公开(公告)号：CN102754194B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201180008696.7

申请日：2011-02-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 星野聪彦 ,  松井英章 ,  成岛正树

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/32 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C14/046 ,  C23C14/221 ,  C23C16/0281 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种基板的配线方法，其能够将Cu埋入至在基板上形成的配线用图案的底部。该基板的配线方法是在保持为真空状态的处理容器（100）内对形成有配线用图案的基板进行配线的方法，其特征在于：包括用所期望的清洗气体清洗晶片上的配线用图案的前工序和在前工序之后使用团簇化后的金属气体（金属气体团簇Cg）在配线用图案内埋入金属纳米粒子的埋入工序。

公开(公告)号：CN102437001A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110287175.1

申请日：2011-09-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 土桥和也 ,  布濑晓志 ,  星野聪彦 ,  妹尾武彦 ,  吉野裕

IPC: H01J37/32 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/306 ,  C23C14/02 ,  C23C14/165 ,  C23C14/568 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/386 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及真空处理装置、真空处理方法以及微细加工装置。在真空室(31)内设置有喷嘴部(5)，按照与喷嘴部(5)的喷出口对置的方式保持硅基板(W)。以0.3MPa～2.0MPa从喷嘴部(5)的基端侧供给例如ClF3气体以及Ar气体，使该混合气体从喷嘴部(5)的顶端侧向1Pa～100Pa的真空气氛喷出。由此混合气体进行绝热膨胀，Ar原子、ClF3的分子结合在一起成为气体团簇(C)。在该气体团簇(C)未离子化的情况下，向硅基板(W)的表面部喷射，使该表面部多孔质化。而且在不破坏真空的情况下，在其它的真空室(41)中对该硅基板(W)的表面进行锂的溅射成膜。

公开(公告)号：CN100459062C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200480023656.X

申请日：2004-09-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜 ,  星野聪彦 ,  井出真司 ,  柏木勇作

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明涉及降低通过化学蒸镀法形成的含有Si、O和CH的绝缘膜的介电常数的方法。向等离子体处理装置的反应容器内供给含有氢原子的加工气体。向反应容器内导入微波并供给均匀的电磁波，由此在反应容器内产生含有氢游离基的等离子体。通过照射于绝缘膜的等离子体含有的氢游离基，改变绝缘膜的结构，降低介电常数。经过径向槽天线向反应容器内供给微波。

公开(公告)号：CN1692478A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN03812483.1

申请日：2003-07-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本乡俊明 ,  星野聪彦

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J2237/336 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121

Abstract: 一种形成绝缘膜的方法，它包括将低能量等离子体照射配置在电子器件用基片上的固化性材料含有膜，使所述固化性材料含有膜固化。该方法可以用于防止将过分的热加在该膜上，同时形成高质量的导电膜。