申请日：2002-12-06
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本发明提供一种使用于低驱动电压的铁电电容制造方法。此铁电电容的工艺首先在下电极上形成一层镍-镧氧化物(LaNiO3，LNO)层做为一层缓冲层，接着于其上使用溅射沉积(sputter deposition)的方法生长一层由钛酸铅锆(Pb(Zr1-xTix)O3，PZT)与铂(Pt)共同组成的铁电层，最后在铁电层上生长一层上电极。
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公开(公告)号：CN1215548C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN02105021.X
申请日：2002-02-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/70 , H01L21/283 , H01L21/31 , H01L21/3205
摘要： 本发明涉及一种具有五氧化二钽(Ta2O5)介电层的电容器制造方法，适用于动态随机存取内存(dynamic random access memory，DRAM)中，其在形成有储存电极的基板上沉积Ta2O5介电层，且其中掺杂有二氧化钛(TiO2)使得介电层的成分为(Ta2O5)1-x(TiO2)x且满足0.15＜x＜0.25及Ti/Ta的原子百分比比率在8.8到16.7at.%的范围，并于经过氮化处理及氧化退火处理之后，接着在介电层上形成一相对电极以完成电容器的制造，可有效降低漏电流产生并维持高的储存容量。
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