公开(公告)号：CN114121934A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110532732.5

申请日：2021-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟振 ,  金京旭 ,  金洛焕 ,  刘承勇 ,  郑恩志

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：第一层间绝缘层；下互连线，位于第一层间绝缘层中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；以及上互连线，位于第二层间绝缘层中。上互连线包括延伸通过蚀刻停止层并接触下互连线的过孔部分。过孔部分包括阻挡图案和导电图案。阻挡图案包括位于导电图案与第二层间绝缘层之间的第一阻挡层以及位于导电图案与下互连线之间的第二阻挡层。第一阻挡层的电阻率比第二阻挡层的电阻率大。第一阻挡层中的氮浓度比第二阻挡层中的氮浓度大。

公开(公告)号：CN106952892B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201610934242.7

申请日：2016-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洛焕 ,  金秉熙 ,  金镇南 ,  白宗玟 ,  李来寅 ,  郑恩志

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括层间绝缘膜、具有第一宽度的第一沟槽和具有第二宽度的第二沟槽，第二沟槽包括上部和下部，第二宽度大于第一宽度，第一导线基本上填充第一沟槽并包括第一金属，并且第二导线基本上填充第二沟槽并包括下导线和上导线，下导线基本上填充第二沟槽的下部并包括第一金属，并且上导线基本上填充第二沟槽的上部并包括与第一金属不同的第二金属。

公开(公告)号：CN112018170A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201911394517.2

申请日：2019-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰中 ,  李灿珩 ,  张镇圭 ,  金洛焕 ,  李东洙

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件可以包括堆叠在基底上的沟道图案和堆叠在基底上的栅电极。沟道图案包括半导体图案。栅电极延伸以与沟道图案交叉。栅电极可以包括介电层、第一逸出功调整图案和第二逸出功调整图案。介电层可以分别围绕半导体图案、第一逸出功调整图案可以分别围绕介电层，第二逸出功调整图案可以分别围绕第一逸出功调整图案。第一逸出功调整图案可以由含铝的材料形成，第一逸出功调整图案中的每个相应的第一逸出功调整图案接触第二逸出功调整图案中的围绕第一逸出功调整图案中的所述相应的第一逸出功调整图案的对应的一个第二逸出功调整图案。

公开(公告)号：CN100524697C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200510118196.5

申请日：2005-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洛焕 ,  曹永周 ,  金晟泰 ,  朴仁善 ,  李铉德 ,  李炫锡 ,  郑正喜 ,  金玄永 ,  林炫锡

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75

Abstract: 用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；在该钛层上形成氮化钛层；以及在该氮化钛层上形成氮氧化钛层。存储电容器包括：半导体衬底；层间绝缘层，位于半导体衬底上，具有形成在其上的接触栓塞；以及存储电极，位于接触栓塞上，包括位于硅化钛层、位于该硅化钛层上的氮化钛层以及位于该氮化钛层上的氮氧化钛层。

公开(公告)号：CN101071769A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710102284.5

申请日：2007-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  元皙俊 ,  金洛焕 ,  宋珉宇 ,  金元洪 ,  朴廷珉

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L28/75

Abstract: 形成半导体器件的方法可包括利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在基底上形成第一导电金属化合物层和/或利用物理气相沉积(PVD)工艺在第一导电金属化合物层上形成第二导电金属化合物层。可形成第一导电金属化合物层和第二导电金属化合物层来减少或防止第一导电金属化合物层暴露于氧原子中，因此降低了第一导电金属化合物层的退化。

公开(公告)号：CN115692371A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210416703.7

申请日：2022-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李義福 ,  金完敦 ,  金洛焕

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：FEOL层，在基底上，包括多个单独的器件；以及第一金属层、第二金属层和第三金属层，顺序地堆叠在FEOL层上。第二金属层包括层间绝缘层和层间绝缘层中的互连线。互连线包括电连接到第一金属层的下过孔部分、电连接到第三金属层的上过孔部分以及下过孔部分与上过孔部分之间的线部分。互连线的上部的线宽在远离基底的竖直方向上逐渐减小，并且互连线的下部的线宽在远离基底的竖直方向上逐渐增大。

公开(公告)号：CN114823612A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210089512.4

申请日：2022-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪元赫 ,  李義福 ,  金洛焕 ,  张宇镇

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: 提供了一种半导体装置，其包括：衬底上的晶体管；第一金属层，其在晶体管上，并且包括电连接至晶体管的下布线；以及第一金属层上的第二金属层。第二金属层包括电连接至下布线的上布线，并且上布线包括穿通孔中的穿通件结构以及线沟槽中的线结构。穿通件结构包括：穿通件部分，位于穿通孔中，并且联接至下布线；以及阻挡件部分，其从穿通件部分竖直地延伸，以覆盖线沟槽的内表面。阻挡件部分在线结构与第二金属层的层间绝缘层之间。阻挡件部分在其下部水平处比在其上部水平处更厚。

公开(公告)号：CN114678346A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202111375811.6

申请日：2021-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  金洛焕 ,  金完敦 ,  南瑞祐 ,  卢宣颖 ,  朴基澈 ,  辛宗灿 ,  李民主 ,  李贤培 ,  河承锡

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L27/092

Abstract: 公开一种半导体器件，该半导体器件包括：基板；在基板上的第一层间电介质层；在第一层间电介质层中的多个第一通路；在第一层间电介质层上的第二层间电介质层；以及在第二层间电介质层中的第一电源线和第一下部线，电连接到第一通路中的相应的第一通路。第一电源线的在第一方向上的第一宽度大于第一下部线的在第一方向上的第二宽度。第一电源线包括第一金属材料。第一下部线包括第二金属材料。第一通路包括第三金属材料。第一金属材料、第二金属材料和第三金属材料彼此不同。

公开(公告)号：CN112992686A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202010945564.8

申请日：2020-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪元赫 ,  李钟振 ,  金洛焕 ,  郑恩志

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/535 ,  H01L27/02

Abstract: 一种半导体装置包括：晶体管，其位于衬底上；第一层间绝缘层，其位于晶体管上；第一层间绝缘层的上部分中的第一下互连线和第二下互连线；以及分别位于第一下互连线和第二下互连线上的第一过孔和第二过孔。第一下互连线的线宽大于第二下互连线的线宽。第一下互连线和第二下互连线中的每一个包括第一金属图案。第一下互连线还包括第二金属图案，第二金属图案位于第一金属图案上并包含与第一金属图案的金属材料不同的金属材料。第二金属图案不存在于第二下互连线中。第二过孔包括分别与第一层间绝缘层的顶表面和第二下互连线的顶表面接触的第一部分和第二部分，并且第二部分的底表面的最低水平高度低于第一过孔的底表面的最低水平高度。

公开(公告)号：CN106952892A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201610934242.7

申请日：2016-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洛焕 ,  金秉熙 ,  金镇南 ,  白宗玟 ,  李来寅 ,  郑恩志

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53228

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括层间绝缘膜、具有第一宽度的第一沟槽和具有第二宽度的第二沟槽，第二沟槽包括上部和下部，第二宽度大于第一宽度，第一导线基本上填充第一沟槽并包括第一金属，并且第二导线基本上填充第二沟槽并包括下导线和上导线，下导线基本上填充第二沟槽的下部并包括第一金属，并且上导线基本上填充第二沟槽的上部并包括与第一金属不同的第二金属。