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公开(公告)号：CN1747071A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510092417.6
申请日：2005-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/1409 , G01Q60/30 , Y10S977/875 , Y10S977/878 , Y10S977/879
Abstract: 提供了一种具有电阻尖端的半导体探针以及该半导体探针的制造方法。所述方法包括：在掺杂了第一杂质的衬底上形成条形的掩模层，并通过用第二杂质重掺杂没有被该掩模层覆盖的衬底部分而形成第一和第二电极区；退火所述衬底从而减小第一和第二半导体电极区之间的间隙，并且在与半导体电极区邻接的部分形成轻掺杂了第二杂质的电阻区；形成与掩模层正交的条形的第一光致抗蚀剂，并且蚀刻掩模层使得掩模层具有正方形形状；在衬底上形成第二光致抗蚀剂从而覆盖第一光致抗蚀剂的一部分并限定悬臂区域；通过蚀刻而形成悬臂区域；以及去除光致抗蚀剂，并且通过蚀刻而形成具有半四棱锥形状的电阻尖端。
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公开(公告)号：CN104681571B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201410602284.1
申请日：2014-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/16 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供图像传感器和图像传感器系统。该图像传感器包括：半导体基板，具有沟槽并且具有第一导电类型；光电转换层，形成在沟槽下面的半导体基板中以具有第二导电类型；第一和第二转移栅电极，设置在沟槽中并且被栅极绝缘层覆盖；第一电荷检测层，形成在邻近第一转移栅电极的半导体基板中；以及第二电荷检测层，形成在邻近第二转移栅电极的半导体基板中。
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公开(公告)号：CN102760458A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210194943.3
申请日：2008-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/02 , B82Y10/00 , G11B9/1409
Abstract: 本发明提供一种提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法。该存储设备包括：铁电记录介质；电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区并具有电阻，所述电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。
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公开(公告)号：CN100583245C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200710008044.9
申请日：2007-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/187
CPC classification number: G11B9/02 , Y10T29/49032
Abstract: 本发明提供一种电场读/写头及其制造方法、以及包括该电场读/写头的数据读/写装置。该数据读/写装置包括用于写数据在记录介质上且从其读数据的电场读/写头。该电场读/写头包括半导体基板、电阻区域、源极和漏极区域、以及写电极。该半导体基板包括具有邻接边缘的第一表面和第二表面。该电阻区域形成为从位于该第一表面一端的中心部分向该第二表面延伸。该源极区域和该漏极区域形成在该电阻区域两侧并与该第一表面分隔开。该写电极形成在该电阻区域上，绝缘层置于该写电极与该电阻区域之间。该数据读/写装置通过硬盘驱动器(HDD)驱动系统进行驱动。
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公开(公告)号：CN100505090C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610001111.X
申请日：2006-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11B9/02 , G11C11/5657 , Y10S977/947
Abstract: 本发明提供了一种铁电记录介质及其写入方法。该铁电记录介质包括：铁电层，当接收预定的矫顽电压时铁电层反转其极化；非易失性各向异性导电层，形成在铁电层上。当各向异性导电层接收低于矫顽电压的第一电压时，其电阻减小，当各向异性导电层接收高于矫顽电压的第二电压时，其电阻增大。通过铁电层的极化状态和各向异性导电层的电阻的结合来存储多位信息。因此，可在铁电记录介质的一个畴上表示多位信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101359493A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810086943.5
申请日：2008-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B9/02
CPC classification number: G11B9/02 , B82Y10/00 , G11B9/1409
Abstract: 提供一种提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法。该存储设备包括：铁电记录介质；电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区并具有电阻，所述电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。
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公开(公告)号：CN1805166A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510135660.1
申请日：2005-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种MLD(磁逻辑装置)以及制造和操作该磁逻辑装置的方法。所述MLD包括：第一互连部分；下磁层，形成在所述第一互连部分上，所述下磁层的磁方向被固定为预定方向；非磁层，形成在所述下磁层上；上磁层，形成在所述非磁层上，所述上磁层的磁方向与所述下磁层的磁方向平行或反向平行；第二互连部分，形成在所述上磁层上。第一电流源置于第一互连部分的一端和第二互连部分的一端之间，第二电流源置于第一互连部分的另一端和第二互连部分的另一端之间。
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公开(公告)号：CN1755839A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510092308.4
申请日：2005-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种制造具有电阻尖端的半导体探针的方法。该方法包括：在硅基板上形成具有矩形形状的第一和第二掩模膜；第一次蚀刻硅基板的上表面；通过蚀刻第一掩模膜形成相应于尖端颈部宽度的第三掩模膜；通过利用第三掩模膜作为掩模第二次蚀刻硅基板形成尖端颈部的宽度到预定的宽度；且在去除第三掩模膜之后通过退火硅基板形成峰形成部分。可以制造具有均匀高度和尖端颈部具有均匀宽度的半导体探针。
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公开(公告)号：CN101159171B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200710092110.5
申请日：2007-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种具有楔形电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括：掺杂有第一杂质的电阻性尖端，具有掺杂有极性与所述第一杂质相反的低浓度的第二杂质的电阻区，并在所述电阻性尖端的两侧斜面上具有掺杂有高浓度的第二杂质的第一和第二半导体电极区；和悬臂，在其边缘上具有所述电阻性尖端，其中所述电阻性尖端的端部具有楔形。
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