公开(公告)号：CN107170853A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710318230.6

申请日：2017-05-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  张宗坤 ,  徐宇豪 ,  沈意斌 ,  黄健 ,  顾峰 ,  王林军

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/109 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，其步骤为：(1)将商用CdZnTe多晶体研磨成粉末作为升华源；(2)镀有氮化镓(GaN)的单晶硅片作为衬底，再用氮气吹干，放入近空间升华反应室内；(3 将升华室内气压抽至5pa以下；开卤素灯将升华源和衬底加热到600℃、550℃；生长20min，冷却至室温，取出，即得到GaN/CdZnTe薄膜；(4)用蒸镀法向上述GaN/CdZnTe薄膜表面蒸镀金属电极，再将金属电极放在N2氛围下退火，使GaN/CdZnTe与金属电极之间形成更好的欧姆接触，即制得复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器。该方法使用的GaN衬底可以保证复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器在高温、强辐射环境下的使用，对紫外光也具有有良好的稳定性和光响应特性。

公开(公告)号：CN107230735B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201610175610.4

申请日：2016-03-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  季欢欢 ,  杨瑾 ,  黄健 ,  吴杨琳 ,  周家伟 ,  沈意斌 ,  张继军

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法，属于薄膜光电探测器部件制造工艺技术领域。本发明的目的是通过在采用近空间升华法制备CdZnTe薄膜之前先引入缓冲层（ZnTe/CdTe），从而达到提高CdZnTe薄膜质量的目的，给CdZnTe薄膜在光电探测器设备中的实际应用提供了新的方案。本发明是一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法,其特点在于基于高真空近空间升华与磁控溅射镀膜一体化工艺设备，以预处理过的单晶Si为衬底，先溅射ZnTe/CdTe作为缓冲层，再传输到升华腔内用CdZnTe单晶的粉末源沉积一层CdZnTe薄膜，之后对CdZnTe薄膜进行退火及腐蚀等后处理，并通过电子束沉积叉指型的金电极获得理想欧姆接触，最终制得薄膜光电探测器部件。

公开(公告)号：CN107170853B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201710318230.6

申请日：2017-05-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  张宗坤 ,  徐宇豪 ,  沈意斌 ,  黄健 ,  顾峰 ,  王林军

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，其步骤为：(1)将商用CdZnTe多晶体研磨成粉末作为升华源；(2)镀有氮化镓(GaN)的单晶硅片作为衬底，再用氮气吹干，放入近空间升华反应室内；(3)将升华室内气压抽至5pa以下；开卤素灯将升华源和衬底加热到600℃、550℃；生长20min，冷却至室温，取出，即得到GaN/CdZnTe薄膜；(4)用蒸镀法向上述GaN/CdZnTe薄膜表面蒸镀金属电极，再将金属电极放在N2氛围下退火，使GaN/CdZnTe与金属电极之间形成更好的欧姆接触，即制得复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器。该方法使用的GaN衬底可以保证复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器在高温、强辐射环境下的使用，对紫外光也具有有良好的稳定性和光响应特性。

公开(公告)号：CN107230735A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201610175610.4

申请日：2016-03-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  季欢欢 ,  杨瑾 ,  黄健 ,  吴杨琳 ,  周家伟 ,  沈意斌 ,  张继军

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1832 ,  C23C14/0629 ,  C23C14/24 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/1836

Abstract: 本发明涉及一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法，属于薄膜光电探测器部件制造工艺技术领域。本发明的目的是通过在采用近空间升华法制备CdZnTe薄膜之前先引入缓冲层（ZnTe/CdTe），从而达到提高CdZnTe薄膜质量的目的，给CdZnTe薄膜在光电探测器设备中的实际应用提供了新的方案。本发明是一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法,其特点在于基于高真空近空间升华与磁控溅射镀膜一体化工艺设备，以预处理过的单晶Si为衬底，先溅射ZnTe/CdTe作为缓冲层，再传输到升华腔内用CdZnTe单晶的粉末源沉积一层CdZnTe薄膜，之后对CdZnTe薄膜进行退火及腐蚀等后处理，并通过电子束沉积叉指型的金电极获得理想欧姆接触，最终制得薄膜光电探测器部件。