公开(公告)号：CN102598211A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201180004204.7

申请日：2011-06-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  原田真 ,  佐佐木信 ,  井上博挥 ,  冲田恭子 ,  并川靖生 ,  伊藤里美

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 准备具有支撑部(30)以及第一和第二碳化硅衬底(11、12)的连接衬底。第一碳化硅衬底(11)具有连接到支撑部(30)的第一背面、与第一背面相反的第一正面以及将第一背面和第一正面彼此连接的第一侧面。第二碳化硅衬底(12)具有连接到支撑部(30)的第二背面、与第二背面相反的第二正面以及将第二背面和第二正面彼此连接的第二侧面，并且在第一侧面和第二侧面之间形成有间隙。去除用于填充间隙的填充部40。然后，对第一和第二正面进行抛光。然后，去除填充部40。然后，形成用于封闭间隙的封闭部。这样，在使用具有碳化硅衬底的复合衬底制造半导体器件的工艺中，能够抑制由碳化硅衬底之间的间隙引起的工艺变化。

公开(公告)号：CN102473604A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180002713.6

申请日：2011-02-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐见弘 ,  玉祖秀人 ,  原田真 ,  筑野孝 ,  并川靖生

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅衬底、设置有外延层的衬底、半导体器件和用于制造碳化硅衬底的方法，它们都实现了导通电阻的减小。碳化硅衬底(10)是具有主表面的碳化硅衬底(10)，并且包括：SiC单晶衬底(1)，其形成在所述主表面的至少一部分中；以及基底构件(20)，其被设置成环绕所述SiC单晶衬底(1)。所述基底构件(20)包括边界区域(11)和基底区域(12)。边界区域(11)在沿着所述主表面的方向上与所述SiC单晶衬底(1)相邻并且在边界区域(11)内部具有晶粒边界。基底区域(12)在垂直于所述主表面的方向上与所述SiC单晶衬底(1)相邻并且具有的杂质浓度高于所述SiC单晶衬底(1)的杂质浓度。

公开(公告)号：CN102473594A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031760.9

申请日：2010-09-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  玉祖秀人 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明公开了一种制造碳化硅衬底(1)的方法，所述方法包括：准备多个SiC衬底(20)的步骤，所述多个SiC衬底(20)包含单晶碳化硅；形成碳化硅的基底层(10)的步骤，所述基底层(10)将所述多个SiC衬底(20)保持在如下状态中，其中当俯视观察时，所述多个SiC衬底(20)并排布置；以及形成填充部(60)的步骤，所述填充部(60)填充所述多个SiC衬底(20)之间的间隙。

公开(公告)号：CN102422388A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020519.6

申请日：2010-04-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  并川靖生 ,  藤原伸介

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

Abstract: 一种能减小其厚度方向上的电阻率的同时抑制由于热处理产生的层错的碳化硅衬底(1)，包括：基底层(10)，其由碳化硅制成；以及SiC层(20)，其由单晶碳化硅制成的并且设置在基底层(10)的一个主表面(10A)上。基底层(10)具有大于2×1019cm-3的杂质浓度。另外，SiC层(20)具有大于5×1018cm-3且小于2×1019cm-3的杂质浓度。

公开(公告)号：CN102379024A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080014869.1

申请日：2010-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  玉祖秀人 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/047 ,  H01L29/66068

Abstract: 第一碳化硅衬底(11)，其具有第一表面(F1)和第一侧面。第二碳化硅衬底(12)具有第二正面(F2)和第二侧面。所述第二侧面被设置成使得在所述第一和第二侧面之间形成间隙，该间隙具有在所述第一和第二碳化硅衬底(11，12)的第一和第二正面(F1，F2)之间的开口。在所述开口上方提供用于封闭所述间隙的封闭部(70)。将来自所述第一和第二侧面的升华物沉积在所述封闭部(70)之上，形成用于连接所述第一和第二侧面的连接部(BDa)以便封闭所述开口。在形成所述连接部(BDa)的步骤之后，去除所述封闭部(70)。

公开(公告)号：CN101512739A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780032993.9

申请日：2007-09-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  并川靖生

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/417 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L21/048 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66901

Abstract: 在p－外延层(3)上，依次形成n型外延层(4)和栅极区域(5)。栅极电极(12a)电连接至栅极区域(5)，并且源极电极(12b)和漏极电极(12c)用夹在它们之间的栅极电极(12a)而彼此分隔开。控制电极(12d)用于给p－外延层(3)施加使p－外延层(3)和n型外延层(4)在截止操作时处于反向偏置状态的电压。

公开(公告)号：CN111893570B

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202010644652.4

申请日：2015-01-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 谷崎圭祐 ,  并川靖生

IPC: C30B29/42 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明涉及GaAs晶体，其具有20cm‑1以下的以下述的表达式1表示的Δx(1)，其中xi表示归属于在(100)面内的s个点处的拉曼光谱测定中的第i个点处测定的拉曼光谱中的GaAs的纵光学声子的振荡的第一峰的拉曼位移，xBL表示氖的发射谱线峰的拉曼位移，并且i和s各自为大于0的自然数。

公开(公告)号：CN111893570A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN202010644652.4

申请日：2015-01-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 谷崎圭祐 ,  并川靖生

IPC: C30B29/42 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明涉及GaAs晶体，其具有20cm-1以下的以下述的表达式1表示的Δx(1)，其中xi表示归属于在(100)面内的s个点处的拉曼光谱测定中的第i个点处测定的拉曼光谱中的GaAs的纵光学声子的振荡的第一峰的拉曼位移，xBL表示氖的发射谱线峰的拉曼位移，并且i和s各自为大于0的自然数。

公开(公告)号：CN102782820A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180004782.0

申请日：2011-02-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 伊藤里美 ,  盐见弘 ,  并川靖生 ,  和田圭司 ,  岛津充 ,  日吉透

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/316 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/046 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供了一种制造碳化硅半导体器件（200）的方法，该方法包括：制备包括第一表面（100a）的碳化硅半导体（100）的步骤，该第一表面（100a）至少部分地注入有杂质；通过使用含有氢气的气体对碳化硅半导体（100）的第一表面（100a）进行干法刻蚀，来形成第二表面（100b）的步骤；以及在所述第二表面（100b）上形成构成所述碳化硅半导体器件（200）的氧化膜（126）的步骤。

公开(公告)号：CN102422387A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020518.1

申请日：2010-04-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真 ,  藤原伸介 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

Abstract: 一种碳化硅衬底(1)，其能够使包括碳化硅衬底的半导体器件制造成本降低，该碳化硅衬底(1)包括：由碳化硅构成的基底衬底(10)，以及由与基底衬底(10)不同的单晶碳化硅构成的且布置在基底衬底(10)上并与之接触的SiC层(20)。由此，碳化硅衬底1是能够有效使用碳化硅单晶的碳化硅衬底。