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公开(公告)号：CN103064261A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210538668.2
申请日：2012-12-13
Applicant: 东南大学
CPC classification number: G06F17/5009 , G03F7/20 , G06F17/10
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶刻蚀过程中表面演化模拟的哈希快速推进方法，包括：衬底网格化和确定刻蚀速度矩阵，网格点时间值初始化，构建哈希表和最小堆，向前推进并更新，重复上述步骤直到最小根节点的时间值不小于预设的光刻胶刻蚀（光刻胶显影）时间。本发明根据快速推进模拟方法只计算窄带网格点的特性，引入哈希表并设计了一种专门的数据结构来保存窄带网格点的数据信息；并根据刻蚀表面推进的单向性，复用刻蚀速度数组来保存已经经过的网格点的时间值，同时利用复用值的符号来区分不同网格点的状态；同时建立一个回收哈希表节点的队列，用于快速推进模拟方法申请空间时直接从队列中提取，避免系统频繁申请释放空间的过程，节省了模拟所需时间。
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公开(公告)号：CN119377878A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411338464.3
申请日：2024-09-25
Applicant: 东南大学
IPC: G06F18/25 , H02J3/00 , G06F18/2113 , G06F18/27 , G06N3/045 , G06N3/0464 , G06N3/0442 , G06N3/084 , G06N3/0985 , G06F123/02
Abstract: 本发明公开了一种基于多元气象特征指数和组合优化模型的用电负荷预测方法，包括：采用SHAP特征选择法对气象特征进行动态选择；计算得到气象特征指标，并且划分为训练集和测试集；构建BP神经网络回归模型和CNN‑GRU网络时序模型；采用贝叶斯优化算法分别对BP神经网络回归模型和CNN‑GRU网络时序模型进行参数寻优；通过训练集和测试集分别对BP神经网络回归模型进行训练和预测，获取到预测结果；通过训练集和测试集分别对CNN‑GRU网络时序模型进行训练和预测，获取到预测结果；将BP神经网络回归模型和CNN‑GRU网络时序模型的预测结果进行加权求和得到最终的用电负荷预测结果。本发明方法能够提高负荷预测的整体精度，鲁棒性高，能为电网精确规划调度提供数据支撑。
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公开(公告)号：CN117408121A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311588876.8
申请日：2023-11-27
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/13 , G06F111/04 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及大直径桩基础地基加固等效桩径设计方法，属于桩基加固设计领域。根据不同的加固因素影响下水平受荷单桩数值模型，通过ABAQUS有限元分析的后处理功能对模型分析，得到不同情况下水平受荷单桩的泥面处的荷载‑位移曲线；将LPile软件采用API法的土体曲线与泥面处荷载‑水平位移曲线相对比，最为相似的曲线所对应的桩径即为等效桩径；将等效桩径与各类加固参数相匹配进行拟合。本发明采用等效桩径法，可以将各类需要考虑的加固参数带入公式中即可获得等效桩径，从而大大简化设计流程，只需要分析不同加固因素对等效桩径的影响，分析得出对应的最佳加固效率即可获得最具性价比的水泥土搅拌桩布置形式及其置换率。
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公开(公告)号：CN112658276B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011404247.1
申请日：2020-12-04
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种异质贵金属海胆型纳米晶体及其二维超晶格薄膜的构建和应用。该异质贵金属以金纳米海胆晶体为核，通过在其表面还原银离子后形成异质贵金属海胆型纳米晶体；以所述异质贵金属海胆型纳米晶体为基本构筑单元，通过表面配体修饰后在气液界面自组装形成二维超晶格薄膜。本发明制得的异质贵金属海胆型纳米晶体是一种新型的异质贵金属纳米晶体，具有优良且可控的光学特性。本发明以此晶体为基本构筑单元所制得的二维超晶格薄膜可作为柔性拉曼增强检测基底，实现局域电磁场热点和粒子间隙热点双重叠加的独有效应，具有协同增强的SERS检测超高灵敏性。
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公开(公告)号：CN114663624A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210246643.9
申请日：2022-03-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于增强现实的空间范围感知方法，在教育，测量以及场景布置等应用场景下，本发明通过增强现实眼镜来为使用者提供直接的空间感知体验，方法包括：首先注册需要观察的装置，根据需要观察的装置的物理特性计算其作用范围，然后使用增强现实眼镜来该装置的作用范围进行可视化显示，从而实现帮助使用者感知空间范围的目的。本发明可以有效帮助使用者感知多种本不可见的空间范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110420445B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910666055.9
申请日：2019-07-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于增强现实的壁球训练方法及装置，在壁球训练这一应用场景下，通过增强现实显示设备来为训练者提供虚拟训练场景与视觉反馈，包括：首先选取合适的场地，初始化训练场景，并在训练的过程中追踪壁球的轨迹并将壁球的落点与规定击打区域进行分析比较，实时地以增强现实的方式呈现在相关设备上，为训练者提供视觉上的反馈，从而实现帮助训练者训练的目的。本发明可以有效帮助训练者进行训练，对环境的依赖性低，可以方便地进行训练。
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公开(公告)号：CN109797307B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201910018412.0
申请日：2019-01-09
Applicant: 东南大学
IPC: C22C1/05 , C22C5/06 , C22C32/00 , H01H1/0233
Abstract: 本发明涉及一种Ag/C@Ti3AlC2触头材料的制备方法，其步骤为：通过溶液中反应在Ti3AlC2粉末表面原位合成一层酚醛树脂有机物，再通过高温煅烧使有机物分解为碳层，包覆在Ti3AlC2颗粒表面。再将碳包覆Ti3AlC2(C@Ti3AlC2)粉体作为Ag基增强相，经过混粉、压片和无压烧结，制成Ag/C@Ti3AlC2触头复合材料。本发明通过在Ti3AlC2表面形成碳层，作为Ag与Ti3AlC2界面阻隔层，限制Al与Ag原子相互扩散形成新相层，有效抑制了Ag与Ti3AlC2在高温烧结过程中界面结构失稳、Ti3AlC2中Al原子脱嵌、以及界面反应层的形成，保证了触头材料导电导热性能，以及提高了耐电弧侵蚀性能。本发明所制备的触头材料，Ti3AlC2在Ag基体中分布均匀，导电性能良好，使用性能有大幅度提升。本发明工艺简单，成本低廉，有实际的工业生产价值。
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公开(公告)号：CN110433472A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910665702.4
申请日：2019-07-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于增强现实的攀岩训练方法及装置，在攀岩训练这一应用场景下，本发明通过增强现实眼镜来为训练者提供虚拟训练场景与视觉反馈，方法包括：首先选取合适的场地，确定受力极限值，并在训练的过程中测量攀岩节点的受力情况，对比受力极限值为训练者提供视觉上的反馈，从而实现帮助训练者训练的目的。本发明可以有效帮助训练者进行训练。
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公开(公告)号：CN108399951A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810200146.9
申请日：2018-03-12
Applicant: 东南大学 , 苏州麦迪斯顿医疗科技股份有限公司
IPC: G16H50/20 , A61B5/01 , A61B5/0205
Abstract: 本发明实施例公开了一种呼吸机相关性肺炎决策辅助方法、装置、设备及介质，所述方法包括：接收体征监测设备发送的患者体征数据；通过医院管理系统获取患者检验数据；依据患者体征数据、患者检验数据及预先训练得到的诊断治疗模型生成辅助诊断信息，其中所述诊断治疗模型是依据呼吸机相关性肺炎的语料训练得到的。本发明实施例提供的呼吸机相关性肺炎决策辅助方法能够为临床医务人员提供呼吸机相关性肺炎“从预到治”的辅助决策信息，及时、有效的对患者进行呼吸机相关性肺炎的诊断及治疗，提高呼吸机相关性肺炎的诊断效率，有效地减少医疗错误，提高医疗护理质量，为医院节省大量的成本。
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公开(公告)号：CN104835893A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510287664.5
申请日：2015-05-29
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/36
Abstract: 本发明公开了一种基于金属氮化物半导体的氮极性面发光二极管，属于半导体器件技术领域。该发光二极管包括自下而上依次设置的氮极性面n型半导体层、氮极性面多量子阱有源区、氮极性面电子阻挡层、氮极性面p型半导体层，所述氮极性面p型半导体层上层设置有p型电极，所述发光二极管还包括设置于氮极性面n型半导体层侧面且与氮极性面n型半导体层完全键合的金属极性面n型半导体层，所述金属极性面n型半导体层的上表面设置有n型电极。相比现有技术，本发明以金属极性面n型半导体层作为氮极性面发光二极管中n型半导体层的欧姆接触层，可以避免氮极性面n型半导体层上不易制作良好欧姆电极的问题，且制备工艺简单，实现成本低。
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