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公开(公告)号：CN101809190B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200880108960.2
申请日：2008-09-18
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1259 , B33Y80/00 , C23C16/407 , C23C16/45551 , C23C16/45595 , C23C16/545 , H01L27/1214 , H01L27/1225
Abstract: 本发明涉及一种制造例如薄膜晶体管、环境阻隔层、电容、绝缘器和总线的薄膜电子器件和设备的方法，其中大部分或所有层由大气压原子层沉积方法制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101084590B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200580044132.3
申请日：2005-12-06
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: H01L51/30
CPC classification number: H01L51/0053 , B82Y30/00 , C09B5/62 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 一种薄膜晶体管，包括有机半导体材料层，该材料包括基于四羧酸二酰亚胺3，4，9，10-苝的化合物，该化合物具有连接至每一酰亚胺氮原子的取代或未取代的苯基烷基基团。所述晶体管可进一步包括间隔开的、与所述材料接触的第一和第二接触装置或电极。进一步公开了用于制造有机薄膜晶体管器件的方法，优选通过在基底上的升华或溶液相沉积，其中基底温度不超过100℃。
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公开(公告)号：CN102027603A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200880108812.0
申请日：2008-09-17
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： D·C·弗里曼 , D·H·莱维 , P·J·考德里-科尔文
IPC: H01L31/18 , H01L51/50 , B05D7/24 , C23C16/455 , C23C16/30
CPC classification number: C23C16/30 , B05D1/60 , B05D2252/02 , C23C16/45551 , C23C16/45553 , C23C16/545
Abstract: 一种通过原子层沉积在基板上制备有机薄膜的方法，所述方法包括同时引导一系列气流沿着基本上平行的伸长的通道通过，其中该系列气流包括依次的至少第一反应性气态材料、惰性吹扫气体和第二反应性气态材料，任选重复多次，其中所述第一反应性气态材料能够与用第二反应性气态材料处理过的基质反应，其中所述第一反应性气态材料、第二反应性气态材料或者二者为挥发性有机化合物。在有机薄膜的沉积过程中，所述方法基本上在大气压下或高于大气压下进行，其中沉积过程的基质温度低于250℃。
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公开(公告)号：CN101868762A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200880116804.0
申请日：2008-11-10
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： L·M·欧文 , D·H·莱维 , D·C·弗里曼 , C·杨 , P·J·考德里-科万
CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/0754 , G03F7/40
Abstract: 一种用于形成图案化薄膜的原子层沉积工艺，包括提供基材，向基材上施加可光图案化的沉积抑制剂材料，其中所述沉积抑制剂材料包括有机硅氧烷化合物；图案化所述沉积抑制剂材料。所述薄膜基本上只沉积在基材上不具有沉积抑制剂材料的选区内。
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公开(公告)号：CN101868761A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200880116812.5
申请日：2008-11-12
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： L·M·欧文 , D·C·弗里曼 , P·J·考德里-科万 , C·杨 , D·H·莱维
CPC classification number: H01L27/1288 , G03F7/0005 , G03F7/2022 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L29/66765 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种形成结构的方法，其包括a)提供透明载体；b)在透明载体的第一侧上形成彩色掩模；c)施加含有对可见光敏感的沉积抑制剂材料的第一层；d)通过用可见光透过彩色掩模对第一层曝光，将第一层图案化以形成第一图案，和将沉积抑制剂材料显影以提供实际上不具有沉积抑制剂材料的第一层的选区；和e)在透明载体上沉积功能材料第二层；其中功能材料第二层基本上只被沉积在透明载体上不具有沉积抑制剂材料的选区内。
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公开(公告)号：CN101084589A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200580043297.9
申请日：2005-12-02
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: H01L51/30
CPC classification number: H01L51/0053 , C09B5/62 , H01L51/0067 , H01L51/0545 , H01L51/5048 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种薄膜晶体管，包括有机半导体材料层，该材料包括基于四羧酸二酰亚胺3，4，9，10－苝的化合物，该化合物具有连接至每一酰亚胺氮原子的由一个或多个含氟基团取代的碳环或杂环芳环体系。所述晶体管可进一步包括间隔开的、与所述材料接触的第一和第二接触装置或电极。进一步公开了用于制造ac薄膜晶体管器件的方法，优选通过在基底上的升华或溶液相沉积，其中基底温度不超过100℃。
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