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公开(公告)号：CN112534662A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201880096225.8
申请日：2018-08-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐久间仁
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明的半导体激光器装置的制造方法的特征在于，具备：在InP基板之上，以具有台面条纹构造的形状，形成层叠下部包覆层、活性层以及上部包覆层而成的层叠构造；在该层叠构造之上通过溅射法形成第一绝缘膜；通过成膜温度比形成该第一绝缘膜时高的等离子体CVD法，在该第一绝缘膜之上形成比该第一绝缘膜薄的第二绝缘膜；以及在该上部包覆层之上形成第一电极，在该InP基板的背面形成第二电极。
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公开(公告)号：CN106129810B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201610298648.0
申请日：2016-05-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐久间仁
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有下述效果的半导体装置的制造方法和半导体装置，即，能够形成宽度小的台面条带，而且能够防止在台面条带的左右的槽的周边使衬底裂开。具备下述工序：在半导体衬底之上形成包含有源层的台面条带、和覆盖该台面条带的半导体层的工序；在该半导体层之上形成使该台面条带的左右的该半导体层露出的掩模图案的工序；各向同性蚀刻工序，对从该掩模图案露出的该半导体层实施各向同性蚀刻，在该半导体层形成剖面形状为圆弧状的凹陷；以及各向异性蚀刻工序，在该各向同性蚀刻工序后，对从该掩模图案露出的该半导体层实施各向异性蚀刻，将蚀刻进行至该半导体衬底。
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公开(公告)号：CN102148477A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110034238.2
申请日：2011-02-01
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L2933/0016 , H01S5/0425 , H01S5/22
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。在n型GaN衬底（10）上形成有半导体层叠结构（12）。在半导体层叠结构（12）的上部形成有脊部（26）。沟道部（28）与脊部（26）相邻。平台部（30）与沟道部（28）的脊部（26）的相反侧相邻。第一绝缘膜（32）覆盖沟道部（28）。第一绝缘膜（32）在脊部（26）以及平台部（30）上具有开口。在第一绝缘膜（32）上形成有单层粘接层（34）。Pd电极（36）覆盖脊部（26）以及单层粘接层（34）的一部分，并且与脊部（26）的p型GaN接触层（24）连接。第二绝缘膜（38）覆盖单层粘接层（34）的未被Pd电极（36）覆盖的部分以及平台部（30）。
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公开(公告)号：CN101958507A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010231717.9
申请日：2010-07-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/02272 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/0224 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/14
Abstract: 本发明涉及半导体激光器装置，在热沉上以结下方式接合2波长半导体激光器芯片，其中，降低在激光器芯片和热沉之间产生的组装应力，减小2个激光器各自的偏振角。在热沉和2波长半导体激光器芯片的接合中使用SnAg焊料。这时，针对2个激光器的每一个，将从波导的中心起至芯片中心侧的热沉与2波长半导体激光器芯片的接合面的端部的距离、与从波导的中心起至芯片端侧的热沉与2波长半导体激光器芯片的接合面的端部的距离的比分别作为0.69以上1.46以下。
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公开(公告)号：CN101452899A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810178023.6
申请日：2008-12-08
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/32341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)以及第二Pd膜(15)构成，并且，形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(16)。第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上，起到防止Ta膜(14)氧化的防氧化膜的功能。能够利用该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化，因此能够抑制p电极(12)和焊盘电极(16)之间所产生的电阻成分。由此，能够防止p电极(12)与焊盘电极(16)的接触不良，所以，能够实现低电阻的p电极(12)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111937259B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201880091918.8
申请日：2018-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体光元件具有第一包层、第二包层、光限制层(2、20)，该第二包层具有形成为脊形状的脊部(20)，该光限制层(2、20)位于第一包层和第二包层之间，对光进行传播，脊部(20)从接近光限制层(2、20)的一侧起依次具有脊下部(5)、脊中间部(6)、脊上部(8)，脊中间部(6)的与光限制层(2、20)中的光传播方向即光轴垂直的剖面处的宽度是比脊下部(5)及脊上部(8)宽的宽度。
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公开(公告)号：CN101442094B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810176804.1
申请日：2008-11-19
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0021 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 本发明“氮化物半导体发光元件的制造方法”，是一种能够减小p型电极的接触电阻率的氮化物半导体发光元件的制造方法。在GaN单晶衬底(1)上形成层叠有p型GaN接触层(11)等的半导体层叠结构。在p型GaN接触层上(11)形成具有Pd层(16)和Ta层(17)的p型电极(15)。在形成了p型电极(15)后，在含氧气氛中在400℃～600℃的温度进行热处理。在热处理后，在p型电极(15)上形成含Au的平头电极(18)。
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公开(公告)号：CN100592584C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200710137346.6
申请日：2007-07-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体光元件的制造方法。可在波导脊的上表面，稳定地防止半导体层与电极层的接触面积的减少，提供一种成品率高的制造方法。本发明的LD(10)的制造方法是在层叠了半导体层的晶片中形成波导脊(40)，在晶片整个面中形成SiO2膜(78)，形成于波导脊(40)顶部的SiO2膜(78)的表面露出，同时，利用抗蚀剂膜埋设邻接于波导脊(40)的沟道(38)的SiO2膜(78)，形成第2抗蚀剂图案(82)，该抗蚀剂膜具有比波导脊(40)的p-GaN层(74)表面高、且比波导脊(40)顶部上的SiO2膜(78)表面低的表面，将第2抗蚀剂图案(82)作为掩膜，去除SiO2膜(78)，使波导脊(40)的p-GaN层(74)表面露出，并在其上形成电极层(46)。
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公开(公告)号：CN101494270A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910002799.7
申请日：2009-01-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及具备Pd电极的半导体发光元件及其制造方法，目的在于提供一种半导体发光元件及其制造方法，该半导体发光元件通过牢固地密合Pd电极和绝缘膜从而能够回避电极剥落的问题，并且通过提高Pd电极的作为低电阻欧姆电极的特性而实现激光装置的高功率化和低工作电流化。该半导体发光元件具备：半导体层；形成于该半导体层上且形成有开口部的绝缘膜；形成于该绝缘膜上的多层密合层；和以在该开口部与该半导体层接触，还与该多层密合层接触的方式形成的Pd电极，该多层密合层具有Au层作为最上层，在该Au层与该Pd电极的界面上形成有该Au层的Au与该Pd电极的Pd的合金。
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公开(公告)号：CN101478020A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810190645.0
申请日：2008-12-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及具有Pd电极的半导体发光元件的制造方法，其目的在于提供一种半导体发光元件的制造方法，能够以简易方法回避剥落的绝缘膜上Pd电极向半导体发光元件表面上的附着所引起的成品率降低、焊盘电极未形成部分的发生、p型接触层与焊盘电极接触的问题。该方法具备：在半导体上形成具有开口部的绝缘膜的工序；在该开口部和该绝缘膜上形成Pd电极的工序；对该绝缘膜上的该Pd电极施加物理的力，在残留该开口部的该Pd电极的状态下，将该绝缘膜上的该Pd电极剥离并除去的剥离工序。
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