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公开(公告)号：CN101219894A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810032416.6
申请日：2008-01-08
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/48 , C04B35/622 , C01B25/26 , A61K6/02
Abstract: 本发明涉及一种可切削氧化锆/磷酸镧全瓷口腔修复体材料的制备方法，属无机复合材料制备领域。本发明方法主要特征在于通过控制磷酸镧和氧化锆的含量，从而调节氧化锆和磷酸镧复合陶瓷的强度和韧性；本发明的制备工艺包括：磷酸镧粉体制备，由氧化钇、磷酸镧和氧化锆按一定质量比的混合粉体的制备，在150－250MPa下等静压，在1500－1650℃下烧结，最终制成本发明的可切削氧化锆和磷酸镧牙科复合陶瓷材料。本发明的复合材料适合于口腔临床的全瓷牙科修复体。
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公开(公告)号：CN1233579C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200310108398.2
申请日：2003-11-04
Applicant: 上海大学
CPC classification number: C03C3/095
Abstract: 本发明涉及一种磁记录存储器介质用玻璃基片材料及其制备方法，属玻璃材料及制备技术领域。本发明的一种磁记录存储器介质用玻璃基片材料，其组成成分及含量(重量百分比)如下：SiO260-70%、B2O34-9%、Na2O 4.5-6.5%、K2O 0-7%、Li2O0.1-9%、TiO20-5%、Al2O33-8%、As2O3+Sb2O30.4%、ZnO 0-6.5%、ZrO20-5%；另外还需加入适量的碱土金属、稀土元素氧化物。该基片材料制备方法为：按上述的原料的组成及配比进行称量，研磨混合均匀后放入熔炼炉中，加热到1300～1350℃温度，使其熔化，并保温5～6小时，并搅拌；出炉后，将融化的原料放至专用的成形模具中，其模具温度在400～500℃。当成形后，即进入退火炉中热处理，热处理温度为500-550℃，退火时间不超过8小时。并以4～15℃/min冷却至室温，取出即可。
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公开(公告)号：CN1623951A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410067786.5
申请日：2004-11-03
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种氧化铝－金刚石复合材料的制造方法，属无机复合材料制造工艺技术领域。本发明的制备工艺方法，其特征在于先由金刚石微粉均匀分布于纯氧化铝陶瓷体系中并通过热压烧结制成两相共存的复合基底，然后在此复合基底上，用热丝化学气相沉积法生长金刚石薄膜，最终制成具有大面积金刚石薄膜的氧化铝－金刚石复合材料；本发明的具体步骤包括：纯氧化铝陶瓷体系的制备、添加助烧剂、合成煅烧、添加金刚石微粉、复合基底的热压烧结、化学气相沉积金刚石薄膜，最后制成本发明的新型氧化铝－金刚石复合材料。本发明的复合材料适合于制作大规模集成电路的基片材料，可用作封装管壳的基片材料。
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公开(公告)号：CN105742508B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610221077.0
申请日：2016-04-12
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种四氨基锌酞菁有机空穴传输层钙钛矿太阳能电池的制备方法，首先采用微波法制备四硝基锌酞菁，再将其还原得到四氨基锌酞菁，以此衍生物作为有机空穴传输层，旋涂在涂覆有钙钛矿的TiO2膜上，制备了钙钛矿太阳能电池。本发明合成了一种酞菁衍生物染料—四氨基酞菁锌，作为钙钛矿TiO2太阳能电池有机空穴传输层，采用微波合成能大大缩减反应时间，提高反应产率，并且减少环境污染，并制备了基于该有机材料空穴传输层的绿色、环保、高效的钙钛矿太阳能电池。
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公开(公告)号：CN107170853A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710318230.6
申请日：2017-05-08
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , H01L21/02389 , H01L21/02562 , H01L21/02631 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，其步骤为：(1)将商用CdZnTe多晶体研磨成粉末作为升华源；(2)镀有氮化镓(GaN)的单晶硅片作为衬底，再用氮气吹干，放入近空间升华反应室内；(3 将升华室内气压抽至5pa以下；开卤素灯将升华源和衬底加热到600℃、550℃；生长20min，冷却至室温，取出，即得到GaN/CdZnTe薄膜；(4)用蒸镀法向上述GaN/CdZnTe薄膜表面蒸镀金属电极，再将金属电极放在N2氛围下退火，使GaN/CdZnTe与金属电极之间形成更好的欧姆接触，即制得复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器。该方法使用的GaN衬底可以保证复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器在高温、强辐射环境下的使用，对紫外光也具有有良好的稳定性和光响应特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101465215B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200910044846.4
申请日：2009-01-04
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明涉及一种纳米晶介孔TiO2厚膜材料的制备方法，它包括：介孔TiO2溶胶制备，经匀胶机在导电玻璃上旋涂介孔TiO2的薄膜，高温退火为凝胶，薄膜上用丝网印刷法制介孔TiO2厚膜，陈化为凝胶，烧结晶化，制成纳米晶介孔TiO2厚膜材料。该发明用旋涂法制介孔TiO2薄膜显著提高丝网印刷厚膜的欧姆接触电学性能；丝网印刷法所需的介孔TiO2浆料制备过程与现有的过程相比操作简单，介孔TiO2浆料在丝网印刷过程中易印刷，与水介质相比不易挥发，可得到无裂纹厚度可控的介孔TiO2厚膜。该厚膜具有高度有序介孔结构，用介孔TiO2厚膜材料制备的介孔TiO2厚膜电极光电太阳能电池的光敏化电极，能提高太阳能的电池转化效率。
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公开(公告)号：CN100567390C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200810034136.9
申请日：2008-02-29
Applicant: 上海大学
IPC: C08L49/00 , C08K5/3415
Abstract: 本发明涉及一种具有高光电导性的聚对苯乙炔/酞菁复合材料的的制备方法。该方法包括如下步骤：酰胺酞菁锌的合成，通过羧基取代酰胺基制备羧基酞菁锌，在此基础上进行酰氯化制备酰氯酞菁锌，聚苯乙酰的合成，以及酰氯酞菁锌和聚苯乙酰的复合反应。本发明制备的聚对苯乙炔/酞菁复合材料具有成膜性好、光电导性能高的特点，在软基太阳能电池上有良好应用。
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公开(公告)号：CN101567271A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910050886.X
申请日：2009-05-08
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明通过Fe离子的掺入来提供一种光吸收范围大，电子传输性能更好的纳米晶介孔TiO2厚膜材料的制备方法，它包括：Fe掺杂介孔TiO2溶胶制备，用丝网印刷技法制介孔TiO2厚膜，经高温退火，焙烧晶化，制成纳米晶介孔TiO2厚膜材料。该发明中Fe离子的掺入显著提高了纳米晶介孔TiO2厚膜的光吸收范围大，并在低温情况下提高了的结晶性能同时保护了材料的介孔结构，提高其电子传输性能，该厚膜具有高度有序介孔结构，用介孔TiO2厚膜材料制备的介孔TiO2厚膜电极光电太阳能电池的光敏化电极，能提高太阳能的电池转化效率。
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公开(公告)号：CN101465215A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200910044846.4
申请日：2009-01-04
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明涉及一种纳米晶介孔TiO2厚膜材料的制备方法，它包括：介孔TiO2溶胶制备，经匀胶机在导电玻璃上旋涂介孔TiO2的薄膜，高温退火为凝胶，薄膜上用丝网印刷法制介孔TiO2厚膜，陈化为凝胶，烧结晶化，制成纳米晶介孔TiO2厚膜材料。该发明用旋涂法制介孔TiO2薄膜显著提高丝网印刷厚膜的欧姆接触电学性能；丝网印刷法所需的介孔TiO2浆料制备过程与现有的过程相比操作简单，介孔TiO2浆料在丝网印刷过程中易印刷，与水介质相比不易挥发，可得到无裂纹厚度可控的介孔TiO2厚膜。该厚膜具有高度有序介孔结构，用介孔TiO2厚膜材料制备的介孔TiO2厚膜电极光电太阳能电池的光敏化电极，能提高太阳能的电池转化效率。
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公开(公告)号：CN109524491B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201811264136.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/18 , H01L31/102
Abstract: 本发明提供了一种具有ZnTe过渡层的GaN‑CdZnTe复合结构组件、应用及其制备方法，基于GaN/ZnTe基底生长CdZnTe薄膜并制备GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器，本发明提供的GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括衬底预处理、ZnTe过渡层的溅射过程、CdZnTe薄膜的生长过程、GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作4个主要步骤。本发明方法能在GaN/ZnTe衬底上快速生长大面积、高质量CdZnTe薄膜，GaN/ZnTe衬底可以保证GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应。
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