-
公开(公告)号：CN106129204A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610627269.1
申请日：2016-08-02
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于：所述p型GaN层被刻蚀成光栅结构，成为p型GaN光栅层，p型GaN光栅层上设有纳米双层金属光栅层。并公开了其制备方法。本发明通过在LED上布置复合光栅，包括p型GaN光栅和双层金属光栅，在p型GaN光栅和双层金属光栅之间会产生表面等离激元共振作用，直接加快复合过程，提高LED的内量子效率，从而从发光有源层直接发射强烈的偏振光。与传统的亚波长金属光栅只能实现偏振相比，本发明可以同时实现LED的发光效率增强和偏振出光，并且可以独立于材料生长过程。
-
公开(公告)号：CN105301080A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510780903.0
申请日：2015-11-13
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明提出了一种无栅AlGaN/GaN场效应晶体管传感器，在AlGaN/GaN异质结基片上蒸镀有电极，还包括钝化层，所述钝化层覆盖整个源端电极、源端电极PAD与漏端电极、漏端电极PAD，在覆盖源端电极PAD与漏端电极PAD的钝化层上刻蚀出窗口，深度至PAD显露；还包括离子印迹聚合物层，所述离子印迹聚合物层位于AlGaN层上，含有印迹孔穴。还公开了无栅AlGaN/GaN场效应晶体管传感器的制备方法。本发明制备的导电高聚物纳米复合材料具有单一离子识别的性能，可以提高器件的选择性吸附、抗干扰能力；还具有快速响应的特点，可以实现高精度的定量检测；通过NaCl溶液冲洗可以方便快捷的重复使用，具有使用方便、成本低、可用于水质的在线监测等特点。
-
公开(公告)号：CN104897598A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510328828.4
申请日：2015-06-15
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 本发明公开了水质COD的光谱测量装置，流通池固定在遮光箱中，至少两面透光，光源固定在遮光箱内表面，探测器固定在光源垂直正下方的遮光箱内表面；第一、二样品池设置于遮光箱外，第一水管连通流通池和待测水样，第二水管连通流通池和第一样品池，第三水管连通流通池和第二样品池，第四水管连接流通池底部出水口和遮光箱外界，其上设有蠕动泵，第五水管连接流通池顶部和遮光箱外界，所述单片机用于控制所有装置。并公开了使用该装置来测量水质COD的光谱测量方法。本发明可以快速准确的测量水质COD，且可以循环自动在线测量，吸收光谱比一般方法中直接测量蒸馏水配制的硝酸盐溶液、阴离子表面活性剂光谱更加接近实际水样情况。
-
公开(公告)号：CN104868023A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510237489.9
申请日：2015-05-11
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件，所述白光LED器件在p型电极和n型电极外的区域设有有序的纳米孔阵列，纳米孔阵列的深度从器件表面穿过量子阱有源层，直至n型氮化物层内部，所述纳米孔阵列内填充有II-VI族量子点。还公开了其制备方法。该类器件利用铟镓氮(InGaN)量子阱与II-VI量子点中激子间的非辐射复合能量转移，提高器件发光效率；通过改变填充量子点的种类和配比，以调节发光波长与强度，能够实现超高显色指数的氮化物/量子点混合结构的白光LED器件。
-
公开(公告)号：CN104619098A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510098832.6
申请日：2015-03-05
Applicant: 南京大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明公开了一种低压ET/TRIAC可调光LED适配器，包括谐振腔、第一增压转换模块、第二增压转换模块、相角检测模块和LED灯串；第一增压转换模块用于输入电压都保持，以防止输入电压跌落，从而维持后级变换器的输入电压的稳定；第二增压转换模块用于给LED负载提供恒定的电流；相角检测模块用于对输入电压的切相角进行检测并将检测结果送至第二增压转换模块，第二增压转换模块对输出电流进行调制控制，以给LED负载提供恒定的电流。本发明采用LC谐振腔使得ET反过来适应适配器，利用了逆向思维；采用了双升压方案，消除了输入电压不稳导致的闪烁。总之，本发明在良好兼容ET的同时具有优良的TRIAC调光效果。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103022211B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210580088.X
申请日：2012-12-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种极化增强的p-i-n结InGaN太阳电池，其结构由下至上依次为：衬底、GaN层、全应变弛豫高In组分InyGa1-yN层、InGaN超晶格层、高In组分n-InyGa1-yN层、高In组分i-InxGa1-xN层、高In组分p-InyGa1-yN层、p-GaN覆盖层；在高In组分n-InyGa1-yN层上引出负电极，在p-GaN覆盖层上引出正电极。本发明的p-i-n结InGaN太阳电池结构是直接生长在全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层上的，全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层不会对p-i-n结InGaN太阳电池层产生失配应力，可以有效提高p-i-n结InGaN太阳电池材料的质量和电池转换效率；另外较高In组分的n-InGaN层与p-InGaN层将较低In组分的i-InGaN层夹在中间，品格的失配在i-InGaN层中引入了拉应变，可进一步提高p-i-n结InGaN太阳电池的转换效率。
-
公开(公告)号：CN103137805A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310077631.9
申请日：2013-03-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于光电微型传感器的宽谱紫外发光二极管及其制作方法，采用不同铝组分的多量子阱结构作为有源区。本发明在结构中设计了AlGaN/AlN超晶格缓冲层，实现由蓝宝石衬底到n型AlGaN势垒层的应力释放，为材料的质量提供保障。因为在较低铝组分的AlGaN中才能形成良好的p型欧姆接触，所以有源层的结构也是采取先生长高铝组分的AlGaN层，再依次生长低铝组分的AlGaN层。p型Ni/Au欧姆电极大面积覆盖p型GaN欧姆接触层来实现电流的均匀传输。本发明提供的紫外发光二极管结构，其有源层的多个量子阱由不同铝组分的AlGaN材料构成，从而可以提高其光谱宽度，实现连续波段的紫外光源。
-
公开(公告)号：CN102420277B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110360361.3
申请日：2011-11-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法，步骤如下：1)在GaN模板或其它半导体薄膜表面沉积一层SiO2或SiNx介质薄膜材料，厚度为10～50nm，将PS和PMMA混合共聚物涂刷至介质薄膜表面，清洗PMMA后获得PS纳米柱图形，采用等离子体刻蚀将PS纳米柱图形转移至介质薄膜层上；将纳米柱图形制备如下参数：面密度达到0.8～1.0×1011cm-2；2)采用反应离子刻蚀将纳米柱点阵图形转移至SiNx或SiO2介质薄膜层，去掉聚苯乙烯获得可供MOCVD二次生长GaN纳米点结构的模板；3)GaN基量子点结构生长，GaN量子点结构发射强烈的蓝紫光，用于制作高效率发光二极管(LED)和激光器(LD)光电子器件中有源层结构。
-
公开(公告)号：CN103022211A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210580088.X
申请日：2012-12-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种极化增强的p-i-n结InGaN太阳电池，其结构由下至上依次为：衬底、GaN层、全应变弛豫高In组分InyGa1-yN层、InGaN超晶格层、高In组分n-InyGa1-yN层、高In组分i-InxGa1-xN层、高In组分p-InyGa1-yN层、p-GaN覆盖层；在高In组分n-InyGa1-yN层上引出负电极，在p-GaN覆盖层上引出正电极。本发明的p-i-n结InGaN太阳电池结构是直接生长在全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层上的，全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层不会对p-i-n结InGaN太阳电池层产生失配应力，可以有效提高p-i-n结InGaN太阳电池材料的质量和电池转换效率；另外较高In组分的n-InGaN层与p-InGaN层将较低In组分的i-InGaN层夹在中间，品格的失配在i-InGaN层中引入了拉应变，可进一步提高p-i-n结InGaN太阳电池的转换效率。
-
公开(公告)号：CN101710492B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910234577.8
申请日：2009-11-23
Applicant: 南京大学
IPC: G12B5/00
Abstract: 本发明公开了一种轻巧升降装置中的磁性止动机构，该磁性止动机构包括强磁性滑块组、滑动导轨、带挂耳的活动部件和调节滚轮，强磁性滑块组中的一对强磁性滑块分别吸附在滑动导轨的两侧，且该对强磁性滑块的N、S极相对设置；强磁性滑块组被嵌入带挂耳的活动部件内；在滑动导轨上设有齿条，在带挂耳的活动部件上设有与齿条相适配的齿轮，及用于转动齿轮的旋转手柄；强磁性滑块组在带挂耳的活动部件推动下沿滑动导轨上下移动。本发明利用磁性吸附增加升降装置可动部件和固定部件间的粘滞阻力，既可实现可靠的止动功能，又不影响自如升降，适合于构建精密轻巧的仪器。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
145
records
(took 0.022 seconds)
