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公开(公告)号：CN107958679B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201710953332.5
申请日：2017-10-13
申请人： 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团 , 威斯康星校友研究基金会
摘要： 提供了存储器模块和用于存储器模块的处理数据缓冲器。存储器模块包括存储器装置、命令/地址缓冲装置和处理数据缓冲器。存储器装置包括：存储器单元阵列；第一输入/输出端子组，每个端子被配置为接收第一命令/地址位；第二输入/输出端子组，每个端子被配置为接收数据位和第二命令/地址位两者。命令/地址缓冲装置被配置为向第一输入/输出端子组输出第一命令/地址位。处理数据缓冲器被配置为向第二输入/输出端子组输出数据位和第二命令/地址位。存储器装置被配置为使得第一命令/地址位、第二命令/地址位和数据位均用来访问存储器单元阵列。
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公开(公告)号：CN110473577A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910184820.3
申请日：2019-03-12
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/406
摘要： 提供存储器装置、存储器系统和刷新存储器装置的方法。一种示例存储器装置可包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元行；行锤击处理器，被配置为确定是否执行用于刷新所述多个存储器单元行中的与被密集访问的第一行邻近的邻近存储器单元行的行锤击处理操作，产生确定结果；刷新管理器，被配置为基于行锤击处理器的确定结果执行用于顺序地刷新存储器单元行的正常刷新操作或行锤击处理操作。
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公开(公告)号：CN100568385C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200410049392.7
申请日：2004-06-09
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/4076
CPC分类号： G11C7/1066 , G11C7/1045 , G11C7/1051 , G11C7/22 , G11C7/222 , G11C2207/2281
摘要： 一种包括存储单元阵列和输出缓冲器的存储器件，该缓冲器从存储单元阵列接收已编址的数据，并根据延迟信号输出数据。延迟电路基于CAS延迟信息，有选择地使至少一个传送信号与至少一个采样信号相关联，以在相关联的采样与传送信号之间产生需要的定时关系。延迟电路依照至少一个采样信号存储所读信息，并基于与存储所读信息时所用的采样信号相关联的传送信号，产生延迟信号。
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公开(公告)号：CN1574087A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410049392.7
申请日：2004-06-09
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/4076
CPC分类号： G11C7/1066 , G11C7/1045 , G11C7/1051 , G11C7/22 , G11C7/222 , G11C2207/2281
摘要： 一种包括存储单元阵列和输出缓冲器的存储器件，该缓冲器从存储单元阵列接收已编址的数据，并根据延迟信号输出数据。延迟电路基于CAS延迟信息，有选择地使至少一个传送信号与至少一个采样信号相关联，以在相关联的采样与传送信号之间产生需要的定时关系。延迟电路依照至少一个采样信号存储所读信息，并基于与存储所读信息时所用的采样信号相关联的传送信号，产生延迟信号。
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公开(公告)号：CN110491430A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910140654.7
申请日：2019-02-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/406
摘要： 公开一种存储器装置、刷新控制电路和操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括：多个存储体、锤地址管理器和刷新控制器。锤地址管理器管理关于所述多个存储体的访问地址，并提供访问地址中的用于锤刷新操作的锤地址，其中，锤地址是比其他访问地址被访问更多的访问地址。刷新控制器基于锤地址生成锤刷新地址信号，其中，锤刷新地址信号对应于与对应于锤地址的行物理上邻近的行，使得与对应于锤地址的行物理上邻近的行通过锤刷新操作被刷新。
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公开(公告)号：CN107958679A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710953332.5
申请日：2017-10-13
申请人： 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团 , 威斯康星校友研究基金会
CPC分类号： G11C7/1057 , G11C7/1063 , G11C7/1084 , G11C7/109 , G11C8/10
摘要： 提供了存储器模块和用于存储器模块的处理数据缓冲器。存储器模块包括存储器装置、命令/地址缓冲装置和处理数据缓冲器。存储器装置包括：存储器单元阵列；第一输入/输出端子组，每个端子被配置为接收第一命令/地址位；第二输入/输出端子组，每个端子被配置为接收数据位和第二命令/地址位两者。命令/地址缓冲装置被配置为向第一输入/输出端子组输出第一命令/地址位。处理数据缓冲器被配置为向第二输入/输出端子组输出数据位和第二命令/地址位。存储器装置被配置为使得第一命令/地址位、第二命令/地址位和数据位均用来访问存储器单元阵列。
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公开(公告)号：CN107068175A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710063703.2
申请日：2017-02-03
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/406
CPC分类号： G11C11/40615 , G06F3/0604 , G06F3/0659 , G06F3/0673 , G11C11/40611 , G11C11/40618 , G11C11/4087 , G11C11/4091 , G11C11/4096 , G11C11/406
摘要： 一种易失性存储器设备包括刷新控制器，该刷新控制器被配置为控制在存储单元的第二部分上执行有效操作的同时在存储单元的第一部分上执行的隐藏刷新操作。易失性存储器设备被配置为响应于接收到刷新命令来执行常规刷新操作。刷新控制器被配置为利用在参考时间的第一部分期间隐藏刷新操作的性能指标来生成刷新信息。易失性存储器设备被配置为基于刷新信息在参考时间的剩余部分期间执行期望数目的常规刷新操作。常规刷新操作的期望数目是基于参考时间期间的刷新操作的目标数目与参考时间期间的隐藏刷新操作的计数值之间的差的整数。
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公开(公告)号：CN107068174A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611233177.1
申请日：2016-12-28
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/406
摘要： 一种存储器设备的刷新控制器可以包括定时控制器、刷新计数器以及地址生成器。定时控制器响应于接收从外部设备所提供的刷新命令来生成计数器刷新信号，并且生成被周期性地激活的敲击刷新信号。刷新计数器响应于计数器刷新信号生成计数器刷新地址信号，使得计数器刷新地址信号表示行地址，刷新计数器被配置为顺序地改变计数器刷新地址信号。地址生成器响应于敲击刷新信号来生成敲击刷新地址信号，敲击刷新地址信号表示与对应于被密集地访问的敲击地址的存储器设备的行物理上相邻的存储器设备的行的地址。
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公开(公告)号：CN107017015A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610915844.8
申请日：2016-10-20
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/406
CPC分类号： G11C11/4096 , G06F3/0619 , G06F3/0659 , G06F3/0673 , G11C7/1063 , G11C11/40611 , G11C11/40622 , G11C29/025 , G11C29/028 , G11C29/04 , G11C29/50016 , G11C29/52 , G11C2029/0403 , G11C2029/0409 , G11C2029/1202 , G11C2029/5002 , G11C2211/4068
摘要： 提供了执行基于请求的刷新的存储装置和存储系统，以及该存储装置的操作方法。操作方法包括：通过对至少一行的激活数的计数确定弱行；基于所确定的结果，请求对弱行的刷新；根据请求在接收刷新命令时对弱行执行目标刷新。
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公开(公告)号：CN101140792A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710147300.2
申请日：2007-09-06
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C7/10
CPC分类号： G11C7/1072 , G11C7/1057 , G11C7/22 , G11C7/222 , G11C11/4076 , G11C11/4093
摘要： 一种同步半导体存储器件包括输出控制信号发生器，其响应于通过将内部时钟信号除以n获得的延迟内部时钟信号、通过延迟该内部时钟信号获得的第一采样信号和第二采样信号、通过将内部时钟信号除以n获得的第一输出控制时钟信号、以及列地址选通(CAS)等待时间信号，而生成与通过延迟读取信息信号所获得的信号对应的输出控制信号。该同步半导体存储器件还包括数据输出缓冲器，其通过响应于所述输出控制信号以及所述第一输出控制时钟信号而缓冲内部数据，来输出数据。
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