公开(公告)号：CN102222595A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201010262386.5

申请日：2010-08-25

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 中尾和浩

IPC: H01J37/317

Abstract: 本发明提供一种离子注入方法和离子注入装置。在由向玻璃基板上照射的多个离子束形成的重叠区域中，可以高效地调整各离子束的束电流密度分布。所述离子注入方法包括：束电流密度分布调整工序，按预先确定的顺序，把多个带状离子束分别调整为规定的束电流密度分布；目标修正工序，在束电流密度分布调整工序期间，在对第二个以后的各离子束调整束电流密度分布之前，使用先调整了束电流密度分布的调整结果，针对此后要调整束电流密度分布的离子束，修正作为调整目标的规定的束电流密度分布；以及玻璃基板输送工序，在与多个带状离子束的长边方向交叉的方向上输送玻璃基板。

公开(公告)号：CN102097271A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010225325.1

申请日：2010-07-09

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 池尻忠司 ,  井合哲也 ,  山下贵敏

IPC: H01J27/20

CPC classification number: H01J27/022

Abstract: 本发明提供一种反射电极结构件和离子源，能在尽可能增大被溅射面的面积的同时，不仅能简化被溅射构件的安装结构，而且能使反射电极结构件紧凑，并且能提高对从阴极发射出来的电子进行反射的反射效率。反射电极结构件(4)设置在等离子体生成容器(2)内，与阴极(3)相对配置，把电子向阴极(3)一侧反射，其包括：被溅射构件(41)，通过被等离子体溅射，放出规定的离子，具有贯通被溅射面(41A)和被溅射构件背面的贯通孔(411)；以及电极主体(42)，插入被溅射构件(41)的贯通孔(411)中，支承被溅射构件(41)，并且具有通过贯通孔(411)在被溅射面(41A)一侧露出的反射电极面(42X)。

公开(公告)号：CN101921990A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200910261623.3

申请日：2009-12-18

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 立道润一 ,  小野田正敏 ,  织平浩一

IPC: C23C14/48

CPC classification number: H01L21/67213 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/204 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种离子注入装置，能统一对多个基板进行离子注入，且使各基板面内的离子注入量分布均匀。该离子注入装置包括：注入室(8)，被导入离子束(4)；托架(12)，把基板(10)沿X方向保持在第一列和第二列两列上；托架驱动装置(16)，能使托架(12)成水平状态且位于基板交换位置(48)，还能使托架(12)成立起状态，在离子束(4)的照射区域沿X方向往复直线驱动托架(12)。还具有两个加载互锁机构(20a，20b)、以及两个基板输送装置(30a，30b)，基板输送装置(30a，30b)各具有两个在各加载互锁机构(20a，20b)与基板交换位置(48)之间输送基板(10)的臂(32a～32d)。

公开(公告)号：CN101192499B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200710193462.X

申请日：2007-11-27

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 藤田秀树

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

Abstract: 一种离子注入装置，其具有被设置成跨带状离子束路径在Y方向上相互面对的第一和第二磁体。第一和第二磁体与带状离子束行进方向交叉。第一和第二磁体的每一个都具有在离子束入口侧和出口侧的一对磁极。在第一磁体和第二磁体之间其极性相反。

公开(公告)号：CN110890264B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN201910526439.0

申请日：2019-06-18

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 藤本龙吾 ,  国立圭一

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种离子束照射装置，所述离子束照射装置不使用灯具加热器或钨丝等的发热体，而可在广范围加热真空容器壁面，以使水成分挥发。本发明的离子束照射装置在开放至大气后的基板处理前，对构成离子束的输送路的真空容器壁面扫描离子束。

公开(公告)号：CN110556281B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN201910022321.4

申请日：2019-01-10

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 山元彻朗

IPC: H01J37/30 ,  H01J37/244 ,  G21K5/04

Abstract: 本发明涉及一种离子束照射装置，使在可动式的射束电流计测器(7)中的驱动机构的设计变得简便，同时可逐回从射束计测部位所释放出的二次电子。本发明的离子束照射装置(IM)具有：射束电流计测器(7)，其可在射束轨道(IB)进出而计测射束电流；以及，第一电极(6)，其配置于即将到达射束电流计测器(7)前的射束输送路径上；第一电极(6)兼具为：抑制电极，其将从射束电流计测器(7)所释放出的二次电子逐回至射束电流计测器侧；及，其它的射束光学构件。

公开(公告)号：CN117293069A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202211579625.9

申请日：2022-12-09

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 糸井骏 ,  王建 ,  村山乔之 ,  大村俊辅 ,  井上真辅

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供基板输送方法和基板处理装置，能有效降低从基板保护膜释放的气体对基板输送的影响，实现更稳定的基板输送。在基板处理装置(A)中，至少根据处理室(1)中的基板处理时间，变更从预真空室(2)至静电吸盘(E)为止的基板输送时间。基板处理装置(A)包括：所述静电吸盘(E)，具有将滞留于基板支撑面(S)的气体向外部排出的气体排出通道(G)；所述处理室(1)，对支撑于静电吸盘(E)的基板(W)实施处理；以及所述预真空室(2)，通过将内部的气氛从大气变更为真空，从而能够向处理室(1)输送基板(W)。

公开(公告)号：CN111755301B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202010166744.6

申请日：2020-03-11

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 高嶋大树 ,  西村一平

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/30 ,  H01J37/32

公开(公告)号：CN109119314B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201810036200.0

申请日：2018-01-15

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 藤田秀树 ,  糸井骏

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供一种离子或电子的引出效率高的等离子体源。等离子体源(1)包括：室(11)，具有用于将在内侧生成的离子或电子向外辐射的开口部(11a)；气体导入部(31)，向室(11)内导入气体；真空连接器(14)，设置在周壁(111)的与开口部(11a)相对的位置上；天线(15)，基端部(15a)与真空连接器(14)连接，在室(11)内朝向开口部(11a)延伸；第一绝缘体部(21)，覆盖天线(15)的位于室(11)内的前端部(15b)一侧的第一部位(P1)；第二绝缘体部(13)，覆盖天线(15)的位于室(11)内的基端部(15a)一侧的第二部位(P2)；以及导体部(16)，覆盖第二绝缘体部(13)。

公开(公告)号：CN111668143A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010124358.0

申请日：2020-02-27

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 上野宏优 ,  小野田正敏

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种可在外壳内冷却或加热经加热后的基板，并且可提高处理量的基板收容装置。本发明的解决手段为一种基板收容装置(10)，其具备：外壳(11)，在内部呈真空的状态下收容多片基板(S)；温度改变装置(40)，改变被收容于外壳(11)内的基板(S)的温度；以及移送机构(20)，在以既定间隔分离的状态下保持被收容于外壳(11)内的多片基板(S)，并且在外壳(11)内，将基板(S)从由外壳(11)的外部所送入的送入位置(F)，移送到用以送出至外壳(11)的外部的送出位置(E)为止；且移送机构(20)构成为：伴随着新的基板(S)被收容于外壳(11)内，从先被收容于外壳(11)的基板(S)开始依次移送到送出位置(E)。