公开(公告)号：CN101096755B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200710126883.0

申请日：2007-06-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野寺伸武 ,  长谷部一秀 ,  山本和弥

IPC: C23C16/30 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明涉及一种成膜装置的使用方法，在所述成膜装置的反应室内，在被处理基板上形成选自氮化硅膜和氧氮化硅膜中的制品膜，在从所述反应室卸载所述被处理基板后，进行下一工序。首先，对附着在所述反应室的所述内面的副生成物膜进行氮化，此处，将所述反应室的所述内面加热至后处理温度，并将氮化用的后处理气体供给至所述反应室内。接着，通过将所述反应室的所述内面从上述后处理温度急冷，利用热应力使氮化后所述副生成物膜龟裂。通过对所述反应室内进行强制排起，排出由此从所述内面剥离的所述副生成物膜的部分。

公开(公告)号：CN101140884B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200710167674.0

申请日：2007-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  石田义弘 ,  藤田武彦 ,  小川淳 ,  中岛滋

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够选择性供给第一处理气体、第二处理气体、第三处理气体的处理区域内，利用CVD法在被处理基板上形成氧化膜，其中第一处理气体包括含有膜源元素且不含氨气的源气体，第二处理气体包括氧化气体，第三处理气体包括预处理气体。第一工序包括将第三处理气体在利用激发机构激发的状态下供给的激发阶段，利用由此生成的所述预处理气体的自由基对所述被处理基板的表面进行预处理。第二工序是供给第一处理气体，由此，使膜源元素吸附到被处理基板的表面。第三工序包括将第二处理气体在利用激发机构激发的状态下供给的激发阶段，利用由此生成的所述氧化气体的自由基，使吸附在所述被处理基板的表面的膜源元素氧化。

公开(公告)号：CN101570856A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200910142629.9

申请日：2005-06-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  周保华

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/452 ,  H01J37/32 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明涉及半导体处理用成膜装置，该装置具有：处理容器，支持被处理基板的支持部件，加热被处理基板的加热器，排放气体的排气系统，供给成膜用第一处理气体和与第一处理气体反应的第二处理气体以及与第一、第二处理气体均不同的第三处理气体的第一、第二、第三处理气体供给系统，激发第二处理气体的激发机构，控制成膜装置动作的控制部分，为通过CVD在被处理基板上形成薄膜，所述控制部分交叉实施如下工序：供给第一和第三处理气体，同时停止供给第二处理气体，通过激发机构，使第三处理气体以激发状态供给；停止供给第一、第二、第三处理气体；供给第二处理气体，同时停止供给第一和第三处理气体；停止供给第一、第二、第三处理气体。

公开(公告)号：CN101562133A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910130094.3

申请日：2009-04-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 门永健太郎 ,  户根川大和 ,  周保华 ,  长谷部一秀 ,  柴田哲弥

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/30 ,  C23C16/06 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31612 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，其在能够被有选择地供给硅源气体和金属源气体的处理容器的处理区域内，进行在被处理衬底上形成掺杂有金属的含硅绝缘膜的成膜处理。成膜处理包括：阻断所述金属源气体的供给、并且使所述硅源气体发生化学反应来形成第一绝缘薄层的工序；接着，阻断所述硅源气体的供给、并且使所述金属源气体发生化学反应来形成第一金属薄层的工序；接着，阻断所述金属源气体的供给、并且使所述硅源气体发生化学反应来形成第二绝缘薄层的工序。

公开(公告)号：CN101440482A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810179942.5

申请日：2008-10-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野寺伸武 ,  佐藤润 ,  松永正信 ,  长谷部一秀

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/00 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45519 ,  H01L21/3185

Abstract: 一种薄膜形成装置及其使用方法，用来在反应室内在被处理基板上形成薄膜的半导体处理用的成膜装置的使用方法，用来除去堆积到从供给用来成膜的成膜气体的成膜气体供给系统，通过所述反应室，直到排气系统的气体路径的规定区域上的副生成物膜，在所述反应室内没有装入所述被处理基板的状态下，通过交替反复进行蚀刻工序和排气工序进行清洁处理，在蚀刻工序中，在向所述规定区域供给蚀刻所述副生成物膜的清洁气体并活性化的同时，蚀刻所述副生成物膜，在排气工序中，停止所述清洁气体的供给，通过所述排气系统对所述规定区域存在的空间进行排气。

公开(公告)号：CN101413111A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810167961.6

申请日：2008-10-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野寺伸武 ,  佐藤润 ,  山本和弥 ,  长谷部一秀

IPC: C23C16/455 ,  C23F4/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522

Abstract: 本发明提供一种用于在反应室内从第一喷嘴供给成膜反应性气体而在被处理基板上形成薄膜的半导体处理用的成膜装置的使用方法，在上述反应室内没有收纳上述被处理基板的状态下，依次进行：一边向上述反应室内供给对上述副生成物膜进行蚀刻的清洁反应性气体并进行活性化一边蚀刻上述副生成物膜的蚀刻工序；和停止上述清洁反应性气体的供给并对上述反应室内进行排气的排气工序，从而进行清洁处理，由此除去堆积在上述反应室内和上述第一气体分散喷嘴内的副生成物膜，在此，上述蚀刻工序使用供给上述反应室内的上述清洁反应性气体向上述第一气体分散喷嘴中流入的条件。

公开(公告)号：CN101381861A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810109374.1

申请日：2005-06-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  周保华

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/452 ,  H01J37/32 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明涉及半导体处理用的成膜方法，该成膜方法是向容纳被处理基板的处理容器内供给成膜用的第一处理气体和与第一处理气体反应的第二处理气体，通过CVD在被处理基板上形成薄膜的方法。此成膜方法交叉的包括第一至第四工序。在第一工序中，向处理区域供给第一和第二处理气体。在第二工序中，停止向处理区域供给第一和第二处理气体。在第三工序中，在向处理区域供给第二处理气体的同时，停止向处理区域供给第一处理气体。在第四工序中，停止向处理区域供给第一和第二处理气体。

公开(公告)号：CN100426474C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200510087306.6

申请日：2005-07-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  冈田充弘 ,  周保华 ,  金采虎 ,  小川淳

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45531 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/507

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在能够选择性地供给含有硅烷系气体的第一处理气体和含有氮化气体或氮氧化气体的第二处理气体以及含有掺杂气体的第三处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成含有杂质的氮化硅膜或氮氧化硅膜。该成膜方法交叉地具有第一至第四工序。在第一工序中，向处理区域内供给第一和第三处理气体。在第二工序中，停止向处理区域内供给第一、第二和第三处理气体。在第三工序中，向处理区域内供给第二处理气体，而停止向处理区域供给第一和第三处理气体。第三工序具有将由激发机构使之处于激发状态的第二处理气体供给至处理区域的激发期间。在第四工序中，停止向处理区域内供给第一、第二和第三处理气体。

公开(公告)号：CN1804114A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510092786.5

申请日：2005-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社堀场制作所

Inventor： 长谷部一秀 ,  野寺伸武 ,  远藤笃史 ,  梅木诚 ,  西村克美 ,  南雅和 ,  吉田诚

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L21/66

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置和该装置的使用方法，它能够以最佳的清洁时间进行清洁。本发明的半导体处理用的成膜装置，包括：清洁气体供给系统(17)、浓度测定部(27)、以及信息处理部(102)。清洁气体供给系统(17)向反应室内供给，从反应室(2)的内面去除来源于成膜气体的副生成物膜的用于清洁处理的清洁气体。浓度测定部(27)设置在排气系统(GE)，用于监控从反应室(2)排出的排出气体所包含的预定成分的浓度。信息处理部(102)比较在浓度测定部(27)获得的测定值和预设定值，决定清洁处理的结束点。

公开(公告)号：CN1713351A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200510077437.6

申请日：2005-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  周保华 ,  金采虎

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/365 ,  H01L21/469 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，包括向处理容器内供给用于在被处理基板上堆积薄膜的原料气体的原料气体供给系统、以及向处理容器内供给用于向薄膜中导入杂质的掺杂气体和用于稀释掺杂气体的混合气体的混合气体供给系统。混合气体供给系统包括：用于混合掺杂气体和稀释气体以形成混合气体并设置在处理容器外的气体混合箱体，从气体混合箱体向处理容器内供给混合气体的供给线，向气体混合箱体供给掺杂气体的掺杂气体供给系统，以及向气体混合箱体供给稀释气体的稀释气体供给系统。