中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

28 records (took 0.025 seconds)

    表面发射激光器及其制造方法和图像形成装置
    11.
    发明授权
    表面发射激光器及其制造方法和图像形成装置 失效

    公开(公告)号：CN101986488B

    公开(公告)日：2012-10-10

    申请号：CN201010243718.5

    申请日：2010-07-28

    Applicant: 佳能株式会社

    Inventor： 井久田光弘

    IPC: H01S5/183 ,  G03G15/04

    CPC classification number: H01S5/18333 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18347 ,  H01S2301/166

    Abstract: 本发明涉及表面发射激光器及其制造方法和图像形成装置。表面发射激光器包括设置在基板上的下部多层反射镜和上部多层反射镜。第一可氧化层被部分氧化，以形成包含第一导电区域和第一绝缘区域的第一电流限制层。第二可氧化层被部分氧化以形成包含第二导电区域和第二绝缘区域的第二电流限制层，第一导电区域和第一绝缘区域之间的边界沿基板的面内方向被布置在第二电流限制层内侧。第一可氧化层和第二可氧化层或邻近各可氧化层的层被调整，使得当两个层在相同的氧化条件下被氧化时，第一可氧化层的氧化速度比第二可氧化层的氧化速度低。

    面发光激光器及其制造方法
    12.
    发明授权
    面发光激光器及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN101685941B

    公开(公告)日：2011-10-05

    申请号：CN200910173255.7

    申请日：2009-09-22

    Applicant: 佳能株式会社

    Inventor： 井久田光弘

    IPC: H01S5/18 ,  H01S5/183 ,  H01S5/065

    CPC classification number: H01S5/18391 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/209 ,  H01S2301/166

    Abstract: 本发明提供可以抑制表面浮雕结构和电流狭窄结构在水平方向的偏离，提高对位精度，稳定获得单一横模式特性的面发光激光器及其制造方法。层叠了半导体层的面发光激光器，具有通过蚀刻上部反射镜的一部分而形成的第1蚀刻区域。另外，具有通过从第1蚀刻区域的底部蚀刻到用于形成电流狭窄结构的半导体层为止而形成的第2蚀刻区域。该第2蚀刻区域的深度比第1蚀刻区域的深度浅。

    表面发射激光器、其制造方法和图像形成装置
    13.
    发明公开
    表面发射激光器、其制造方法和图像形成装置 失效

    公开(公告)号：CN101986487A

    公开(公告)日：2011-03-16

    申请号：CN201010243717.0

    申请日：2010-07-28

    Applicant: 佳能株式会社

    Inventor： 井久田光弘

    IPC: H01S5/183 ,  H01S5/24

    CPC classification number: H01S5/18311 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/18333 ,  H01S5/18347 ,  Y10S257/918

    Abstract: 本发明涉及一种表面发射激光器、其制造方法以及图像形成装置。表面发射激光器包括层叠于基板上的下部多层反射镜、活性层和上部多层反射镜。通过使用第一沟槽结构在活性层上面或下面形成具有第一导电区域和第一绝缘区域的第一电流限制层。通过使用第二沟槽结构在第一电流限制层上面或下面形成具有第二导电区域和第二绝缘区域的第二电流限制层。第一和第二沟槽结构从上部多层反射镜的顶面向基板延伸，使得第二沟槽结构包围第一沟槽结构。当沿基板的面内方向观察表面发射激光器时，第一导电区域和第一绝缘区域之间的边界被设置在第二导电区域内侧。

    具有用于衍射导波的光子晶体镜的VCSEL
    14.
    发明授权
    具有用于衍射导波的光子晶体镜的VCSEL 失效

    公开(公告)号：CN101421889B

    公开(公告)日：2011-01-19

    申请号：CN200780013053.5

    申请日：2007-04-05

    Applicant: 佳能株式会社

    Inventor： 井久田光弘

    IPC: H01S5/183 ,  H01S5/10 ,  H01S5/343

    CPC classification number: H01S5/105 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/34326

    Abstract: 本发明提供了一种具有新颖结构的表面发射激光器，该表面发射激光器消除了在基板侧上的光子晶体层的界面处设置低折射率介质的需要。多层镜(1300)、有源层(1200)和折射率周期性地改变的折射率周期性结构层(1020)层叠在垂直于基板(1500)的方向上。折射率周期性结构层被构造为将垂直入射到该折射率周期性结构上的波长为λ的光至少分为透射光和衍射光。多层镜被构造为对于衍射光的反射率高于对于透射光的反射率。在包括折射率周期性结构层和多层镜的波导中实现谐振模式。

    表面发射激光器及阵列、其制造方法和光学装置
    17.
    发明授权
    表面发射激光器及阵列、其制造方法和光学装置 失效

    公开(公告)号：CN102208752B

    公开(公告)日：2013-06-12

    申请号：CN201110102885.2

    申请日：2009-07-28

    Applicant: 佳能株式会社

    Inventor： 井久田光弘 ,  稻生耕久 ,  山口贵子

    IPC: H01S5/10 ,  H01S5/183 ,  H01S5/323

    CPC classification number: H01S5/18391 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18347 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176

    Abstract: 本发明提供一种表面发射激光器及阵列、其制造方法和光学装置。该表面发射激光器制造方法等减少表面浮雕结构所出现的处理损伤，从而使得能够稳定地提供单横模特性。提供一种包含用于控制上部镜子的发光部分中的反射率的表面浮雕结构的方法，该表面浮雕结构包含阶梯结构，该方法包括：在上部镜子上面或之上，形成包含用于形成台面结构的图案和用于形成阶梯结构的图案的抗蚀剂图案，并执行第一阶段蚀刻，用于蚀刻上部镜子的表面层以确定阶梯结构的水平位置；在执行第一阶段蚀刻之后，形成电流限制结构；以及在形成电流限制结构之后，执行第二阶段蚀刻，用于进一步蚀刻已执行第一阶段蚀刻的区域，以确定阶梯结构的深度位置。

    表面发射激光器
    19.
    发明授权
    表面发射激光器 失效

    公开(公告)号：CN101359807B

    公开(公告)日：2010-07-21

    申请号：CN200810129459.6

    申请日：2008-07-31

    Applicant: 佳能株式会社

    Inventor： 井久田光弘

    IPC: H01S5/18 ,  H01S5/187 ,  H01S5/125 ,  H01S5/30

    CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/34326

    Abstract: 本发明提供了一种能够在单横模下减小对上部反射镜的反射率的影响的高输出的表面发射激光器。该表面发射激光器包括在衬底上层叠的多个半导体层，包括下部半导体多层反射镜、活性层，以及上部半导体多层反射镜，其中，下或上部半导体多层反射镜包括具有二维光子晶体结构的第一半导体层，该二维光子晶体结构由高折射率部分和低折射率部分构成，高折射率部分和低折射率部分被布置在平行于衬底的方向，以及其中，层叠在所述第一半导体层上的第二半导体层包括到达所述低折射率部分的微孔，所述微孔在平行于所述衬底的所述方向的截面小于在所述第一半导体层中形成的所述低折射率部分的截面。

Patent Agency Ranking