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公开(公告)号:CN1534841A
公开(公告)日:2004-10-06
申请号:CN200410031629.9
申请日:2004-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L24/83 , H01L2224/83192 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/34326
Abstract: 得到一种可实现放热特性和可靠性(寿命)提高、制造工序简化和制造合格率提高的半导体激光器元件。该半导体激光器元件具备形成于发光层上、构成凸状脊部的半导体层;至少覆盖脊部侧面来形成的、由半导体构成的电流阻挡层;接触脊部上面地形成的第一金属电极;和与脊部隔开规定间隔并配置在脊部两侧的凸状支承部。
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公开(公告)号:CN1445893A
公开(公告)日:2003-10-01
申请号:CN03120627.1
申请日:2003-03-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/30
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/2086 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3432
Abstract: 本发明对实折射率波导型半导体激光器,得到高输出功率的半导体激光器。提供一种半导体激光器,其特征在于,具有:第1导电型包层;通过注入电流而放射光的有源层;第1的第2导电型包层;作为脊形波导路的第2的第2导电型包层;带隙比夹着上述第2的第2导电型包层在其两侧形成的上述第1及第2的第2导电型包层大的电流阻挡层;向上述第2的第2导电型包层导入电流时,具有足以防止漏电流流入上述电流阻挡层的迁移率的第3的第2导电型包层。
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公开(公告)号:CN204496106U
公开(公告)日:2015-07-22
申请号:CN201420590661.X
申请日:2014-10-13
Applicant: 天空激光二极管有限公司
IPC: G02B27/01
CPC classification number: G02B27/0172 , G02B6/00 , G02B27/017 , G02B27/4205 , G02B27/4272 , G02B2027/0178 , H01S5/0014 , H01S5/02212 , H01S5/02216 , H01S5/02248 , H01S5/1039 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S5/4012 , H01S5/4093
Abstract: 本实用新型涉及可佩戴式装置以及基于可佩戴式激光器的显示系统。更具体地,本实用新型的各种实施方式提供了结合投影显示系统的可佩戴式增强实景眼镜,其中,一个或多个激光二极管用作光源,以使用透明波导通过光学递送至眼睛来显示图像。更进一步地,本实用新型涉及可佩戴式装置,其特征在于,包括:框架构件,将被配置给人类用户;显示设备,耦接至所述框架构件并被配置为被所述人类用户观看;以及激光源,可操作地耦接至所述显示设备,所述激光源包括使用含有镓和氮的材料制成的至少一个激光器。
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