公开(公告)号：CN103193697B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201310089684.2

申请日：2006-09-08

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 村濑清一郎 ,  长尾和真 ,  杉本和则 ,  石垣刚 ,  小川贵史

IPC: C07D209/86 ,  C07D405/10 ,  C07D401/10 ,  C07D405/04 ,  C07D401/04 ,  C07D209/80 ,  C07D471/04 ,  C07D491/048 ,  C07D487/04 ,  C07D209/88 ,  C07D307/91 ,  C07D405/14 ,  C07D333/76 ,  C07D409/10 ,  C07D409/14 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/0054 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1088 ,  C09K2211/1092 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/50 ,  H01L2251/308 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明的课题在于提供含有通式（1）所示的芘化合物的发光元件材料，该发光元件材料可以形成高效率且耐久性优异的发光元件；另外还提供使用该发光元件材料的发光元件，其中，R1～R18可以分别相同或不同，是选自氢、烷基、环烷基、杂环基、链烯基、环烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素原子、羰基、羧基、氧基羰基、氨基甲酰基、氨基、氧化膦基和甲硅烷基中的基团，R1～R18中的相邻的取代基之间可以形成环，n是1～3的整数，Ｘ是选自-O-、-S-和-NR19-中的基团，R19是选自氢、烷基、环烷基、杂环基、链烯基、环烯基、炔基、芳基、杂芳基和氨基中的基团，R19可以与R11或R18结合形成环，Y是单键、亚芳基或亚杂芳基，R1～R10中的任意n个和R11～R19中的任意1个、用于与Y连接。

公开(公告)号：CN103193697A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310089684.2

申请日：2006-09-08

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 村濑清一郎 ,  长尾和真 ,  杉本和则 ,  石垣刚 ,  小川贵史

IPC: C07D209/86 ,  C07D405/10 ,  C07D401/10 ,  C07D405/04 ,  C07D401/04 ,  C07D209/80 ,  C07D471/04 ,  C07D491/048 ,  C07D487/04 ,  C07D209/88 ,  C07D307/91 ,  C07D405/14 ,  C07D333/76 ,  C07D409/10 ,  C07D409/14 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/0054 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1088 ,  C09K2211/1092 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/50 ,  H01L2251/308 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明的课题在于提供含有通式（1）所示的芘化合物的发光元件材料，该发光元件材料可以形成高效率且耐久性优异的发光元件；另外还提供使用该发光元件材料的发光元件，其中，R1～R18可以分别相同或不同，是选自氢、烷基、环烷基、杂环基、链烯基、环烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素原子、羰基、羧基、氧基羰基、氨基甲酰基、氨基、氧化膦基和甲硅烷基中的基团，R1～R18中的相邻的取代基之间可以形成环，n是1～3的整数，Ｘ是选自-O-、-S-和-NR19-中的基团，R19是选自氢、烷基、环烷基、杂环基、链烯基、环烯基、炔基、芳基、杂芳基和氨基中的基团，R19可以与R11或R18结合形成环，Y是单键、亚芳基或亚杂芳基，R1～R10中的任意n个和R11～R19中的任意1个、用于与Y连接。

公开(公告)号：CN101473012A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200780022429.9

申请日：2007-06-08

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 长尾和真 ,  村濑清一郎

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  C07F5/02

CPC classification number: C07F5/027 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1014 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1088 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/008 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5048 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明提供发光元件材料，该发光元件材料含有通式(1)所示的芘化合物，使用该发光元件材料可以制成高效率且色纯度、耐久性优异的发光元件；还提供使用该发光元件材料的发光元件。式中，R1～R10其中的任意一个是下述通式(2)所示的基团，或者其中的任意1～4个是下述通式(3)所示的基团。

公开(公告)号：CN112868091B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201980068099.X

申请日：2019-10-02

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 清水浩二 ,  堀井新司 ,  村濑清一郎

IPC: H01L21/336 ,  C01B32/159 ,  C01B32/174 ,  H01L29/786 ,  H10K10/46 ,  H10K71/60 ,  H10K85/20 ,  H10K85/00

Abstract: 本发明的目的在于特性偏差被抑制的FET、及以简单制备该FET的制造方法制备该FET，主旨在于，关于设置在基板上的栅电极、栅极绝缘层、源电极及漏电极中的一种或多种进行物理量的测定，在进行半导体层的形成中以基于所述物理量所确定的半导体材料的涂布量进行涂布，进行半导体层的形成。

公开(公告)号：CN112672977B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201980058884.7

申请日：2019-09-17

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 矶贝和生 ,  村濑清一郎 ,  田中龙一 ,  西野秀和

IPC: C01B32/174 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H10K10/46 ,  H10K85/20 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明的课题在于提供能够通过喷墨而精度良好地涂布于所期望的位置的碳纳米管复合体及使用其的分散液,主旨为碳纳米管复合体,其为在碳纳米管的表面的至少一部分附着有共轭系聚合物的碳纳米管复合体,上述共轭系聚合物具有通式(1)表示的侧链。通式(1)中，R表示亚烷基或亚环烷基。X表示单键、亚烯基、亚炔基、亚芳基或亚杂芳基。A表示烷基羰基、芳基羰基、杂芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、杂芳氧基羰基、烷基羰基氧基、芳基羰基氧基或杂芳基羰基氧基

公开(公告)号：CN111095566B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201880054815.4

申请日：2018-09-25

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 崎井大辅 ,  村濑清一郎 ,  胁田润史

IPC: H10K10/46 ,  C08G77/42 ,  C08G77/58 ,  C08K3/013 ,  C08K3/22 ,  C08L83/04 ,  C08L101/00 ,  H10K85/20

Abstract: 本发明是一种场效应晶体管，至少具有基板、源极、漏极和栅极、与所述源极和漏极接触的半导体层、以及将所述半导体层与所述栅极绝缘的栅极绝缘层，所述半导体层含有碳纳米管，所述栅极绝缘层含有与无机粒子结合的聚合物。本发明提供漏电流降低、进而半导体溶液被均匀涂布的场效应晶体管和其制造方法。

公开(公告)号：CN113646900A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202080024703.1

申请日：2020-03-06

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 小林康宏 ,  矶贝和生 ,  村濑清一郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明的课题是以简便的工艺提供具有高n型半导体特性且稳定性优异的n型半导体元件，本发明的n型半导体元件具备：基材、源电极、漏电极和栅电极、与所述源电极和漏电极这两者接触的半导体层、使所述半导体层与所述栅电极绝缘的栅绝缘层、以及在所述半导体层的与所述栅绝缘层相反一侧与所述半导体层接触的第2绝缘层，其特征在于，所述半导体层含有纳米碳，所述第2绝缘层含有(a)真空中的电离电位为7.0eV以下的化合物和(b)高分子。

公开(公告)号：CN107925147B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201680048331.X

申请日：2016-08-10

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 胁田润史 ,  清水浩二 ,  村濑清一郎

IPC: H01P11/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/09 ,  G06K19/077 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H05K1/09 ,  H05K1/16

Abstract: 本发明的目的在于提供利用涂布法而精度良好地形成天线基板或带有布线和电极的天线基板的方法。本发明的方式之一为包括以下工序的带有布线和电极的天线基板的制造方法。(1)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；(2‑A)利用光刻将上述涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序，(2‑B)将上述涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，(2‑C)将上述涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序；(3‑A)使与天线相对应的图案固化而得到天线的工序，(3‑B)使与布线相对应的图案固化而得到布线的工序，(3‑C)使与电极相对应的图案固化而得到电极的工序。

公开(公告)号：CN111492233A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201880072236.2

申请日：2018-11-15

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 内藤孝二郎 ,  河井翔太 ,  胁田润史 ,  野口健太 ,  村濑清一郎

IPC: G01N27/00 ,  A61F5/44 ,  A61F13/42 ,  G01N27/04

Abstract: 电路形成于基板上，具备具有互相共通的功能的多个构成部位，所述多个构成部位分别具有示出对水分的响应性的检测部位，所述对水分的响应性在所述多个构成部位之间不同，通过各检测部位的对水分的响应的有无与二值的数字信号相对应，从而输出二值的数字信号串。

公开(公告)号：CN108350296B

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201680067525.4

申请日：2016-11-24

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 辻祐一 ,  井上武治郎 ,  村濑清一郎

IPC: C09D11/101 ,  B41M1/06 ,  C09D11/107

Abstract: 提供耐污脏性和流动性优异的平版印刷用墨水。此外，提供使用前述平版印刷用墨水的印刷物的制造方法。平版印刷用墨水，在25℃下通过锥板型旋转粘度计测定得到的转速0.5rpm下的粘度(A)、转速20rpm下的粘度(B)、和转速50rpm下的粘度(C)均为5Pa・s以上且100Pa・s以下，且粘度比(C)/(B)为0.8以上且1.0以下。