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公开(公告)号：CN102597587A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080050629.7
申请日：2010-10-29
申请人： 株式会社富士金 , 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： F16K31/126 , F16K1/34 , F16K51/02
CPC分类号： F16K31/126 , F16K1/34 , F16K25/005 , Y10T137/776
摘要： 本发明提供一种提高阀的开关精度的调整阀装置。调整阀装置（300）包括：具有阀体头部（310a）的阀体（310）；向阀体传递动力的动力传递部件（320a）；以能够滑动的方式内置阀体的阀箱（305）；第一波纹管（320b），相对于动力传递部件在与阀体相反一侧的位置形成第一空间（Us）；第二波纹管（320c），相对于动力传递部件在阀体一侧的位置形成第二空间（Ls）；与第一空间连通的第一配管（320d）；和与第二空间连通的第二配管（320e）。根据从供给第一空间和供给第二空间的工作流体的压力比率，从动力传递部件向阀体传递动力，由此，通过阀体头部开关形成于阀箱中的搬送路径。阀体头部的维氏硬度比阀体头部所接触的搬送路径的阀座面的维氏硬度硬，其硬度差大概是200～300Hv。
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公开(公告)号：CN102365484A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201080012496.4
申请日：2010-03-08
申请人： 株式会社富士金 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： F16K31/122 , F16K1/36 , F16K1/42 , F16K51/02 , H01L21/205
CPC分类号： F16K31/126 , F16K31/1268 , F16K41/10
摘要： 本发明提供一种利用工作流体开闭阀芯的调整阀装置。阀芯(310)具有利用阀杆(310c)连结阀芯头部(310a)和阀芯身部(310b)而成的构造。阀体(305)内置有能滑动的阀芯(310)和动力传递构件(320a)。通过将第一波纹管(320b)固定安装于动力传递构件(320a)和阀体(305)，相对于动力传递构件(320a)来说在与阀芯相反一侧的位置形成第一空间(Us)。通过将第二波纹管(320c)固定安装于动力传递构件(320a)和阀体(305)，相对于动力传递构件(320a)来说在靠阀芯一侧的位置形成第二空间(Ls)。根据自第一配管(320d)供给到第一空间(Us)内的空气与自第二配管(320e)供给到第二空间(Ls)内的空气间的比率，自动力传递构件(320a)将动力传递给阀芯头部(310a)，开闭输送通路(200a)。
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公开(公告)号：CN103080365A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180040720.5
申请日：2011-08-24
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H05B33/10 , C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/544 , C23C14/545 , H01L51/001 , H01L51/56
摘要： 本发明提供一种蒸镀处理装置和蒸镀处理方法，能够在基板上形成薄膜的同时进行膜厚的控制。蒸镀处理装置利用蒸镀在基板上形成薄膜，其中，该蒸镀处理装置包括：自由减压的材料供给部，其用于供给材料气体；以及成膜部，其用于在上述基板上形成薄膜，上述成膜部具有用于对向上述基板喷射的材料气体的蒸气浓度进行测量的检测部件，该蒸镀处理装置设有控制部，该控制部根据上述检测部件的测量结果来控制成膜条件。
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公开(公告)号：CN102575347A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080044833.8
申请日：2010-09-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 提供一种成膜装置，该成膜装置能够进行期望条件下的有机成膜材料和无机成膜材料的共蒸镀。该成膜装置具备：收纳被处理基板(G)的处理室；设置于处理室的外部的产生有机成膜材料的蒸气的蒸气产生部；有机成膜材料供给部(22)，其设置于处理室的内部，将在蒸气产生部产生的有机成膜材料的蒸气喷出；无机成膜材料供给部(24)，其设置于处理室的内部，喷出无机成膜材料的蒸气；和混合室(23)，其将从有机成膜材料供给部(22)喷出的有机成膜材料的蒸气与从无机成膜材料供给部(24)喷出的无机成膜材料的蒸气混合，混合室(23)具备使有机成膜材料和无机成膜材料的混合蒸气通过、向被处理基板(G)供给的开口部(23c)。
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公开(公告)号：CN102202992A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980143494.6
申请日：2009-11-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： B65G49/06 , H01L21/677 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/56 , H01L21/67173 , H01L21/6723
摘要： 本发明提供一种能够扩展与传输模块侧面相连接的各种处理装置之间的间隔，维护性优良，可以避免生产能力的恶化，确保充分的生产效率的基板处理系统。基板处理系统在基板上沉积例如包含有机层的多个层来制造有机EL元件，由可抽真空的一个或两个以上的传输模块构成直线状的搬送路径，在传输模块的内部沿着搬送路径相互串联配置有：将基板相对于处理装置搬入搬出的多个搬入搬出区域，和配置在它们之间的一个或两个以上贮存区域，在传输模块的侧面且与搬入搬出区域对置的位置连接有处理装置。
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公开(公告)号：CN104060074B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201410108338.9
申请日：2014-03-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/67781 , G11C11/16 , H01L21/67754
摘要： 本发明的磁性退火装置使用卧式的超导磁体作为磁场产生部件，对保持于被处理体保持部件的被处理体进行磁性退火处理，该磁性退火装置包括：收纳容器，其用于收纳磁性退火处理前的上述被处理体；以及被处理体输送机构，其用于将保持于上述收纳容器的上述被处理体输送到上述被处理体保持部件；上述被处理体输送机构能够将上述被处理体保持为水平状态，并且也能够将上述被处理体保持为铅垂状态。
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公开(公告)号：CN104060074A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410108338.9
申请日：2014-03-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/67781 , G11C11/16 , H01L21/67754
摘要： 本发明的磁性退火装置使用卧式的超导磁体作为磁场产生部件，对保持于被处理体保持部件的被处理体进行磁性退火处理，该磁性退火装置包括：收纳容器，其用于收纳磁性退火处理前的上述被处理体；以及被处理体输送机构，其用于将保持于上述收纳容器的上述被处理体输送到上述被处理体保持部件；上述被处理体输送机构能够将上述被处理体保持为水平状态，并且也能够将上述被处理体保持为铅垂状态。
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公开(公告)号：CN102224275B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201080003266.1
申请日：2010-04-02
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种蒸镀头以及具有该蒸镀头的成膜装置，不仅对以往的小型基板还对大型基板也能够使在各个部位的喷射量均等，并且喷射确保均热性的材料气体，从而可以形成均匀的薄膜。蒸镀头被设置在对基板形成薄膜的蒸镀处理内，使材料气体向基板喷出，该蒸镀头具有外侧壳体、和配置在所述外侧壳体内并导入材料气体的内侧壳体，在所述内侧壳体中形成有使材料气体向基板喷射的开口部，在所述外侧壳体的外面或者所述外侧壳体与所述内侧壳体之间，配置有对材料气体进行加热的蒸镀头。
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公开(公告)号：CN104805416A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510047084.9
申请日：2015-01-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/402 , C23C16/4405 , C23C16/45551
摘要： 本发明提供一种成膜装置，该成膜装置包括：真空容器；旋转台，其配置于该真空容器内，该旋转台用于将基板载置于在旋转台的一面侧设置的载置区域并使基板公转；处理气体供给部，其用于向基板供给热分解温度在1个大气压下为520℃以上的处理气体；以及加热部，其用于加热所述旋转台，以便将所述基板加热至600℃以上而进行成膜处理。所述处理气体供给部包括：气体喷头，其具有以与所述基板的通过区域相对的方式设置的、多个处理气体的喷射孔；以及冷却机构，其用于在所述成膜处理时将所述气体喷头的与所述通过区域相对的相对部冷却至比所述处理气体的热分解温度低的温度。
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公开(公告)号：CN102644051A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210035752.2
申请日：2012-02-16
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 从蒸镀头喷射的成膜材料，在被处理基板和处理室或者其他的蒸镀头之间反冲，成膜材料附着于与应被蒸镀的位置不同的部位，或者作为杂质混入来自各成膜材料喷出部的蒸气混合的相邻的膜中。本发明是一种成膜装置(1)，具有：收纳被处理基板(被处理基板G)的处理室(11)；和向该被处理基板喷出成膜材料的蒸气的成膜材料喷出部(13)，该成膜装置(1)，在处理室(11)的内部具有捕捉部(16、16)，其捕捉从成膜材料喷出部(13)喷出的，被被处理基板(被处理基板G)反冲的成膜材料。
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