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公开(公告)号：CN107799516B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201710762460.1
申请日：2017-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种半导体器件可以包括衬底、第一纳米线、第二纳米线、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一金属层和第二金属层。第一栅极绝缘层可以沿着第一纳米线的周界。第二栅极绝缘层可以沿着第二纳米线的周界。第一金属层可以沿着第一纳米线的周界在第一栅极绝缘层的顶表面上。第一金属层可以具有第一晶粒尺寸。第二金属层可以沿着第二纳米线的周界在第二栅极绝缘层的顶表面上。第二金属层可以具有不同于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。
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公开(公告)号：CN104700882B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201410746475.5
申请日：2014-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了存储器器件及其制造方法。磁存储器器件可以包括基板和在基板上的磁隧道结存储器元件。磁隧道结存储器元件可以包括参考磁层、隧道阻挡层和自由磁层。参考磁层可以包括第一被钉扎层、交换耦合层和第二被钉扎层。交换耦合层可以在第一被钉扎层和第二被钉扎层之间，第二被钉扎层可以包括铁磁层和非磁性层。第二被钉扎层可以在第一被钉扎层和隧道阻挡层之间，隧道阻挡层可以在参考磁层和自由磁层之间。
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公开(公告)号：CN107799516A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710762460.1
申请日：2017-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0924 , B82Y10/00 , H01L21/02603 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L29/0653 , H01L29/0673 , H01L29/0847 , H01L29/1054 , H01L29/1079 , H01L29/401 , H01L29/42364 , H01L29/42392 , H01L29/495 , H01L29/66439 , H01L29/66545 , H01L29/775 , H01L29/7845 , H01L27/0251
Abstract: 一种半导体器件可以包括衬底、第一纳米线、第二纳米线、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一金属层和第二金属层。第一栅极绝缘层可以沿着第一纳米线的周界。第二栅极绝缘层可以沿着第二纳米线的周界。第一金属层可以沿着第一纳米线的周界在第一栅极绝缘层的顶表面上。第一金属层可以具有第一晶粒尺寸。第二金属层可以沿着第二纳米线的周界在第二栅极绝缘层的顶表面上。第二金属层可以具有不同于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。
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公开(公告)号：CN103682084B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201310389452.9
申请日：2013-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明公开了磁存储器件及其形成方法。其中根据实施方式的磁存储器件包括在衬底上的第一参考磁性层、在第一参考磁性层上的第二参考磁性层、在第一参考磁性层和第二参考磁性层之间的自由层、在第一参考磁性层和自由层之间的第一隧道势垒层、以及在第二参考磁性层和自由层之间的第二隧道势垒层。第一参考磁性层、第二参考磁性层和自由层均具有基本上垂直于衬底的顶表面的磁化方向。第一隧道势垒层的电阻面积积（RA）值大于第二隧道势垒层的RA值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109524468B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201811085088.6
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一晶体管，该第一晶体管具有第一阈值电压并包括第一沟道、连接到第一沟道的相反的侧壁的第一源极/漏极层、以及围绕第一沟道并包括顺序堆叠的第一栅极绝缘图案、第一阈值电压控制图案和第一功函数金属图案的第一栅极结构。该半导体器件包括第二晶体管，该第二晶体管具有大于第一阈值电压的第二阈值电压，并包括第二沟道、连接到第二沟道的相反的侧壁的第二源极/漏极层、以及围绕第二沟道并包括顺序堆叠的第二栅极绝缘图案、第二阈值电压控制图案和第二功函数金属图案的第二栅极结构。第二阈值电压控制图案的厚度等于或小于第一阈值
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公开(公告)号：CN109524468A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811085088.6
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一晶体管，该第一晶体管具有第一阈值电压并包括第一沟道、连接到第一沟道的相反的侧壁的第一源极/漏极层、以及围绕第一沟道并包括顺序堆叠的第一栅极绝缘图案、第一阈值电压控制图案和第一功函数金属图案的第一栅极结构。该半导体器件包括第二晶体管，该第二晶体管具有大于第一阈值电压的第二阈值电压，并包括第二沟道、连接到第二沟道的相反的侧壁的第二源极/漏极层、以及围绕第二沟道并包括顺序堆叠的第二栅极绝缘图案、第二阈值电压控制图案和第二功函数金属图案的第二栅极结构。第二阈值电压控制图案的厚度等于或小于第一阈值电压控制图案的厚度。
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公开(公告)号：CN104658593A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410659744.4
申请日：2014-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了一种磁存储单元和磁存储器装置。磁存储单元包括磁隧道结和第一电极，所述第一电极通过第一导电结构电耦合至所述磁隧道结。所述第一导电结构包括阻挡层和在阻挡层与磁隧道结之间延伸的晶种层。所述阻挡层形成为非晶金属化合物。在一些实施例中，阻挡层是经热处理的层，并且在热处理期间和之后保持阻挡层的非晶状态。
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公开(公告)号：CN100407375C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200310119797.9
申请日：2003-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/44 , H01L21/465
CPC classification number: H01L21/32134 , C11D3/3956 , C11D7/08 , C11D11/0047 , H01L21/31111
Abstract: 一种有选择地清除氮化钛层和未反应金属层的清洗液。清洗液包括酸液和含碘氧化剂。清洗液还可以有效地清除光阻层和有机物。而且，清洗液可以在钨栅极技术中使用，该技术能改进器件工作特性，因此已经被重视。
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公开(公告)号：CN1505106A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310119797.9
申请日：2003-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/44 , H01L21/465
CPC classification number: H01L21/32134 , C11D3/3956 , C11D7/08 , C11D11/0047 , H01L21/31111
Abstract: 一种有选择地清除氮化钛层和非反应金属层的清洗液。清洗液包括酸液和含碘氧化剂。清洗液还可以有效地清除光阻层和有机物。而且，清洗液可以在钨栅极技术中使用，该技术能改进器件工作特性，因此已经被重视。
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