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公开(公告)号：CN118256992A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410468466.8
申请日：2024-04-18
Abstract: 一种金刚石复合散热基板的制备方法，本发明是为了解决不同热流密度区域对散热要求不同的问题。制备方法：一、使用激光在多晶金刚石衬底的高热流密度区域切割出通孔；二、在MPCVD装置的舱体中，控制甲烷、氢气和氧气流量，在CVD单晶晶种上化学气相沉积生长单晶金刚石；三、超声清洗处理；四、将清洗后的单晶金刚石衬底放入多晶金刚石衬底的通孔中，激活等离子体；五、在MPCVD装置的舱体中，化学气相沉积过程分成两个阶段进行生长，控制氢气，甲烷流量以及生长温度，得到金刚石复合散热基板。本发明金刚石复合散热基板中的单晶金刚石用于热点处高热流密度区域散热，高导热多晶金刚石用于热点以外的低热流密度区域散热。
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公开(公告)号：CN115072717B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202210656914.8
申请日：2022-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 使用金属铁刻蚀高温高压金刚石制备定点浅层NV色心的方法，它为了解决现有制备金刚石内NV色心需要用到复杂的化学气相沉积气氛或大型粒子注入设备，且难以控制色心制备定位等问题。获得定点浅层NV色心的方法：一、清洗高温高压金刚石；二、在金刚石表面沉积铁薄膜，铁薄膜呈点阵排列；三、将带有铁薄膜的金刚石放入CVD生长舱体内，通入氢气，升高气压和功率进行刻蚀处理；四、将退火后的金刚石置入食人鱼溶液浸泡。本发明利用金属铁在等离子体环境下对高温高压金刚石进行刻蚀，在该过程中产生空位，并利用退火使得空位向下迁移并被替位氮原子捕获，由于刻蚀发生在金属薄膜与金刚石的界面处，因此产生的NV色心位于近表面处。
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公开(公告)号：CN117438781A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311291841.8
申请日：2023-10-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01Q1/36 , B23K26/362 , B23K26/70 , B23K26/60 , B23K26/142 , B23K26/402 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , G01D5/48 , G01R33/02
Abstract: 金刚石表面烧蚀获得石墨化原位天线的方法及其应用，本发明为了解决现有微波天线受外界因素的干扰较大且不能较好的提高系统集成度等问题。获得石墨化原位天线的方法：一、对金刚石基底进行清洗；二、在清洗后的金刚石基底表面旋涂一层光刻胶，按照天线图案进行光刻，光刻后置于显影液中浸泡形成掩膜；打开射频电源输入50～100W的能量进行等离子体启辉，然后打开挡板沉积过渡金属薄膜；将金刚石基底放入石英玻璃管中进行真空封管，高温加热处理。本发明还涉及一种通过激光烧蚀获得石墨化原位天线的方法。本发明通过在金刚石表面利用过渡金属高温催化刻蚀或激光烧蚀，获得石墨化天线图案，该天线能更好的减小外界因素干扰，提高了集成度。
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公开(公告)号：CN115360153B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211024398.3
申请日：2022-08-24
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种高集成大功率微波源制冷基板及其制备方法，制冷基板主要包含大功率集成单元、流体制冷单元、基板支撑单元；所述的大功率集成单元实现与多组微波功率器件排列集成，可实现高集成度；流体制冷单元实现大功率微波源的高效散热；基板支撑单元实现大功率微波源的功能电路集成。本发明采用内嵌式高导热大功率集成单元，阵列式肋条增强散热结构、分体式流体制冷单元等设计，有效增强了制冷基板的散热能力及其结构可靠性，保证了大功率微波源的高集成和大功率特性。
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公开(公告)号：CN115044973B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202210673216.9
申请日：2022-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石表面金属阵列外延生长获得局域增强色心发光的方法，本发明是为了解决现有CVD制备金刚石内杂质原子浓度过高，色心转换效率过低的问题。金刚石表面金属阵列外延生长方法：一、清洗；二、采用光刻工艺在金刚石基底上沉积复合金属膜，复合金属膜呈间隔的条纹状；三、将带有复合金属膜的金刚石放入CVD生长舱体内，启动微波发生器，升高气压和功率，使金刚石表面温度达到700～1000℃，通入甲烷和掺杂元素气体，进行外延生长。本发明通过在金刚石表面沉积金属图案，通过CVD原位沉积横向外延生长，工艺流程简单，制备得到了高杂质转换率、高荧光强度色心的样品，从而有效提升色心的自旋相干性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116352210A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310479228.2
申请日：2023-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石电烙铁及其制备方法，本发明要解决现有金属制烙铁头容易在高温下产生氧化、不沾锡、被酸性助焊剂腐蚀等问题。金刚石电烙铁的制备方法：一、将金刚石块件放置在激光切割机样品台上，用激光将金刚石块件切割成条状；二、再用激光将烙铁头基体的一端切割成多棱锥状，作为电烙铁头的接触端；三、使用磨床将烙铁头基体接触端的尖棱锥磨出圆角；四、在烙铁头基体表面镀上钛膜或钨膜，然后在惰性气氛下以600～900℃原位退火处理；五、将金属化后的烙铁头基体与热单元和外壳装配组装。本发明通过使用金刚石制备电烙铁头，使电烙铁头具有抗腐蚀抗氧化、导热快热效应高、超高硬度抗磨损、易沾锡、绝缘无电感、不损伤电子元器件等优点。
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公开(公告)号：CN114695133B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210300888.5
申请日：2022-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/48 , H01L21/50 , H01L23/373 , B23K26/382 , B23K26/402
Abstract: 一种带通孔金刚石集成三维芯片的制备方法，涉及三维芯片的制备方法。本发明要解决当金刚石应用于3D‑IC集成时，现有传统TSV制备及相应集成工艺不完全适用于金刚石，存在高深宽比金刚石通孔制备难、高深宽比金刚石通孔的电镀沉铜难以及如何进行三维集成工序相兼容的问题。方法：一、金刚石通孔的制备；二、金刚石和芯片的键合；三、金刚石通孔的金属填充；四、表面抛光及清洗。本发明用于带通孔金刚石集成三维芯片的制备。
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公开(公告)号：CN114717655B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210422761.0
申请日：2022-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B25/18 , C30B25/04 , C30B29/04 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/04 , C23C28/00 , A44C17/00 , A44C27/00 , H01L21/285
Abstract: 一种用于钻石定制图案和电极的晶体内部图形化方法，本发明的目的是为了解决现有钻石内部难以定制图案和电极的问题。本发明晶体内部图形化方法如下：一、将选取所要制作于钻石晶体内部的图案转化为黑白模式，作为光刻机输入掩膜图形；二、将钻石衬底置于混酸溶液中超声清洗；三、采用光刻工艺以光刻胶作为掩模版，通过掩模在钻石表面沉积金属膜或非金属膜；四、将带有图案的钻石衬底置于等离子体化学气相沉积系统中，通入生长气体进行外延生长，得到带有定制图案的钻石。本发明利用化学气相沉积工艺再外延一层晶体，将图案覆盖于晶体内部能对图案实现很好的保护作用，满足钻石内部图案的定制需求。
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公开(公告)号：CN115635677A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211335510.5
申请日：2022-10-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B29C64/153 , B33Y10/00
Abstract: 一种快速固化双组分粘结剂喷射3D打印的方法，本发明属于粘结剂喷射3D打印领域。解决现有粘结剂喷射工艺中的加热固化、紫外光固化存在固化速率慢、胚体精度差、容易堵塞喷头的问题。方法：一、将打印粉末铺平于打印平台上；二、利用两个喷头依次喷射A组分粘结剂及B组分粘结剂；三、重复步骤二；四、重复步骤一至三；五、固化并清除浮粉，或者直接清除浮粉。本发明用于快速固化双组分粘结剂喷射3D打印。
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公开(公告)号：CN115360153A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211024398.3
申请日：2022-08-24
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种高集成大功率微波源制冷基板及其制备方法，制冷基板主要包含大功率集成单元、流体制冷单元、基板支撑单元；所述的大功率集成单元实现与多组微波功率器件排列集成，可实现高集成度；流体制冷单元实现大功率微波源的高效散热；基板支撑单元实现大功率微波源的功能电路集成。本发明采用内嵌式高导热大功率集成单元，阵列式肋条增强散热结构、分体式流体制冷单元等设计，有效增强了制冷基板的散热能力及其结构可靠性，保证了大功率微波源的高集成和大功率特性。
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