公开(公告)号：CN101536162B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200780040840.9

申请日：2007-08-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  增田健良

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66901 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明公开了一种制造SiC半导体装置的方法，该方法包括在SiC单晶体(4)的至少一部分表面中离子注入掺杂剂的步骤，在离子注入之后在SiC单晶体(4)的表面上形成Si膜(8)的步骤，以及将提供有Si膜(8)的SiC单晶体(4)加热至不低于Si膜(8)的熔化温度的温度的步骤。

公开(公告)号：CN101536162A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780040840.9

申请日：2007-08-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  增田健良

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66901 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明公开了一种制造SiC半导体装置的方法，该方法包括在SiC单晶体(4)的至少一部分表面中离子注入掺杂剂的步骤，在离子注入之后在SiC单晶体(4)的表面上形成Si膜(8)的步骤，以及将提供有Si膜(8)的SiC单晶体(4)加热至不低于Si膜(8)的熔化温度的温度的步骤。

公开(公告)号：CN101536152A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780040752.9

申请日：2007-08-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  玉祖秀人

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L29/45 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了包含Si和Ni的用于SiC半导体的欧姆电极(2)，或者包含Si和Ni并且另外包含Au或Pt的用于SiC半导体的欧姆电极(2)；所述欧姆电极(2)的制造方法；利用所述欧姆电极(2)的半导体装置；以及所述半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN1910741A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200580002806.3

申请日：2005-09-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  原田真

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8083

Abstract: 一种结型场效应晶体管(20)，包括具有沟道区的n型半导体层(1)、在沟道区上形成的缓冲层(3)，以及在缓冲层(3)上形成的p+区(4a，4b)。缓冲层(3)中的电子浓度低于半导体层(1)中的电子浓度。优选地是，使缓冲层(3)中的电子浓度不超过半导体层(1)中电子浓度的十分之一。由此，可以容易地控制阈值电压，并且可以容易地控制沟道的饱和电流密度。

公开(公告)号：CN106030883B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201580008646.7

申请日：2015-02-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 隈元贵浩 ,  山西克也 ,  藤川一洋

IPC: H01M8/18 ,  H01M8/20 ,  H01M8/04186

Abstract: 本发明提供一种抑制电解液的过充电或过放电的氧化还原液流电池系统以及氧化还原液流电池的工作方法。本发明的氧化还原液流电池系统具备：泵，对电池单元循环供给电解液；泵控制部，控制所述泵的流量；以及测定部，对选自以下参数中的至少两个参数进行测定，这些参数是供给至所述电池单元的所述电解液的入口侧充电状态、从所述电池单元排出的所述电解液的出口侧充电状态以及输入至所述电池单元或从所述电池单元输出的充放电电流；所述泵控制部具有：泵流量运算部，从由所述测定部测定出的参数算出所述电池单元的充放电效率，并且基于该充放电效率，以从所述电池单元排出的所述电解液不会过充电或过放电的方式来决定所述泵的流量；以及泵流量命令部，对所述泵设定由所述泵流量运算部所决定的流量。

公开(公告)号：CN106165177B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201680000982.1

申请日：2016-01-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 隈元贵浩 ,  藤川一洋 ,  山西克也

IPC: H01M8/18 ,  H01M8/04 ,  H01M8/04537 ,  H01M8/04746 ,  H01M8/10

Abstract: 一种氧化还原液流电池系统，包括：泵，其将电解液循环供应到电池单元；泵控制单元，其控制所述泵的流量；SOC测量单元，其测量所述电解液的充电状态；以及端子电压测量单元，其测量所述电池单元的端子电压。所述泵控制单元包括：基准流量获取单元，其获取与所述电解液的充电状态对应的所述泵的基准流量；端子电压确定单元，其确定所述电池单元的端子电压是否达到预定电压范围的下限或上限；以及泵流量设置单元，其在所述端子电压没有达到所述预定电压范围的上限或下限的情况下设置所述泵的所述基准流量，并且在所述端子电压达到所述预定电压范围的上限或下限的情况下设置通过将预定流量与所述泵的所述基准流量相加而得到的流量。

公开(公告)号：CN103548265B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201280024710.7

申请日：2012-04-02

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人丰桥技术科学大学

Inventor： 藤川一洋 ,  志贺信夫 ,  大平孝 ,  和田和千 ,  石冈和也

IPC: H03K17/04 ,  H03K17/687

Abstract: 一实施方式的开关电路(10)包括至少一个具有输入端子(21)、输出端子(22)及公共端子(23)的半导体开关元件，且其通过对输入端子与公共端子之间施加脉冲状信号而开关输出端子与公共端子之间的电流。该开关电路具备电容抑制元件部(50)，其连接在输入端子与输出端子之间、输入端子与公共端子之间及输出端子与公共端子之间的至少一个，且电容抑制元件部使连接有电容抑制元件部的半导体开关元件的端子间的寄生电容比在脉冲状信号的时钟频率的N倍(N为1以上的整数)的频率下未连接电容抑制元件部的情况更低。

公开(公告)号：CN103563253B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201280025463.2

申请日：2012-04-02

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人丰桥技术科学大学

Inventor： 藤川一洋 ,  志贺信夫 ,  大平孝 ,  和田和千 ,  石冈和也

IPC: H03K17/04 ,  H03K17/687

Abstract: 一实施方式的开关电路(10A)包括具有输入端子(21)、输出端子(22)及公共端子(23)的第一半导体开关元件～第四半导体开关元件(20)。以在第一半导体开关元件及第四半导体开关元件导通(截止)时剩余的半导体开关元件成为截止(导通)的方式，对各半导体开关元件的输入端子施加脉冲状信号。开关电路具备：第一电容元件(60)，连接在第二半导体开关元件的输出端子与第四半导体开关元件的输入端子之间；及第二电容元件(61)，连接在第二半导体开关元件的输入端子与第四半导体开关元件的输出端子之间。第一及第二电容元件分别具有如下电容：使第四及第二半导体开关元件各自的输入端子与输出端子间的寄生电容在对第四及第二半导体开关元件供给的脉冲状信号的时钟频率的N倍(N为1以上的整数)的频率下降低。

公开(公告)号：CN101960575A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980107202.3

申请日：2009-12-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  玉祖秀人 ,  原田真 ,  并川靖生

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/417 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8083

Abstract: JFET(1)是一种通过使用SiC作为材料允许特性本来可获得的更可靠实现的半导体器件，并且包括由碳化硅制成的具有至少上表面(14A)的晶片(10)，以及在上表面(14A)上形成的栅极接触电极(21)。晶片(10)包括被形成为包括上表面(14A)的用作离子注入区的第一p型区(16)。第一p型区(16)包括设置为包括上表面(14A)的基区(16A)和突出区(16B)。基区(16A)具有在沿着上表面(14A)的方向上比突出区(16B)的宽度(w2)大的宽度(w1)。栅极接触电极(21)被设置成与第一p型区(16)接触，使得从平面图观察时栅极接触电极(21)全部位于第一p型区(16)上。

公开(公告)号：CN101558475A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200780046257.9

申请日：2007-11-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 玉祖秀人 ,  藤川一洋 ,  原田真

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：第一步骤，在半导体(102)表面的部分区域中形成离子注入掩模(103)；第二步骤，将第一掺杂剂的离子注入到除了其中形成离子注入掩模(103)的区域之外的半导体(102)表面的暴露区域的至少一部分中，以及形成第一掺杂剂注入区域(106)；第三步骤，在形成第一掺杂剂注入区域(106)之后去除离子注入掩模(103)的一部分，以扩大半导体(102)表面的暴露区域；以及第四步骤，将第二掺杂剂的离子注入到半导体(102)表面的扩大的暴露区域的至少一部分中，以形成第二掺杂剂注入区域(107)。