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公开(公告)号：CN108257988B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201711306044.7
申请日：2017-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了图像传感器。一种用于确保光电二极管的面积的图像传感器包括像素区域和邻近像素区域的晶体管区域。像素区域可以包括光电二极管和浮置扩散区。晶体管区域可以包括沿像素区域的边缘延伸的晶体管。晶体管区域中的晶体管可以包括重置晶体管、一个或更多个源极跟随器晶体管以及一个或更多个选择晶体管，重置晶体管和与该重置晶体管相邻的一个源极跟随器晶体管可以共用公共漏极区。源极跟随器晶体管和选择晶体管中的两个相邻的晶体管可以每个共用该两个相邻的晶体管之间的公共源极区或公共漏极区。
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公开(公告)号：CN108133936B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201711234913.X
申请日：2017-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H10B61/00 , G11C11/406 , G11C11/408
Abstract: 本发明提供一种集成电路(IC)器件和制造该IC器件的方法，其中该IC器件可以包括包含单个芯片的单个基板以及在基板上互相间隔开并且具有不同结构的多个存储单元。制造IC器件可以包括在基板的第一区域中形成多条第一字线以及在基板的第二区域中或者第二区域上形成多条第二字线。多个电容器可以形成在第一字线上。多条源极线可以形成在第二字线上。覆盖所述多个电容器和所述多条源极线的绝缘层可以形成在第一区域和第二区域中。可变电阻结构可以形成在第二区域中的与基板的上表面间隔开第一垂直距离的位置处。
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公开(公告)号：CN111029365A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201910959825.9
申请日：2019-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/30 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 图像传感器包括：第一有机光电转换层，其位于基底层上；浮置扩散区域，其位于基底层中；第一存储节点，其包括被构造为接收偏置信号的第一电极层、包括半导体材料的第一半导体层的第一部分和第一电介质层的第一部分。第一电介质层在第一电极层与第一半导体层之间延伸。第一存储节点电连接至第一有机光电转换层。图像传感器包括：第一转移晶体管，其包括第一电介质层、第一半导体层和被构造为接收第一转移控制信号的第一转移栅电极。第一转移晶体管具有电连接至第一存储节点的第一端和电连接至浮置扩散区域的第二端。
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公开(公告)号：CN110896456A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910806744.5
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了图像传感器以及包括其的电子装置。一种图像传感器，像素阵列和存储器单元阵列被合并在所述图像传感器中，所述图像传感器包括：第一半导体芯片，在同一半导体芯片中包括像素阵列和存储器单元阵列；以及第二半导体芯片，在竖直方向上与第一半导体芯片重叠。第二半导体芯片包括：第一逻辑电路，控制像素阵列，模数转换器(ADC)电路，将从在第一逻辑电路的控制下的像素阵列输出的模拟信号转换为数字信号，以及第二逻辑电路，将从ADC电路输出的基于数字信号的数据存储到第一半导体芯片的存储器单元阵列。
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公开(公告)号：CN102820299A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210186853.X
申请日：2012-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/102 , H01L27/24
CPC classification number: H01L45/1691 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1641
Abstract: 本发明提供一种存储器件。所述存储器件包括：在半导体基板中的下互连，所述下互连由不同于半导体基板的材料制成；在下互连上的选择元件；以及在选择元件上的存储元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117497546A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310904632.X
申请日：2023-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器，所述图像传感器包括：第一基底，包括模拟块和数字块；隔离结构，延伸穿过第一基底，并且将模拟块与数字块分开；第一晶体管，在数字块上；第二晶体管，在模拟块上；布线，在第二晶体管上，并且电连接到第二晶体管；第二基底，在布线上；滤色器阵列层，在第二基底上，并且包括滤色器；微透镜，在滤色器阵列层上；光感测元件，第二基底中；传输栅极(TG)，延伸穿过第二基底的下部且与光感测元件相邻；以及浮置扩散区域(FD)，在第二基底的下部处与TG相邻，并且电连接到布线。
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公开(公告)号：CN111556259B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202010030252.4
申请日：2020-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/76 , H04N25/77 , H04N25/78 , H04N25/772
Abstract: 图像传感器包括多个像素。多个像素中的每一个包括：光电检测器，所述光电检测器包括响应于入射在其上的光输出检测信号的光电转换元件；比较器，将光电检测器的检测信号与斜坡信号进行比较，并响应于此输出比较信号；多个第一存储器单元，使用比较器的比较信号存储对应于检测信号的第一电压电平的第一计数值，并通过多个传输线输出第一计数值；以及多个第二存储器单元，使用比较器的比较信号存储对应于检测信号的第二电压电平的第二计数值，并通过多个传输线输出第二计数值。
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公开(公告)号：CN109728015B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201811243122.8
申请日：2018-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/76
Abstract: 提供了包括能够在非常短的时间内建立输出电压以实现高速图像传感器的结构的图像传感器。该图像传感器包括：像素区域，其中设置光电二极管(PD)和传输晶体管(Tr)，传输晶体管(Tr)被配置为将PD中累积的电荷传输到浮置扩散(FD)区域；以及Tr区域，其与像素区域相邻设置，并包括第一Tr、第二Tr和第三Tr，其中设置在第一Tr的第一栅电极下方的第一栅极氧化物膜和设置在第二Tr的第二栅电极下方的第二栅极氧化物膜包括比传输Tr的栅极氧化物膜薄的沟道氧化物膜。
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公开(公告)号：CN109801932A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811358377.9
申请日：2018-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/369
Abstract: 一种图像传感器和一种电子装置，该图像传感器包括：多个像素，所述多个像素的每个像素包括光电二极管和对应于光电二极管的转移晶体管、复位晶体管、源极跟随器晶体管和选择晶体管；多个第一互连线，所述多个第一互连线连接到转移晶体管、复位晶体管和选择晶体管的栅极，所述多个第一互连线在第一方向上延伸；以及连接到选择晶体管的源极区的多个第二互连线，所述多个第二互连线在交叉第一方向的第二方向上延伸，其中所述多个第一互连线或所述多个第二互连线在其中安置像素的像素区域之外的外围区域上包括虚设线。
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公开(公告)号：CN108257988A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711306044.7
申请日：2017-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14636 , H01L27/14638 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14683
Abstract: 本公开提供了图像传感器。一种用于确保光电二极管的面积的图像传感器包括像素区域和邻近像素区域的晶体管区域。像素区域可以包括光电二极管和浮置扩散区。晶体管区域可以包括沿像素区域的边缘延伸的晶体管。晶体管区域中的晶体管可以包括重置晶体管、一个或更多个源极跟随器晶体管以及一个或更多个选择晶体管，重置晶体管和与该重置晶体管相邻的一个源极跟随器晶体管可以共用公共漏极区。源极跟随器晶体管和选择晶体管中的两个相邻的晶体管可以每个共用该两个相邻的晶体管之间的公共源极区或公共漏极区。
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