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公开(公告)号:CN104060073A
公开(公告)日:2014-09-24
申请号:CN201410108086.X
申请日:2014-03-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L39/02 , C21D1/04 , C21D2281/00 , F27B5/06 , F27B5/12 , F27B5/13 , F27D3/0024 , F27D3/0084 , F27D11/12 , F27D19/00 , F27D2003/0003 , F27D2003/0018 , G11C11/16 , H01L43/12
Abstract: 在本发明的磁性退火装置中,隔着开闭门形成有用于输送收纳有一组被处理体的收纳容器的收纳容器输送区域和用于输送被处理体的被处理体输送区域,磁性退火装置具有控制部,在收纳容器输送区域内配置有:第1载置台;多个第2载置台;保存部;以及收纳容器输送机构,其用于在第1载置台、第2载置台以及保存部之间输入、输出收纳容器;在被处理体输送区域内配置有:对准器;被处理体保持部件;被处理体输送机构,其用于在载置于第2载置台的收纳容器、对准器以及被处理体保持部件之间输送被处理体;加热部件;磁场产生部件;以及移载机构,其用于将保持于被处理体保持部件的被处理体移载到磁场产生部件内。
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公开(公告)号:CN103429783A
公开(公告)日:2013-12-04
申请号:CN201280014151.1
申请日:2012-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/14 , C23C14/22 , H01L51/5076 , H01L2251/5346
Abstract: 本发明提供能够进行期望的共蒸镀的成膜装置、成膜方法、有机发光元件的制造方法和有机发光元件。成膜装置的成膜头包括将有机成膜材料的蒸气向被处理基板(G)喷出的有机成膜材料供给部(4)、和将无机成膜材料的蒸气向被处理基板(G)喷出的无机成膜材料供给部(5)。有机成膜材料供给部(4)、无机成膜材料供给部(5)构成为能够在水平方向和垂直方向上移动,且配置被控制使得以从喷出口(41a、51a)喷出的有机材料、无机材料的混合比例在厚度方向上不同的状态进行成膜。
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公开(公告)号:CN103154305A
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201180048262.X
申请日:2011-10-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C14/24 , C03C17/002 , C23C14/543 , H01L51/0008
Abstract: 本发明提供能够抑制蒸气产生部内部的压力上升和温度上升,能够进行精密的温度控制的成膜装置。对玻璃基板(G)进行成膜处理的成膜装置具有:収容玻璃基板(G)的处理室(5);通过对成膜材料进行加热,产生该成膜材料的蒸气的蒸气产生部(1);用于将在蒸气产生部(1)中产生的成膜材料的蒸气与运载气体一起输送到处理室(5)的输送路径(21);排气路径(22);设置在输送路径途中的调节阀装置(31);和设置在排气路径(22)途中的排气阀装置(32);对蒸气产生部(1)的温度进行检测的材料温度检测部(64);第一蒸气量检测部(23);和控制部(8),在对成膜材料进行加热时,根据蒸气产生部(1)的温度的高低,对排气阀装置(32)的开关动作进行控制,在将成膜材料向上述处理室输送时,在由第一蒸气量检测部(23)检测出的蒸气量稳定时,关闭排气阀装置(32),打开调节阀装置(31)。
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公开(公告)号:CN102414339A
公开(公告)日:2012-04-11
申请号:CN201080017943.5
申请日:2010-04-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/246
Abstract: 本发明提供一种能使保持了高流动性的状态的颗粒状的有机材料有效地升华、溶解的蒸镀处理装置和蒸镀处理方法。是通过蒸镀在基板上使薄膜成膜的蒸镀处理装置,具备供给材料气体的、自由减压的材料供给装置和在上述基板上使薄膜成膜的成膜装置,所述材料供给装置具有对材料进行定量的定量部和使通过了所述定量部的材料气化的材料气体生成部。
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公开(公告)号:CN102224275A
公开(公告)日:2011-10-19
申请号:CN201080003266.1
申请日:2010-04-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种蒸镀头以及具有该蒸镀头的成膜装置,不仅对以往的小型基板还对大型基板也能够使在各个部位的喷射量均等,并且喷射确保均热性的材料气体,从而可以形成均匀的薄膜。蒸镀头被设置在对基板形成薄膜的蒸镀处理内,使材料气体向基板喷出,该蒸镀头具有外侧壳体、和配置在所述外侧壳体内并导入材料气体的内侧壳体,在所述内侧壳体中形成有使材料气体向基板喷射的开口部,在所述外侧壳体的外面或者所述外侧壳体与所述内侧壳体之间,配置有对材料气体进行加热的蒸镀头。
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公开(公告)号:CN104805416B
公开(公告)日:2019-07-30
申请号:CN201510047084.9
申请日:2015-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/402 , C23C16/4405 , C23C16/45551
Abstract: 本发明提供一种成膜装置,该成膜装置包括:真空容器;旋转台,其配置于该真空容器内,该旋转台用于将基板载置于在旋转台的一面侧设置的载置区域并使基板公转;处理气体供给部,其用于向基板供给热分解温度在1个大气压下为520℃以上的处理气体;以及加热部,其用于加热所述旋转台,以便将所述基板加热至600℃以上而进行成膜处理。所述处理气体供给部包括:气体喷头,其具有以与所述基板的通过区域相对的方式设置的、多个处理气体的喷射孔;以及冷却机构,其用于在所述成膜处理时将所述气体喷头的与所述通过区域相对的相对部冷却至比所述处理气体的热分解温度低的温度。
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公开(公告)号:CN102575347B
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:CN201080044833.8
申请日:2010-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 提供一种成膜装置,该成膜装置能够进行期望条件下的有机成膜材料和无机成膜材料的共蒸镀。该成膜装置具备:收纳被处理基板(G)的处理室;设置于处理室的外部的产生有机成膜材料的蒸气的蒸气产生部;有机成膜材料供给部(22),其设置于处理室的内部,将在蒸气产生部产生的有机成膜材料的蒸气喷出;无机成膜材料供给部(24),其设置于处理室的内部,喷出无机成膜材料的蒸气;和混合室(23),其将从有机成膜材料供给部(22)喷出的有机成膜材料的蒸气与从无机成膜材料供给部(24)喷出的无机成膜材料的蒸气混合,混合室(23)具备使有机成膜材料和无机成膜材料的混合蒸气通过、向被处理基板(G)供给的开口部(23c)。
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公开(公告)号:CN102597587A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201080050629.7
申请日:2010-10-29
Applicant: 株式会社富士金 , 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: F16K31/126 , F16K1/34 , F16K51/02
CPC classification number: F16K31/126 , F16K1/34 , F16K25/005 , Y10T137/776
Abstract: 本发明提供一种提高阀的开关精度的调整阀装置。调整阀装置(300)包括:具有阀体头部(310a)的阀体(310);向阀体传递动力的动力传递部件(320a);以能够滑动的方式内置阀体的阀箱(305);第一波纹管(320b),相对于动力传递部件在与阀体相反一侧的位置形成第一空间(Us);第二波纹管(320c),相对于动力传递部件在阀体一侧的位置形成第二空间(Ls);与第一空间连通的第一配管(320d);和与第二空间连通的第二配管(320e)。根据从供给第一空间和供给第二空间的工作流体的压力比率,从动力传递部件向阀体传递动力,由此,通过阀体头部开关形成于阀箱中的搬送路径。阀体头部的维氏硬度比阀体头部所接触的搬送路径的阀座面的维氏硬度硬,其硬度差大概是200~300Hv。
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公开(公告)号:CN102575338A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201080038999.9
申请日:2010-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/352 , H01J37/3408 , H01J37/3414
Abstract: 本发明提供一种溅射装置。该溅射装置在对自溅射空间向作为溅射处理对象的形成有有机薄膜的基板的光进行遮挡而防止有机薄膜特性劣化的状态下进行溅射处理。该溅射装置用于对配置在溅射空间的侧方的基板进行溅射处理,该溅射空间形成在相对配置的一对靶材之间,其中,该溅射装置包括用于对上述一对靶材施加电压的电源、用于向上述溅射空间中供给非活性气体的气体供给部、配置在上述溅射空间和上述基板之间的遮光机构。
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公开(公告)号:CN101646802A
公开(公告)日:2010-02-10
申请号:CN200880010533.0
申请日:2008-03-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , C23C14/24 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC classification number: C23C16/4481 , H01L51/0008 , H01L51/56 , H05B33/10
Abstract: 本发明提供一种可精确地控制成膜速度的蒸镀源单元、蒸镀装置和蒸镀源单元的温度调整方法。蒸镀装置(20)具有蒸镀源单元(100)、输送被气化的成膜材料的输送机构(200)、和喷出被输送的成膜材料的喷出机构(400)。蒸镀源单元(100)具有蒸镀源组件(As)、外壳(Hu)、和水冷套管(150)。蒸镀源组件(As)由气体供给机构(105)、气体导入部(115)和第1材料气化室(U)一体地形成。从形成在气体供给机构(105)中的多个气体流路(105p)向第1材料气化室(U)导入氩气。外壳(Hu)的加热器(120)对第1材料气化室(U)中的成膜材料和流过多个气体流路(105p)的载气进行加热。被气化的成膜材料由氩气输送。水冷套管(150)按照从外壳(Hu)的外周面离开规定距离的方式设置,用于冷却蒸镀源单元(100)。
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