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公开(公告)号：CN103684424B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210353242.X
申请日：2012-09-20
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K23/42
Abstract: 本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域，具体涉及一种应用于无线接收机集成电路中的高频高速电流模锁存分频器（Current-mode Latched Frequency Divider，CML-FD）的设计。一方面，通过在分频器的交差耦合管源极引入电容阵列提高分频器的工作频率；另一方面，通过改变负载MOS管的栅极电压大小，实现分频器的负载变化。通过这种设计，电流模锁存分频器可以实现较高速以及较宽的工作频率范围，并具有一定的可重构性，且节省芯片的面积，适用于多模可重构频率综合器。
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公开(公告)号：CN106357269A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610807327.9
申请日：2016-09-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种用于高速时间交织模数转换器中的输入缓冲器。本发明的输入缓冲器包括时间交织模数转换器模型、一级低电平转高电平的缓冲器、一级高电平转低电平的缓冲器；两级缓冲器采用源跟随器的结构，通过第一级缓冲器隔离输入信号和各个通道，通过各个通道内的第二级缓冲器减少通道间的信号干扰以及电荷注入对于前一级信号的影响。本发明用于时间交织的高速高精度奈奎斯特ADC中，在第一级缓冲器中引入前馈电容来提高精度，在第二级缓冲器中引入N、P两路输入来提高速度、减少功耗。相对于已有的缓冲器，本发明提出了适用于时间交织ADC的两级缓冲器结构，并针对逐级设计给出了优化设计方案。
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公开(公告)号：CN102843136B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210340905.4
申请日：2012-09-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明属集成电路技术领域，具体为一种高速高精度的动态比较器失调电压校正方法。比较器是模数转换器的核心部件，本发明提出一种全新的实时校正方法，利用MOS管工作在反型层时的可变电容的电容值随调节电压线性连续可变的特点，对比较器输出端的负载电容进行精确的微调，最终达到当比较器的差分输入为零时，因为比较器的器件失配产生的失调电压和比较器输出负载电容微调产生的影响相互抵消，从而达到校正比较器失调电压的目的。本发明能够有效的将比较器的1sigma失调电压缩小三百倍，从典型值29.4mV缩小到66μＶ。
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公开(公告)号：CN104868902A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510121946.8
申请日：2015-03-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种用于IO接口的高速低功耗自调节前馈电容补偿LVDS驱动电路。该驱动电路由移位寄存器、时钟控制电路、前馈电容网络、共模反馈和LVDS驱动电路构成；移位寄存器采用D型上升沿触发器和2:1选择器实现；时钟控制电路采用比较器、与门、或门、或非门和异或门实现；前馈电容网络采用电容和开关实现；共模反馈采用晶体管M1-M8、电阻RF和密勒补偿电容CC实现；LVDS驱动电路采用晶体管M9-M14实现。本发明的LVDS驱动电路采用了自调节前馈电容补偿结构，降低了预驱动电路的驱动能力要求，从而有效降低功耗；可以驱动不同负载并实现输出信号摆幅的自调节。
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公开(公告)号：CN104348486A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410638369.5
申请日：2014-11-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明属集成电路技术领域，具体为一种带冗余位单级折叠内插流水线模数转换器。该模数转换器由单一跟踪保持栅压自举开关、参考电压电阻串、M级（N+0.5）bits量化的折叠内插子模数转换器、数字编码电路和二进制数字码输出驱动电路模块构成；（N+0.5）bits量化的折叠内插子模数转换器由：预放大器阵列、折叠器阵列、失调平均和内插共享电阻网络、比较器阵列和有效信号路径选择开关构成。该（N×M）bits流水线结构将硬件开销与设计精度之间的指数关系简化为线性关系，同时摒除了传统流水线结构中存在的一些非线性因素，提高了模数转换器的采样速度，降低了模数转换器的功耗，有利于单通道超高速高能效模数转换器的实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104282792A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410453615.X
申请日：2014-09-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0288 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/101 , H01L31/02363 , H01L31/0288 , H01L31/1804
Abstract: 本发明属于红外探测器技术领域，具体为一种非制冷的光子型硅基红外探测器芯片及其备作方法和应用。本发明结构自上而下依次为：n+重掺杂微结构层、硅表面的微结构以及n型硅片。本发明结构为一固有连接的整体，所述硅表面的锥体结构是在含氮元素的气体氛围中，用超快激光辐照背面n型硅片获得，由于辐照区域氮原子的高浓度掺入，在锥体结构表层形成所述n+重掺杂微结构层，并在硅禁带中引入杂质能带。本发明的红外探测器芯片吸收近红外和中红外波段光波，尤其吸收“大气窗口”的透过波段，因此可用于军工红外探测方面。同时制作工艺简单，生产良率高。另外，非制冷光子型硅基红外探测器可以在常温下工作，成本低，可以普及到民用方面。
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公开(公告)号：CN104201170A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410386049.5
申请日：2014-08-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/522
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种立体包裹式金属-氧化层-金属电容。其内层极板由多层金属工艺作为第一金属层堆叠组成，外层极板也由多层金属工艺作为第二、三金属层堆叠组成。该结构的第一金属层被第二、三金属层以一种三维立体式的方式包裹覆盖，由两者之间的空隙由氧化层填充，形成该电容的有效电介质。该电容在有效缩小晶片面积的同时，能够达到满足千分之一的无源器件匹配精度要求，大小可以控制在1f法拉第以上。
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公开(公告)号：CN104184456A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410388766.1
申请日：2014-08-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种用于IO接口的低频多相位差分时钟树型高速低功耗串行器。该串行器由采样电路、门级逻辑电路和缓冲器构成；采样电路采用D型上升沿触发器实现；门级逻辑电路采用与非门、或非门实现；缓冲器采用两级反相器串联实现。本发明高速串行器采用低频时钟并且避免了传统高速串行器采用的较多D型触发器，从而有效降低功耗；采样电路为门级逻辑电路将并行数据依次锁存为串行数据提供至少一个比特宽度的裕量，以减小串行输出数据的误码率；门级逻辑电路中的每个与非门、或非门的输出寄生电容较小，使串行输出数据速率大为提高。
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公开(公告)号：CN104008961A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410227149.3
申请日：2014-05-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/223
Abstract: 本发明涉及半导体晶片技术领域，具体为一种改善半导体硅晶片机械性能的方法。本发明方法包括如下步骤：选择工业用FZ或CZ方法得到的硅晶片，对所述硅晶片彻底清洗；将所述硅晶片置于一定压强的含氮密闭气体氛围中；在所述气体氛围中，用超快激光辐照所述硅片。使用该方法得到的硅晶片，由于氮元素的超饱和重掺杂作用，氮元素聚集在硅晶片位错周围，形成团簇或复合物。所述团簇与复合物间具有强烈的相互作用并将位错锁定，达到增强该硅片机械性能的目的。同时，由于氮元素的超饱和重掺杂的效果，使得硅晶片中的氧含量减少，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN103684424A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210353242.X
申请日：2012-09-20
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K23/42
Abstract: 本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域，具体涉及一种应用于无线接收机集成电路中的高频高速电流模锁存分频器（Current-mode Latched Frequency Divider，CML-FD）的设计。一方面，通过在分频器的交差耦合管源极引入电容阵列提高分频器的工作频率；另一方面，通过改变负载MOS管的栅极电压大小，实现分频器的负载变化。通过这种设计，电流模锁存分频器可以实现较高速以及较宽的工作频率范围，并具有一定的可重构性，且节省芯片的面积，适用于多模可重构频率综合器。
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