公开(公告)号：CN102709182A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210201410.3

申请日：2012-06-19

Applicant: 上海大学

Inventor： 金晶 ,  瞿晓雷 ,  史伟民 ,  邱宇峰 ,  周平生 ,  廖阳

IPC: H01L21/324

Abstract: 本发明涉及两步退火辅助氯化镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜；将溶有氯化镍的乙醇溶液加入到乙基纤维素、酒精、甲苯的混合溶液中，得到粘稠的溶液并将其旋涂在非晶硅薄膜表面，随后在400℃～450℃退火1～2小时先形成NiSi2作为晶种层，再升温到500℃～550℃退火1～4小时诱导晶化。经过两步退火后可获得晶化率在80%左右，晶粒大小在200nm左右的多晶硅薄膜。和常规物理法金属诱导的方法相比，所制得的多晶硅薄膜更加均匀且金属残余污染更小，因此用本发明制备的多晶硅薄膜可适用于薄膜晶体管、太阳能电池等微电子制造领域。

公开(公告)号：CN102337588A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110336271.0

申请日：2011-10-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  马磊 ,  杨伟光 ,  刘晟 ,  胡喆 ,  刘功龙 ,  陈亮亮

IPC: C30B28/12 ,  C30B29/12 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  H01L49/02

Abstract: 本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜，生长出来的多晶碘化汞薄膜作为晶种层，通过真空蒸发物理气相沉积法在晶种层上沉积生长高取向性多晶碘化汞厚膜的制备方法。生长出来的高取向性多晶碘化汞厚膜特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备，本发明属于半导体厚膜制备技术领域。本发明以2,7-二溴-4-羟汞基荧光红双钠盐（又名汞溴红）、碘酊为先驱反应溶液，无水酒精为溶剂，制得了多晶碘化汞薄膜。以碘化汞薄膜作为晶种层，再通过真空蒸发物理气象沉积法沉积生长多晶碘化汞厚膜，最终在衬底基片上获得柱状晶粒的高取向性多晶碘化汞厚膜。

公开(公告)号：CN101710568B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200910199555.2

申请日：2009-11-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  金晶 ,  陈盛 ,  陈洁利 ,  余俊阳 ,  黄璐

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/30 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法。属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。本发明方法主要过程为：(1)将镀有氧化铟锡(ITO)的玻璃作为衬底，并进行洁净处理；(2)非晶硅薄膜的制备，用气相沉积法在玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜；用硅烷与氢气的混合气体为反应气体；(3)配制醋酸镍溶液；(4)涂覆醋酸镍溶液，随后热处理，温度为500～550℃，处理4～6小时，最终制得的微晶硅薄膜的晶化率为60～80％，晶粒大小在100nm以上。本发明产物适用于太阳能电池制造领域。

公开(公告)号：CN101710568A

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200910199555.2

申请日：2009-11-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  金晶 ,  陈盛 ,  陈洁利 ,  余俊阳 ,  黄璐

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/30 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法。属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。本发明方法主要过程为：(1)将镀有氧化铟锡(ITO)的玻璃作为衬底，并进行洁净处理；(2)非晶硅薄膜的制备，用气相沉积法在玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜；用硅烷与氢气的混合气体为反应气体；(3)配制醋酸镍溶液；(4)涂覆醋酸镍溶液，随后热处理，温度为500～550℃，处理4～6小时，最终制得的微晶硅薄膜的晶化率为60～80％，晶粒大小在100nm以上。本发明产物适用于太阳能电池制造领域。

公开(公告)号：CN100485005C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200610023279.0

申请日：2006-01-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 魏光普 ,  史伟民 ,  葛艳辉 ,  郭浩进 ,  邱永华 ,  林飞燕

IPC: C09D127/12 ,  C09D7/12

Abstract: 本发明涉及一种能吸收太阳能的纳米硫化锡涂层材料的制备方法，属太阳能吸收涂层材料制备技术领域。本发明具有以下制备过程和步骤：将市售的氯化亚锡用去离子水配制成1mol/L的溶液A；再取硫代乙酰胺用去离子水配成1mol/L的溶液B；将A和B溶液以5∶4的体积比配制成A和B的混合溶液；随后用氨水调节pH值至8～9；在室温下使其反应，将沉淀物干燥后，球磨成纳米微粉，即为纳米硫化锡粉末；将上述制得的纳米硫化锡粉末和电损耗型吸收剂碳黑及铁氧体铁磁型吸收剂Fe2O3均匀混合，其配合质量比SnS∶C∶Fe2O3为1∶1∶1；采用氟碳树脂作为涂料基体，将步骤b所得的混合物与氟碳树脂按0.2∶1的重量比进行混合，搅拌均匀，即为纳米硫化锡涂层材料；固化剂异氰酸酯与纳米硫化锡涂层材料的重量比为1∶12，使用前加入并均匀混合。本发明方法制得的硫化锡涂层材料其耐久性长、耐候性较好。

公开(公告)号：CN105891949B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201610338171.4

申请日：2016-05-20

Applicant: 上海大学

Inventor： 张方方 ,  李冬梅 ,  杨伟光 ,  黄璐 ,  沈春夏 ,  马磊 ,  刘功龙 ,  史伟民

IPC: G02B6/122

Abstract: 本发明公开了一种基于激光刻蚀空气柱二维光子晶体的制备方法，属制备光子晶体技术领域。本发明主要通过控制膜的厚度、孔径大小和孔间隙，来调节反射的颜色的不同。本发明是通过磁控溅射的方法在硅（Si）衬底上沉积铬（Cr）层和氧化硅（SiOx）层，然后在氧化硅（SiOx）层通过激光刻蚀的方法刻蚀空气柱来制备二维光子晶体。通过激光能量来调节孔径大小和孔间隙。本发明的二维光子晶体可以应用于光学防伪方面。

公开(公告)号：CN104851798B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201510144917.3

申请日：2015-03-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  明秀春 ,  诸舜杰 ,  李雪萍 ,  刘建 ,  匡华慧 ,  黄璐

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及一种解决聚酰亚胺(Polyimide)剥离以改善高压大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)而在其背面进行炉管退火的工艺方法，IGBT的Polyimide工艺通常包括：Polyimide有机物通过旋转涂覆在正面再经光刻把窗口打开。接着进行背面工艺：硅片减薄与表面处理、背面离子注入、离子退火、背面蒸金与退火等工艺。本发明主要针对IGBT背面工艺离子注入退火、背面金属退火工艺中提出了炉管温度分多段升降温，提高炉管真空，在正式生产片周围合理放置一定数量陪片的工艺，能解决Polyimide脱落的问题，在高压大功率IGBT等功率器件工艺中，具有十分重要的意义。

公开(公告)号：CN102891217B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210342053.2

申请日：2012-09-17

Applicant: 上海大学

Inventor： 苏青峰 ,  史伟民 ,  王林军 ,  黄健 ,  周平生 ,  李杰 ,  袁安东 ,  钱隽

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开一种金刚石/CdTe薄膜太阳能电池的制备方法，电池结构为硅衬底/p型金刚石/n型CdTe三层结构。该方法具有以下工艺步骤：首先，对硅衬底/p型金刚石薄膜进行清洗预处理和表面修饰与改性，在p型金刚石薄膜上进行n型CdTe薄膜沉积形成异质结，CdTe薄膜沉积结束后进行CdCl2退火处理，刻蚀掉窗口层光吸收区的硅衬底，进行金属接触沉积形成薄膜太阳能电池器件。通过该方法可以实现p型金刚石/n型CdTe薄膜太阳能电池的制备，使用p型金刚石作为窗口层材料和n型CdTe作为吸收层材料制备成异质结太阳能电池，解决了宽禁带p型半导体材料在太阳能电池领域的可用性。

公开(公告)号：CN103289683A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310167245.9

申请日：2013-05-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 秦娟 ,  王国华 ,  陈振一 ,  廖阳 ,  李季戎 ,  钱隽 ,  史伟民 ,  孙纽一

IPC: C09K11/56 ,  C09K11/02

Abstract: 本发明涉及用溶胶凝胶过程，制备SiO2包覆的CdS量子点纳米复合薄膜，属半导体纳米复合薄膜制备技术领域。主要解决了包覆后CdS量子点，具良好的分散性，改善发光效率及耐腐蚀性等。具体步骤是以硝酸镉，硫化钠，TGA为主要原料，采用化学水浴法，制备高浓度的CdS量子点溶液；又以TEOS（正硅酸乙酯），无水乙醇，浓盐酸，去离子水为原料，获SiO2溶胶；然后，溶胶与量子点按一定摩尔比混合，并旋涂成膜，为SiO2包覆的CdS量子点纳米复合薄膜；再将此薄膜样品干燥，放入管式退火炉中，在N2气氛中进行退火，获取了SiO2包覆的CdS量子点纳米复合薄膜。CdS纳米颗粒与其他基质复合，有助于提高CdS光电性能，拓展了CdS材料的应用领域。

公开(公告)号：CN103236466A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310117598.8

申请日：2013-04-07

Applicant: 上海大学

Inventor： 李季戎 ,  史伟民 ,  廖阳 ,  钱隽 ,  王国华 ,  杨伟光 ,  沈心蔚 ,  沈介圣 ,  何玲玲 ,  沈忠文

IPC: H01L31/18 ,  C03C17/22

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种铜锌锡硫太阳电池窗口层的制备方法，属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列以及利用水热法硫化生长ZnS壳层结构的制备方法。水热法制备的ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构与衬底的附着强度较高，具有高透过率、良好的电学特性，能够作为CZTS太阳能电池的窗口层，与后续电池的制备工艺具有良好的衔接。